半导体工艺技术
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半导体工艺技术范文第1篇
关键词：集成电路工艺原理；教学内容；教学方法
作者简介：汤乃云（1976-），女，江苏盐城人，上海电力学院电子科学与技术系，副教授。（上海?200090）
基金项目：本文系上海自然科学基金（B10ZR1412400）、上海市科技创新行动计划地方院校能力建设项目（10110502200）资助的研究成果。
中图分类号：G642.0?????文献标识码：A?????文章编号：1007-0079（2012）29-0046-01
微电子产业的快速发展急需大量的高质量集成电路人才。优秀的集成电路设计工程师需要具备一定工艺基础，集成电路工艺设计和操作人员更需要熟悉工艺原理及技术，以便获得性能优越、良率高的集成电路芯片。因此“集成电路工艺原理”是微电子专业、电子科学与技术专业和其他相关专业一门重要的专业课程，其主要内容是介绍VLSI制造的主要工艺方法与原理，培养学生掌握半导体关键工艺方法及其原理，熟悉集成电路芯片制作的工艺流程，并具有一定工艺设计及分析、解决工艺问题的能力。课程的实践性、技术性很强，需要大量的实践课程作为补充。但是超大规模集成电路的制造设备价格昂贵，环境条件要求苛刻，运转与维护费用很大，国内仅有几所大学拥有供科研、教学用的集成电路工艺线或工艺试验线，很多高校开设的实验课程仅为最基本的半导体平面工艺实验，仅可以实现氧化、扩散、光刻和淀积等单步工艺，而部分学校仅能开设工艺原理理论课程。所以，如何在理论教学的模式下，理论联系实践、提高教学质量，通过课程建设和教学改革，改善集成电路工艺原理课程的教学效果是必要的。如何利用多种可能的方法开展工艺实验的教学、加强对本专业学生科学实验能力和实际工作能力以及专业素质的培养、提高微电子工艺课程的教学质量，是教师所面临的紧迫问题。
一、循序渐进，有增有减，科学安排教学内容
1.选择优秀教材
集成电路的复杂性一直以指数增长的速度不断增加，同时国内的集成电路工艺技术与发达国家和地区差距较大，故首先考虑选用引进的优秀国外教材。本课程首选教材是国外电子与通信教材系列中美国James D.Plummer著的《硅超大规模集成电路工艺技术—理论、实践与模型》中文翻译本。这本教材的内容丰富、全面介绍了集成电路制造过程中的各工艺步骤；同时技术先进，该书包含了集成电路工艺中一些前沿技术，如用于亚0.125μm工艺的最新技术、浅槽隔离以及双大马士革等工艺。另外，该书与其他硅集成电路工艺技术的教科书相比，具有显著的两个优点：其一是在书中第一章就介绍了一个完整的工艺过程。在教学过程中，一开始就对整个芯片的全部制造过程进行全面的介绍，有且与学生正确建立有关后续章节中将要讨论的各个不同的特定工艺步骤之间的相互联系；其二是贯穿全书的从实际工艺中提取的“活性”成分及工艺设计模拟实例。这些模拟实例有助于清楚地显示如氧化层的生长过程、掺杂剂的浓度分布情况或薄膜淀积的厚度等工艺参数随着时间推进的发展变化，有助于学生真正认识和理解各种不同工艺步骤之间极其复杂的相互作用和影响。同时通过对这些模拟工具的学习和使用，有助于理论联系实际，提高实践教学效果。因而本教材是一本全面、先进和可读性强的专业书籍。
2.科学安排教学内容
如前所述，本课程的目的是使学生掌握半导体芯片制造的工艺和基本原理，并具有一定的工艺设计和分析能力。本课程仅32学时，而教材分11章，共602页，所以课堂授课内容需要精心选择。一方面，选择性地使用教材内容。对非关键工艺，如第1章的半导体器件，如PN二极管、双极型晶体管等知识已经在前续基础课程“半导体物理2”和“半导体器件3”中详细介绍，所以在课堂上不进行讲授。另一方面，合理安排教材内容的讲授次序。教材在讲授晶片清洗后即进入光刻内容，考虑工艺流程的顺序进行教学更有利于学生理解，没有按照教条的章节顺序，教学内容改变为按照清洗、氧化、扩散、离子注入、光刻、薄膜淀积、刻蚀、后端工艺、工艺集成等顺序进行。
另一方面，关注集成电路工艺的最新进展，及时将目前先进、主流的工艺技术融入课程教学中，如在课堂教学中介绍INTEL公司即将投产的采用了22nm工艺的代号为“Ivy Bridge”的处理器等。同时，积极邀请企业工程师或专家开展专题报告，将课程教学和行业工艺技术紧密结合，提高学生的积极性及主动性，提高教学效果。
3.引导自主学习
半导体产业正飞速发展，需要随时跟踪集成电路制造工艺的发展动态、技术前沿以及遇到的挑战，给学生布置若干集成电路工艺发展前沿与技术动态相关的专题，让学生自行查阅、整理资料，每一专题选派同学在课堂上给大家讲解。例如，在第一章讲解集成电路工艺发展历史时，要求同学前往国际半导体产业规划网站，阅读最新年份的国际半导体技术发展路线图，完成如最小特征指标、工作电压等相关技术指数的整理并作图说明发展趋势等。这样一方面激发了学生的求知欲，另一方面培养学生自我学习提高专业知识的能力。
二、丰富教学手段，进行多样化、形象化教学
半导体工艺技术范文第2篇
关键词：自动化测试仪表 可靠性 人机对话
中图分类号：TP21 文献标识码：A 文章编号：1672-3791（2013）01（c）-0000-01
科学技术的飞速发展促使社会意识形态发生转变，使得人们对生活的追求更加富有人文主义特色，社会各领域对环境的要求更加严格，对产品的现代化程度要求更高，其中节能减排战略促使新型能源产业风靡全球，带动了全球半导体技术的进一步发展，比如太阳能行业逐渐成为新时期的朝阳产业，该行业中对仪器仪表提出了新的要求。作为现代化仪器仪表的制造商，间接地为现代化科技的发展创造了基础科研平台，通过提供先进的仪表，可以提高用户的生产效率，提升产品质量，监控排放，为低碳经济做出更大的贡献。
1 半导体行业对自动化仪器仪表需求分析
1.1 自动化仪器仪表现状
全球科技创新的日新月异带动了我国制造业的飞速发展，进入新世纪以来，我国半导体行业对自动化仪表的需求明显加强，无论从技术特点还是市场数量上都呈现递增趋势，从技术含量上分析，我国科研、量产中所使用的自动化仪表已经处于世界领先水平。
