半导体材料发展前景
半导体材料发展前景范文第1篇
GaN、AlN、InN及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综合考虑衬底与外延膜的晶格匹配、衬底与外延膜的热膨胀系数匹配、衬底与外延膜的化学稳定性匹配、材料制备的难易程度及成本的高低的因素。InN的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的。自支撑同质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文稿介绍了氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发的部分内容。
氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景
GaN是直接带隙的材料，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级。因此，宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景；对环保，其还是很适合于环保的材料体系。
1994年，日本的Nicha公司在GaN/Al2O3上取得突破，1995年，GaN器件第一次实现商品化。1998年，GaN基发光二极管LED市场规模为US$5.0亿，2000年，市场规模扩大至US$13亿。据权威专家的预计，GaN基LED及其所用的Al2O3衬底在国际市场上的市场成长期将达到50年之久。GaN基LED及其所用的Al2O3衬底具有独特的优异物化性能，并且具有长久耐用