上世纪初，国内仪器仪表稳步发展，主要源于工业半导体行业的需求增加，从技术层面上拉动了整个行业技术水平的提升，尤其在新产品开发上取得了显著成效，比如说拥有自主知识产权的电磁流量计、智能化电动机执行系统等。
1.2 半导体行业对自动化仪器仪表的需求分析
目前，我国半导体行业使用较多的仪器仪表主要是小型检测单元，比如在集成电路、液晶显示、半导体薄膜、太阳能电池制备等领域的使用较为频繁。自动化仪器仪表的使用往往依赖于半导体设备的发展程度，现阶段该行业中使用较多的是各种薄膜沉积系统、成分检测系统等，涵盖面较广的是PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）、HWCVD（Hot wire chemical vapor deposition）、MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）系统以及相关检测设备等。半导体设备中对压力计、传感器、流量计、温度计等元器件的使用较多，尤其在半导体行业制备薄膜材料的工艺中对以上元器件的要求相对较高。
（1）压力表
由于半导体技术具有相对较高的精密性，在半导体薄膜的制备工艺中，要求对工艺参数精确控制，反应腔室内部工艺气体的压力大小，成为该行业工艺技术中的核心参数。对工艺气体压力的检测通常采用压力计以及相关的各种真空检测设备。半导体设备的正常运行必须以厂务设施作为保证，包括水、电、气等条件，其中“水”主要用于设备冷却或者恒温加热，因此需要采用压力表对水压、CDA（condensed air）等进行严格控制方可保证工艺正常运行。
（2）流量计
流量计一般应用在化学沉积系统中，对气体流量起到监测、控制作用。对于半导体工艺来说，产品制备工艺参数是决定器件性能的关键因素，其中化学气相沉积系统中反应气体的流量对最终产品质量起到直接的决定性作用，对气体流量的控制不仅要体现动态时效性，更重要的是要在量的控制上具备较高的精确度，目前国内制备MFC的技术已相对成熟，为我国半导体行业的发展奠定了基础。
（3）传感器
传感器在现代工业时代的使用极为广泛，半导体设备中对传感器的使用大多体现在设备机械传动部分。在半导体产品制造中，要实现设备的流水线运行，离不开高可靠型的传感器元件，通过传感器协调不同工序、设备不同部位的联动，进而保证整个工艺的流水线运行。
（4）温度计
随着科学技术的发展和现代工业技术的进步，测温技术也不断地改进和提高，其中金属温度计是利用两种不同金属在温度改变时膨胀程度不同的原理工作的，在半导体紧密制造中通常用来检测液体、气体的温度，测试温度偏中低水平，适合工艺流程中在线、动态、实时监测。
半导体工艺中对金属温度及的使用大多是用来检测特殊反应气体的温度，由于普通加热器很难通过热电偶检测衬底温度，通常在反应腔室特殊部门安装金属温度计监测生长基元的温度，从测量精度和实际可操作性上提高了半导体工艺的可行性。
2 自动化仪器仪表在半导体行业的发展趋势
自动化测试仪表技术未来发展趋势主要体现在高智能化、高可靠性、高精密度、优良的响应性能等方面，半导体行业仪器仪表技术主要针对具体应用特性而体现出以下几个发展方向：
2.1 人机对话智能化发展
人机对话技术是自动化仪器仪表发展的核心方向，也是未来信息化社会的主流技术，半导体行业对仪器仪表的使用目的是为了便于更好的控制工艺流程，提高对设备的可控性，如果自动化测试仪表具有强大的人机对话特性，能够快速、准确的体现设备运行状态，在半导体制造工业中无疑起到了举足轻重的作用。自动化仪表的人机对话性能是通过设备控制端和仪器之间的对话界面实现，通过人类可以识别的界面端口，读取仪表对设备状态的检测数据，从而对工艺过程起到指导作用。
2.2 集成技术的标准化发展
自动化仪表的应用直接依赖于其能否与其他设备形成对话流畅的有机整体，随着人类科学技术的不断进步，半导体行业对自动化仪表的使用需求逐渐增多，不同设备具有不同的逻辑控制系统，如何将自动化测试仪表的接口、通信、软件控制单元和半导体设备逻辑控制语言相融合成为该行业技术发展的瓶颈，如果实现测试仪表在不同半导体设备上的集成标准化，将大幅度提升自动化测试技术的进步。
2.3 可靠性技术的提高
自动化仪表在工业生产中起到“中枢神经”的作用，对其可靠性不容忽视，尤其对于大型复杂的工业系统中，自动化仪器的可靠性关系到整个企业、乃至行业的发展命脉。对于半导体企业检测与过程控制仪表，大部分安装在工艺管道、工序过渡段，甚至多数环境存在有毒、易燃、易爆等特种气体，这些特殊环境对自动化仪表的维护增加了很多困难。因此，在使用特种气体的半导体行业中对自动化检测仪表的可靠性具有较高的要求，尽可能降低其维修频率，为工业安全生产提供必要保证。
3 结语
当今世界已经进入信息时代，自动化技术成为推动科学技术和国民经济高速发展的关键因素，其中自动化测试仪表作为科研、工业化生产的基础硬件设施而不断发展成熟，在半导体行业中的应用逐渐广泛深入。随着行业科研水平的提高，对自动化仪器仪表有了更好的要求，可靠性、集成技术、智能对话特性成为自动化测试技术发展的首要任务，对自动化测试技术以及测试仪表的使用起到举足轻重的作用。
参考文献
半导体工艺技术范文第3篇
摘要：
评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割，用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明，使用深反应离子刻蚀工艺，晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除，从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污，芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
关键词：
深反应离子刻蚀；刀片机械切割；崩角；开裂
1引言
半导体行业一直使用刀片机械切割晶圆的方式，将芯片分离成单独的颗粒，这是目前业界的主流工艺。刀片切割过程中会产生碎屑，芯片侧壁受机械损伤会出现崩角以及开裂，影响到芯片的有效区域，造成电性能失效。硅的裂纹会出现延伸或传播，影响芯片的可靠性以及使用寿命。伴随着半导体工业的发展，晶圆划片道宽度越来越窄。通常划片道宽度在60μm以下时，刀片机械切割将出现工艺瓶颈，主要受限于刀片本身宽度。腐蚀技术分为干法腐蚀和湿法腐蚀。腐蚀具有各向同性腐蚀与各向异性腐蚀之分，还有选择性腐蚀与非选择性腐蚀之分。湿法腐蚀工艺技术是化合物半导体器件制作中一种重要的工艺技术；它是在具有高选择比掩蔽膜的保护下对介质膜或半导体材料进行腐蚀而得到所需图案的一种技术。湿法腐蚀是一种化学腐蚀方法，主要针对InP、GaAs基化合物半导体材料及SiO2的腐蚀。从图1可以看出，湿法腐蚀各向同性，其腐蚀偏差较大，腐蚀图形不可控，无法满足半导体芯片切割的要求。在湿法腐蚀中,抗蚀剂与衬底交界面有腐蚀剂渗入的问题。为了抑制腐蚀液的渗入，显影后需要烙烘进行坚膜，由此常常引起抗蚀剂图形的变形，不利于微细加工[1]。干法刻蚀是在真空状态下通入一定量的反应气体，在射频电场作用下辉光放电，形成等离子体。等离子体中含有离子、电子及游离基等，可与被刻蚀晶圆表面的原子发生化学反应，形成挥发性物质，达到刻蚀样品表层的目的。同时，高能离子在一定的工作压力下，射向样品表面，进行物理轰击和刻蚀，使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性，从而得到所需要的器件外形结构[2]。从图2可以看出，干法刻蚀由于各向异性，腐蚀偏差小，腐蚀图形可控，精度高,公害少,工艺清洁度高，对环境污染小。因此，在半导体制造中，干法刻蚀越来越成为用来去除表面材料的主要刻蚀方法。干法刻蚀的各向异性可以实现细微图形的加工，满足越来越小的尺寸要求，已取代湿法刻蚀成为最主要的刻蚀方式[3]。目前干法刻蚀技术有离子刻蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、深度反应离子刻蚀几种类型，这几种刻蚀方法适用于不同的被刻蚀材料。其中，深反应离子刻蚀主要应用在去除硅的场合，在刻蚀SiO2时，DRIE的刻蚀速度更快。其刻蚀剖面各向异性，即刻蚀只在垂直于晶圆表面的方向进行，只有很少的横向刻蚀，可以获得90°±1°垂直度的侧壁，用于创建深沟或高纵深比结构。其刻蚀的各向异性可以实现细小图形的转换，满足较小尺寸的要求。深反应离子刻蚀因其具有较高的刻蚀速率、良好的方向性和选择性而在各种各样的硅基微系统制造中得到大量的应用，不但广泛地应用在微电子领域，而且是集成光学器件及微光机电器件加工的重要手段[4，7]。
2深度反应离子刻蚀的基本原理
深度反应离子刻蚀也叫高密度等离子刻蚀或感应耦合等离子刻蚀，是一种采用化学反应和物理离子轰击去除晶圆表面材料的技术[5]。它将等离子的产生和自偏压的产生分别用两个独立的射频电源进行，有效避免了反应离子刻蚀中射频功率和等离子密度之间的矛盾。为实现刻蚀基进入高深宽比图形并使刻蚀生产物从高深宽比图形中出来，必须降低刻蚀系统的工作压力，以增加气体分子和离子的平均自由程。为避免因此导致的离子浓度变低而影响刻蚀速率，使用电感耦合等离子体产生高密度等离子[6]。图3是电感耦合等离子刻蚀设备工艺腔简图。上电极由一个13.56MHz的射频电源通过匹配器接入线圈用于电离气体产生高密度等离子体，下电极由一个400kHz/13.56MHz的射频电源通过匹配器接入静电吸盘，在腔内产生自偏压。深度反应离子刻蚀采用刻蚀和钝化交替进行的博世工艺以实现对侧壁的保护，形成近90°的垂直侧壁[7~8]。原理如下。通入C4F8气体电离，并发生聚合反应在沟槽侧壁以及底部沉积形成钝化层，由于自由基是中性，不受暗区电场的加速，没有方向性，所以沉积的Polymer在沟槽底部以及侧壁都是均匀的。参见图4。通入SF6气体电离，产生SxFy离子和F的活性自由基，SxFy离子在暗区电场作用下加速轰击沟槽底部与侧壁的钝化层，于是钝化层被刻蚀。参见图5。由于暗区电场的加速作用，离子在垂直方向比在水平方向的轰击占优，沟槽底部钝化层比侧壁钝化层先一步被刻蚀清除，这时F的活性自由基与沟槽底部露出的硅反应产生SiF4气体被泵抽走(如图7)，实现对沟槽底部的刻蚀，直至侧壁钝化层也被刻蚀完毕再开始新的循环。从图6看出，由于暗区电场的作用，沟槽侧壁是最后被刻蚀完成的，故对侧壁起到了很好的保护作用，因此，纵向刻蚀距离大于横向刻蚀距离。相关化学反应的方程式如下：（1）各向同性Polymer沉积C4F8CFn（2）各向异性硅刻蚀+各向异性轰击SF6+eSF5++F(游离基)+2eF+SiSiF4(g)对于晶圆的切割来说，各向异性刻蚀的刻蚀速率快，能形成高纵深比的结构和精确的三维结构，没有负效应，能通过合理改变工艺参数满足特定应用的显微结构要求，使得深度反应离子刻蚀成为一个商业上可行的技术[9]。
3试验准备
晶圆在使用深度反应离子刻蚀工艺进行划片的工艺流程见图8~13。硅刻蚀使用深反应离子刻蚀工艺将硅刻穿，完成芯片的切割。把晶圆背面贴上划片膜，释放玻璃片，从而便于后续的编带，见图13。刻蚀后的晶圆如图14所示。干法刻蚀设备为SPPMUC21刻蚀机。该设备为ICP高密度等离子刻蚀机，刻蚀深度片内/片间均匀性误差≤5%，刻蚀角度90±1°。
4样品检验
4.1测量设备
测量设备为奥林巴斯光学显微镜和日立扫描电镜。
4.2检验结果
（1）等离子刻蚀后晶圆表面没有任何碎屑、沾污开裂等问题，见图15。
（2）等离子刻蚀后晶圆划片道内没有任何残留以及沾污，刻蚀前光刻开口22±1μm，刻蚀后划片道开口满足22±3μm。见图16。
（3）等离子刻蚀后取芯片做SEM，观察芯片侧壁，没有崩角或者开裂。见图17。
（4）样品良品率大于98%。
5结论
通过大量实验，确定深反应离子刻蚀能用于硅片的切割；切割效果可以满足规范要求。通过优化工艺流程、刻蚀速率和划片槽开口大小，可以获得理想的切割剖面，以确保深度反应离子切割是可以接受的。
参考文献：
[1]孙静，康琳，等.反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较[J].低温物理学报，2006，28（3）.
[2]苟君，吴志明，太惠玲，袁凯.氮化硅的反应离子刻蚀研究[J].电子器件，2009，32（5）.
[3]苟君，吴志明，太惠玲，袁凯.氮化硅的反应离子刻蚀研究[J].电子器件，2009，32（5）.
[4]葛益娴，王鸣，戎华.硅的反应离子刻蚀王艺参数研究[J].南京师范大学学报(工程技术版)，2006，6（3）.
[5]苟君，吴志明，太惠玲，袁凯.氮化硅的反应离子刻蚀研究[J].电子器件，2009，32（5）.
半导体工艺技术范文第4篇
关键词：电子材料；工艺学；实验研究；本科教学.
【中图分类号】G642
本论文受济南大学教学研究项目（JZC12002）支持。
一、前言
电子材料是材料科学与电子科学与技术、半导体材料和新能源材料相融合的交叉边缘学科，其课程体系设计的背景是基于电子和微电子器件、光电子器件以及新能源器件产业的现实功能需求和未来巨大发展潜力[1]。随着电子科学技术的飞速发展，对电子工艺学业提出了越来越高的要求，人们在实践中不断探索新的工艺方法，寻找新的工艺材料，使电子工艺学的内涵及外延迅速扩展。可以说，电子工艺学是一门充满蓬勃生机的技术学科。电子工艺技术虽然在生产实践中一直被广泛应用，但作为一门学科而被系统研究的时间却不长。系统论述电子工艺的书刊资料不多。基于目前国内外电子材料工艺技术为背景，本学院在拓展本科教学专业方面，设置《电子材料工艺学》作为一门重要的课程之一，本教学团队拟开展一系列针对该工艺学的一系列课程实验。该实验一方面要求学生通过实验，使学生深入理解传统电子材料工艺在材料性能中的作用。另一方面，结合目前半导体与微电子应用领域制造工艺，让同学们熟悉先进的电子材料工艺，掌握关键实验参数。《电子材料工艺学》匹配系列环节实验，有助于完善新版电子材料专业方向实验的教学文件，初步建设科学合理的实验体系，通过加强教学实践过程中教学与实验信息的互相反馈，为科学合理的培养目标电子材料专业方向专业人才奠定基础。
二、《电子材料工艺学》课程匹配实验设置
在该《电子材料工艺学》课程内容设置中，通过对电子信息产业各领域的介绍，让学生初步了解各类电子材料的基本概念，掌握电子陶瓷材料的界定和分类，初步掌握典型电子陶瓷的组成、制备工艺、性能，同时了解电子薄膜材料与纳米晶体的应用和相关工艺。在内容上为了突出材料性能在器件中的应用和熟悉电子材料专业方向的材料结构和工艺内容，额外增加了半导体、微电子、光电子和能源电子方面的知识内容。同时，为了更好地让同学们认识电子材料工艺过程，拟在该课程中设置系列匹配实验，让同学们更好掌握本门课程。基于《电子材料工艺学》课程内容拟增设如下配套实验，以保证教学效果。在电子陶瓷成型工艺实验方面，侧重突出陶瓷原料球磨、混料、煅烧、二次球磨、造粒、成型、烧结等重要工艺环节的工艺；重点掌握球磨时间、混料时间、成型压力、烧结温度及保温时间等关键参数影响情况；通过相关实验，让学生能够更好更全面的掌握所学知识。
1.在薄膜制备工艺实验上，考虑到气相法制备薄膜工艺需要昂贵的实验设备，而液相法成本相对较低。因此在实验中，首选以溶胶凝胶工艺为基础的液相薄膜制备工艺。溶胶凝胶（Sol-gel）法是制备材料方法中新兴起的一种湿化学方法。它的基本原理是：以金属醇盐或其它金属无机盐的溶液作为前躯体溶液，在低温下通过溶液中的水解、聚合等化学反应，首先生成均一稳定的溶胶；然后根据溶胶凝胶制备薄膜工艺的原理，可分为以下几个过程：1溶胶在基片旋涂形成湿膜；2基片烘干形成干膜；3基片快速热处理形成薄膜结晶相；4薄膜表征。设计该实验可以让同学们重点掌握上述几个工艺环节的工艺参数，熟悉陶瓷薄膜制备液相工艺。
2.在纳米粉体制备实验上，侧重突出利用湿化学工艺制备纳米粉体工艺。液相反应法作为一种制备超细粉体的方法成为各国材料科学家研究的热点。常用的液相反应法有共沉淀法、水解法、溶胶凝胶法、微乳液反应法等。实验设计上，重点以溶胶凝胶工艺作为主要内容，首先生成溶胶，进而生成具有一定空间结构的凝胶，然后经过热处理或减压干燥，在较低温度下制备出各种无机材料或复合材料的方法。可见根据溶胶凝胶法的原理，可将溶胶-凝胶法分为以下几个过程：1溶胶制备过程；2凝胶形成过程；3陈化过程；4干燥过程；5热处理过程。实验设计上从前驱体溶液的制备到后续纳米粉体煅烧与表征形成一系列标准工艺，让同学们有深刻了解并掌握相关工艺参数。
3.基于光刻工艺的应用背景而言，在开设《电子材料工艺学》课程过程中，设计半导体制造工艺中光刻实验对于同学们掌握课程知识有很大帮助，同样也利于后续就业。以介质陶瓷单层电容（SLC）的制备为例，整个实验过程包括：1MN陶瓷基片准备；2设计掩模板；3陶瓷基片匀胶及烘干；4曝光显影及后烘；5陶瓷基片蒸电极；6lift-off工艺，剥离电极；7切割与性能测试。通过上述工艺过程，可以继续采用划片机根据SLC电容的分布，沿着分割线进行线切割，形成单个的电容或电容阵列；利用探针台与测试仪器配套搭建测试系统，进行电学性能测试，进行评估。
三、结论
基于上述考虑，《电子材料工艺学》课程实验设置一方面可以培养学生掌握电子材料工艺操作的基本技能，充分理解工艺工作在材料制造过程中的重要地位，从更高的层面了解现代化电子材料工艺的全过程，了解目前我国电子材料工艺中最先进的技术和设备。另一方面掌握电子材料制备工艺；借助于相关工艺实验有助于同学们掌握相关行业背景知识，熟悉材料工艺过程，使学生成为将来掌握相应工艺技能和工艺技术管理知识、能指导电子产品现场工艺、能解决实际技术问题的专业技术骨干奠定基础。
参考文献
半导体工艺技术范文第5篇
魔幻开端
1947年12月16日，威廉•肖克利（William Shockley）、约翰•巴顿（John Bardeen）和沃特•布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出世界上第一只晶体管。这三人也因为此项发明而获得1956年的诺贝尔化学奖。
晶体管的基本工作原理很简单: 电子在源极和漏极之间流动，根据位于顶端的栅极电压的高低来控制其通断，接通状态为“1”，断开为“0”。第一只晶体管是点接触晶体管（point-contact transistor），其主要作用是放大电信号。晶体管开始逐渐在收音机、电话中代替体积比晶体管庞大得多的真空电子管。
1950年，威廉•肖克利开发出双极（N极和P极）晶体管（Bipolar Junction Transistor），就是现在通行的标准晶体管。从那天起，尽管制造晶体管的材料和工艺技术进步了许多，但晶体管的架构一直没有发生根本性的变化。
尽管晶体管早期最著名的应用是诸如晶体管收音机这样的电子设备，但真正让晶体管在人类历史上占据重要地位的是其作为集成电路（IC，通俗的称呼是芯片）中的开关―简单的“0”和“1”创造了奇妙而丰富多彩的电子世界。在世界上第一款便携式晶体管收音机诞生时，其内部仅仅包含4个锗晶体管，而目前世界上最先进芯片中含有的晶体管数量已经超过了10亿只。
转机出现在1958年，德州仪器的Jack Kilby和仙童半导体公司的Robert Noyce（后联合摩尔创立英特尔）发现集成电路中可以容纳大量晶体管。晶体管组装开始从人工转向自动化，再加上大规模经济制造方法（CMOS工艺）的诞生，晶体管密度的指数级增长潜力开始得以发挥。晶体管迅速占领了电子设备的智能核心―芯片。
1965年，戈登•摩尔在《Electronics Magazine》上发表文章提出了著名的摩尔定律，量化了晶体管这种神奇的魔力。
终极挑战
摩尔定律揭示的指数级增长定律是建立在不断缩小晶体管的尺寸和体积基础上的。在这场每24个月左右将晶体管体积缩小一半的小型化竞赛中，晶体管的关键部件之一即将达到极限: 栅极和源极、漏极间电子流经通道之间的绝缘层―SiO2层的厚度在到达90纳米节点以来，其物理尺寸一直保持不变。因为其大小已经为1.2纳米，仅相当于5个原子的厚度（原子是不可分的）。
越来越薄的绝缘层使漏电流越来越明显，芯片发热量增大，晶体管工作得越来越不稳定。尽管目前漏电流还在可控范围内，但要付出的代价可想而知。
事物往往具有两面性。固有晶体管的物理极限即将来临，促使人们从另一个角度思考问题: 既然用SiO2不能解决问题，能不能用一种对电荷具有更强吸附能力（k值更高）的材料来替换它？拥有更高“k”值的材料可以和目前的二氧化硅做得一样厚，甚至更厚些――同时保持比SiO2更理想的属性，可以大幅减少漏电量。
业界从多年以前就一直在思考这个问题，终于在45nm时代取得了突破。英特尔用高-k铪基栅介质来取代传统的SiO2，而为了解决现有栅极与新的栅介质不兼容的问题，还采用了一种新的金属栅极。新的晶体管技术使源极－漏极漏电流降低5倍以上，栅极漏电流减少了10多倍。降低漏电流10倍，相当于将绝缘层的厚度“增加”了10倍。在新的晶体管材料基础上，一场新的“缩小”工程将继续延续下去。
采用高-k铪基栅极介质和金属栅极的想法是业界集体智慧的结晶―IBM日前宣布在其32nm工艺中也将采用这一组合。而日本的一些半导体企业也将先后跨入这一阵营。
晶体管的未来
尽管硅的摩尔定律可能将在未来10年遭遇物理极限，但是这并不意味着晶体管将寿终正寝。在经历了多年Scale Up（向上）成长之后，Scale Out（向外）成长将成为晶体管未来发展的一条主线。新的晶体管结构、互联技术、半导体材料将在多个维度上延长其生命力。
毫无疑问，晶体管的尺寸不可能永无休止地缩小下去。目前的晶体管依然保持其从诞生开始即采用的平面结构―源极-漏极和栅极位于同一个水平面上，漏电流问题始终是难以根除的难题。而下一个晶体管技术的革命很可能是从平面转向立体―这种垂直通道晶体管技术被称为三栅极(tri-gate)晶体管，俗称三维晶体管。三维晶体管可以通过晶体管顶门和垂直的两个侧门发送电信号。这一设计在不增加更多空间的情况下将电子信号的传输空间扩大了三倍。借助这一优势，三门晶体管与当前的平面晶体管相比性能更为卓越，漏电流也将大幅减小。可以预想，一场新的竞赛又将上演。
另一方面，从2001年开始，铜互联取代铝互联，这可以看做是半导体工业里程碑式的事件。新的碳纳米线和碳纳米管有望在不远的将来取代铜互联而树立半导体工业的另一座里程碑。由于碳纳米管比金属的导电性能好得多，而且纳米管也比金属连线细得多，因此纳米管有可能解决晶体管互连难题。IBM和其他一些公司都已经研发出碳纳米管。英特尔也已经用碳纳米管开发出了原型互连线，用以取代在芯片中连接晶体管的微细铜金属线，并测量了原型互连线的连接效果，为碳纳米管的实用化积累了经验。
摩尔定律的现实意义
尽管业界在晶体管技术方面取得了巨大的进步，摩尔定律依然面临着技术可行性和经济性两方面的严峻挑战。
从反面来看，不断攀升的制造成本、材料和工艺技术难题确实让人们对其经济性不断产生质疑，全球半导体制造业务的集中趋势也印证了这一担忧。
不过从今天看来，虽然硅的摩尔定律越来越接近其物理极限，但新的思想方法和技术有可能达到与单纯缩小晶体管体积方法异曲同工的目的: 不断提升芯片的性能，增加功能，降低功耗和成本。
根据市场研究公司Gartner最新的报告，2007年预计全球芯片销售额将达2700亿美元，比2006年增长3%。根据预测，消费市场将成为推动芯片行业发展的主要推动因素。而这些新兴市场恰恰是45nm以及更先进制造工艺进步最大的受益者。
半导体工艺技术范文第6篇
【关键词】交联电缆接头附件；运行状况；故障原因分析；接触电阻；接头质量
交联电缆通常是指电缆的绝缘层采用交联材料，它具有散热好，载流量大，制作安装方便等优点。近年来，电力系统、水利、化工等行业都采用交联电缆，合阳县交联电缆的使用率已达8％左右，但交联电缆由于载流能力强，电流密度大，对导体连接质量要求就更为严格，对交联电缆接头所要求机械的、电气的条件日益从严，因此对电缆接头各种故障要及时采取相应的对策和措施。
一、交联聚乙烯电缆接头运行状况
电缆附件是电缆线路中各种电缆接头和终端的总称，电缆接头是电缆与电缆相互连接的装置；电缆终端是电缆线路末端用于与其他设备的电气连接的装置，起着电路畅通、保证相间和相对地绝缘、密封和机械保护等作用。6-10KV交联电缆在水利、化工、电力系统中运用十分广泛，其完好的附件对机电设备的安全、经济、可靠运行和安全供电非常重要。交联聚乙烯电缆由于载流能力强、电流密度大，对导体的连接质量要求也就更为严格，对接头的机械和电气条件要求也越来越高，特别是负荷较重的电缆，各种接头将受到很大的应力和持续较长时间的大电流，而且有时因事故等原因还需要承受短路电流。所以说交联聚乙烯电缆附件也不是附属的，更不是次要的部件，它与电缆是同等重要、必不可少的部件，也是与安全运行密切相关的关键产品。
二、交联聚乙烯电缆接头故障原因分析
（1）工艺不佳。主要指电缆接头施工人员在导体连接前后的施工工艺。一是连接金具接触面处理不佳。无论是接线端子还是连接管，由于受生产或保管条件的影响，管体内壁常有杂质、毛刺和氧化层存在，这是不为人们所重视的缺陷，但对导体连接质量的影响颇为严重。特别是铝表面极易生成一层坚硬而又绝缘的氧化铝薄膜，使铝导体的连接要比铜导体的连接麻烦不少，对工艺技术的要求也要高得多。造成发热的主要原因除机具、材料性能因素外，关键是工艺技术和责任心。二是导体损伤。交联聚乙烯电缆绝缘层强度较大，剥切困难，环切时施工人员用电工刀划切，有时干脆用钢锯环切，初学者往往掌握不好力度而使导体损伤。损伤虽然不很严重，但在线芯弯曲和压接蠕动时，会造成受伤处导体损伤加剧或断裂，压接完毕后难以发现，因截面积减小而引起发热严重。三是导体连接线芯不到位。导体连接时绝缘剥切长度要求比压接金具孔深增加5毫米，但因产品孔深不标准，造成剥切长度不够，或因压接时串位使导线端部形成空隙，仅靠连接金具壁导通，致使接触电阻增大，发热量增加。四是半导体屏蔽层连接不到位或连接工艺不正确。半导体屏蔽层在电缆运行中起着均衡电场的重要作用，使绝缘屏蔽层切断处的电场分布加以改善，电场强度分布相对均匀，避免电场集中，减少气隙局部放电，提高绝缘材料击穿强度的作用。许多施工人员不清楚其原理，在制作电缆接头时，先缠绕橡胶自粘带，后缠绕半导体带，使电缆接头半导体屏蔽层与电缆半导体屏蔽层未进行充分连接；或者电缆的半导体屏蔽层在剥切时剥开的长度不符合要求，使电缆接头的半导体屏蔽层与电缆的半导体屏蔽层连接面积不够。以上几种情况造成电场不均匀，尤其是压接管管口附近电场强度大，增加了电晕产生的可能性，致使局部电压过高，在大电流情况下长时间运行，就会破坏绝缘层造成短路或接地。五是电缆接头制作时进水或进潮气。许多施工人员为赶工期，不注意天气的情况，在下雨或环境湿度太大时给予施工，虽然下雨时采取了防雨措施，但电缆接头内依然会进许多潮气，天气变冷时便在内部形水珠，在电场的作用下，绝缘层就会产生水树枝老化现象，导致电缆接头击穿。有些虽然用砂纸打磨过内外壁，但不注意用嘴吹里面的杂物，人体气体到管内产生潮气。我们修试班在一次交联电缆试验中，发现该电缆绝缘电阻很低，后经询问制作电缆接头的过程中，天下小雨，考虑到用户费用等问题，最后建议重新做接头后试验合格。（2）压力不够。一是压接机具压力不够。压接机具生产厂家较多，管理混乱，没有统一的标准，特别是近年来生产的机械压钳，不仅压坑窄小，而且压接到位后上下压模不能吻合；还有一些厂家购买或生产国外类型压钳，由于执行的是国外标准，与国产导线标称截面不适应，压接质量难以保证。二是连接金具空隙大。现在交联聚乙烯电缆接头大多数单位使用的连接金具是非紧压型的压接管。虽然非紧压型的和紧压型的压接管有效截面积一样，但从压接实际比较，二者的压接效果相差甚大。由于交联聚乙烯电缆导体是紧绞的圆形线芯，与非紧压型的金具内径有较大的空隙，压接后达不到足够的压力，导致接触电阻增大。三是存在假冒伪劣产品。假冒伪劣金具不仅材质不纯，外观粗糙，压后易出现裂纹，而且规格不标准，有效截面积与正品相差很大，根本达不到压接质量要求，在正常情况下运行发热严重，负荷稍有波动必然发生故障。（3）散热不好。热缩绕包式接头存在散热难的缺点。现在各种接头的绝缘的绝缘材料耐热性较差，J-20橡胶自粘带正常工作温度不超过75℃，J～30也仅达90℃，热缩材料的使用条件为50℃～
100℃。当电缆在正常负荷运行时，接头内部温度可达100℃，当
电缆满负荷时，电缆芯线温度达到90℃，接头温度会达到
140℃左右，每当温度再升高时，接头处的氧化膜加厚，接触电阻随之增大，再通电一段时间后，接头的绝缘材料碳化为非绝缘物，导致故障发生。（4）截面不足。环境温度为25℃时，交联电缆与油纸电缆的允许载流量。
可见：用YJV22-3×50交联铜芯电缆可以替代ZQ2-3×120油纸铜芯电缆，且前者的允许载流量比后者还大3A；用YJLV22-3×50可以替代ZLQ2-3×120，即50mm2交联电缆与120m㎡油纸电缆的载流量基本相同，或者说50mm2交联电缆应用 120m㎡的金具连接才能正常运行。所以连接金具截面不足将是交联电缆接头发热严重的一个重要原因。
三、提高交联聚乙烯电缆接头质量的对策
（1）培训技术有素、工艺熟练、工作认真负责、能胜任电缆施工安装和运行维护的电缆技工。在剥除半导体时要特别小心，有经验的操作者在纵向下刀，确保绝缘层不受到损伤。（2）采用材质优良，规格、截面积符合要求，能安全可靠运行连接金具。连接管应选用紧压型的，因为这种连接管与线芯配合紧密，缝隙很小，压接后连接效果好。（3）必须选用技术先进、工艺成熟、质量可靠，能适应所使用的环境和条件的电缆附件。对假冒伪劣产品必须坚决抵制，对新技术、新工艺、新产品应重点试用，不断总结提高，逐步推广应用。（4）选用压接力大、模具吻合好、压坑面积足、压接效果能满足技术要求的压接机具。做好压接前的界面处理，并涂敷导电膏。
在平时的运行与维护中我们要提高施工人员对交联聚乙烯电缆接头的认识，增强对交联聚乙烯电缆附件特性的了解，研究技术，改进工艺，加强质量控制，保证电力系统安全运行。
参 考 文 献
半导体工艺技术范文第7篇
一、研究专题和期限
专题一、半导体照明系统集成与应用示范工程
研究目标：以重要交通枢纽、高架道路和隧桥、大型商务区和主要商业街道为示范区，推动半导体照明系统集成与规模化应用，实现公共照明节能降耗。
研究内容：示范工程总体设计与实施方案研究；灯光管理与系统控制技术研究；半导体照明通用照明产品开发；示范工程用特种灯具开发；半导体照明系统与规模化生产技术研究。
研究期限：年9月30日前完成
专题二、低成本高效率通用白光照明产品开发与应用
研究目标：突破半导体照明共性关键技术，研制性价比较优、效率达到80lm/W的功率型白光照明灯具，形成批量生产能力并在示范点上推广应用。
研究内容：结合产品定位和应用推广方案，开展灯具设计技术、ZnO电极技术、芯片高效封装技术、灯具的高效率低成本制造技术研究。
研究期限：2年9月30日前完成
专题三、半导体照明检测技术研究与服务
研究目标：研制半导体照明产品检测标准，建立半导体照明测试服务平台，为企业和研发机构提供样品测试、产品检测等公共服务。
研究内容：半导体照明脉冲驱动电路技术和芯片抗静电性能测试方法、标准及规范的研究；半导体通用照明系统的应用标准和规范研究；产品仿真展示技术和光学环境交互技术开发；半导体照明产品寿命与能效测评。
研究期限：年9月30日前完成
专题四、小功率陶瓷金卤灯（HID）制造技术与应用产品开发
研究目标：突破小功率陶瓷金卤灯（HID）的制造技术，包括材料技术、灯具配套技术，灯具及其配套镇流器形成批量生产能力，小功率HID灯进入室内照明领域和商业照明领域。
研究内容：10-150W陶瓷金卤灯透明陶瓷制造技术、陶瓷电弧管制造技术、配套电子镇流器制造技术、灯具生产示范线工艺与装备的研制等。
研究期限：2年9月30日前完成
专题五、OLED生产线集成与TFT-OLED产业化关键技术
研究目标：建立TFT－OLED中试平台，解决OLED低成本化和产业集成技术。自主设计和建设2.5代TFT-OLED示范生产线，形成年产10万片（玻璃尺寸为370mm×470mm）生产能力，7英寸以下中小尺寸产品进入市场。
研究内容：低成本OLED产品设计、规模化生产技术；OLED生产线集成技术与成套装备制造技术；配套材料、工艺技术开发；基于OLED的Si基TFT技术研究。
研究期限：2年9月30日前完成
二、申请方式
1、凡符合《*市科研计划课题制管理办法》要求的企事业单位均可以申请。申报单位要有较强的科研力量，具有实施项目所必需的研究开发设施及自有资金。要有健全的科研管理、知识产权管理、财务管理、资产管理和会计核算制度。
2、课题责任人和主要科研人员同期参与承担的863、973、国家科技攻关和*市重大、重点科研项目数不得超过三项。
3、鼓励以产学研联合方式申请。多家单位联合申请的课题，应在申请材料中明确各自承担的工作和职责，并附上合作协议或合同。
4、申报单位应从“*科技”网站进入“在线受理科研计划项目可行性方案”，并下载相关表格《*市科学技术委员会科研计划项目课题可行性方案》，按照要求认真填写，所有附件均需上传到网上。
5、本专项课题的申请起始日期*年6月19日，截止日期为*年7月18日。课题申报时需提交书面可行性方案及其附件一式4份，并通过“*科技”网站提交可行性方案和其他所有表格。书面可行性方案集中受理时间为*年7月14日至7月18日，每个工作日上午9：00—下午4：30。所有书面文件请采用A4纸双面印刷，普通纸质材料作为封面，不采用胶圈、文件夹等带有突出棱边的装订方式。
6、已申报今年市科委其它类别项目者应主动予以申明，未申明者按重复申报不予受理。
7、网上填报备注：
1）点击连接可进入《科研计划项目课题可行性方案》申报页面；
2）首次登录必须选择“初次填写”转入申报指南页面，点击"专题名称"开始申报；
3）有关操作可参阅在线帮助。
三、联系方式
半导体照明项目申报材料
为推动本市高效节能照明技术开发和产品应用，推动新型平板显示产业升级，围绕国家和*中长期科技发展规划纲要以及“*”科技发展规划，开展以应用为导向、以企业为主体的关键技术攻关，*市科学技术委员会特本指南。
一、研究专题和期限
专题一、半导体照明系统集成与应用示范工程
研究目标：以重要交通枢纽、高架道路和隧桥、大型商务区和主要商业街道为示范区，推动半导体照明系统集成与规模化应用，实现公共照明节能降耗。
研究内容：示范工程总体设计与实施方案研究；灯光管理与系统控制技术研究；半导体照明通用照明产品开发；示范工程用特种灯具开发；半导体照明系统与规模化生产技术研究。
研究期限：年9月30日前完成
专题二、低成本高效率通用白光照明产品开发与应用
研究目标：突破半导体照明共性关键技术，研制性价比较优、效率达到80lm/W的功率型白光照明灯具，形成批量生产能力并在示范点上推广应用。
研究内容：结合产品定位和应用推广方案，开展灯具设计技术、ZnO电极技术、芯片高效封装技术、灯具的高效率低成本制造技术研究。
研究期限：2年9月30日前完成
专题三、半导体照明检测技术研究与服务
研究目标：研制半导体照明产品检测标准，建立半导体照明测试服务平台，为企业和研发机构提供样品测试、产品检测等公共服务。
研究内容：半导体照明脉冲驱动电路技术和芯片抗静电性能测试方法、标准及规范的研究；半导体通用照明系统的应用标准和规范研究；产品仿真展示技术和光学环境交互技术开发；半导体照明产品寿命与能效测评。
研究期限：年9月30日前完成
专题四、小功率陶瓷金卤灯（HID）制造技术与应用产品开发
研究目标：突破小功率陶瓷金卤灯（HID）的制造技术，包括材料技术、灯具配套技术，灯具及其配套镇流器形成批量生产能力，小功率HID灯进入室内照明领域和商业照明领域。
研究内容：10-150W陶瓷金卤灯透明陶瓷制造技术、陶瓷电弧管制造技术、配套电子镇流器制造技术、灯具生产示范线工艺与装备的研制等。
研究期限：2年9月30日前完成
专题五、OLED生产线集成与TFT-OLED产业化关键技术
研究目标：建立TFT－OLED中试平台，解决OLED低成本化和产业集成技术。自主设计和建设2.5代TFT-OLED示范生产线，形成年产10万片（玻璃尺寸为370mm×470mm）生产能力，7英寸以下中小尺寸产品进入市场。
研究内容：低成本OLED产品设计、规模化生产技术；OLED生产线集成技术与成套装备制造技术；配套材料、工艺技术开发；基于OLED的Si基TFT技术研究。
研究期限：2年9月30日前完成
二、申请方式
1、凡符合《*市科研计划课题制管理办法》要求的企事业单位均可以申请。申报单位要有较强的科研力量，具有实施项目所必需的研究开发设施及自有资金。要有健全的科研管理、知识产权管理、财务管理、资产管理和会计核算制度。
2、课题责任人和主要科研人员同期参与承担的863、973、国家科技攻关和*市重大、重点科研项目数不得超过三项。
3、鼓励以产学研联合方式申请。多家单位联合申请的课题，应在申请材料中明确各自承担的工作和职责，并附上合作协议或合同。
4、申报单位应从“*科技”网站进入“在线受理科研计划项目可行性方案”，并下载相关表格《*市科学技术委员会科研计划项目课题可行性方案》，按照要求认真填写，所有附件均需上传到网上。
5、本专项课题的申请起始日期*年6月19日，截止日期为*年7月18日。课题申报时需提交书面可行性方案及其附件一式4份，并通过“*科技”网站提交可行性方案和其他所有表格。书面可行性方案集中受理时间为*年7月14日至7月18日，每个工作日上午9：00—下午4：30。所有书面文件请采用A4纸双面印刷，普通纸质材料作为封面，不采用胶圈、文件夹等带有突出棱边的装订方式。
6、已申报今年市科委其它类别项目者应主动予以申明，未申明者按重复申报不予受理。
7、网上填报备注：
1）点击连接可进入《科研计划项目课题可行性方案》申报页面；
2）首次登录必须选择“初次填写”转入申报指南页面，点击"专题名称"开始申报；
半导体工艺技术范文第8篇
[新闻回放]8月24日，深圳市纪念改革开放三十周年。十大产业项目之―――创维半导体设计中心隆重开工。该中心占地17025.5平方米。建筑面积85128平米；项目总投资91076万元人民币。设计内容涵盖：视频芯片的设计与验证、多媒体芯片的设计与验证、TV控制主芯片的设计与验证、T-corn时序控制芯片的设计与验证、伴音功率放大器芯片的设计与验证、视频处理芯片中集成DDR／SDRAM IP的设计与验证、LED光源新型材料的研究、LED外延片工艺技术研究、LED外延片专用生产设备国产化开发和研究、LED芯片的设计、LED背光模组的设计及中试、OLED显示技术研究等。
专业化和多元化，对任何一家企业来说，都是个重大课题。
“核心产业做大，相关产业做强，这个理念我们一直没变”，创维集团董事局主席兼CEO张学斌说，“比如机顶盒、液晶模组、3G数码产品和OLED封装，都是如此。”
在基于视音频专业化的多元化棋局上，创维的最新落子是半导体。
没办法，这一步必须要做。在中国ICT产业，坊间曾常年自嘲为“缺芯少魂没脸有量”――缺芯，半导体芯片；少魂，系统软件；没脸，显示面板；有量，终端销量。
于是，在扁平世界的全球化分工中，中国拥有巨大的终端消费能力，但由此上溯出的对半导体、面板等关键元器件的采购，却都花落别家。
“新的蓝海，就孕育其中，”张学斌对记者说，“中国的半导体消费量连续4年超过日本、北美、欧洲和世界其他地区。其中，随着数字化、高清化、网络化和功能化的技术重大升级，电视用半导体需求和应用复杂度正呈现爆发性增长。”
“目前，南同家主导对液晶显示面板进行重大专项投人，将在未来数年内有效解决‘没脸’的问题，”张学斌笑着说，“作为网内彩电骨干企业，创维投建半导体设计中心，要为改变‘缺芯少魂’做出自己的努力!”
张学斌分析，目前需求量最大的电视芯片包括视音频处理和半导体存储，加工制造已经形成清晰的代工机制，创维的重点将放在与应用紧密耦合的设计层面，这与彩电终端的产品定义、创新开发和生命周期密切相关。
“做终端的企业感触很深，市场需求的快速变化，以及对用户需求的创新性挖掘，在向上游半导体供应链传导时，往往发生延滞，”张学斌坦承，“比如，对于直接关乎显示效果的帧幅频率，选择什么样的倍频指标，才能达到最佳性价比?再如，基于理想三网融合环境的全业务、全功能终端当然好，但在网络环境、行业监管等外部条件尚未完善之时，就需要有对过渡产品的有效定义，最大限度的保护消费者投资。”
张学斌认为，“终端企业基于海量数据积累和应用把握，在产品定义上最有发言权。从被动接受半导体合作伙伴对关键器件的产品定义，到自主定义，将打造终端企业的核心竞争力!”
事实上，创维半导体设计中心的愿景要比服务企业自身运营宏大的多。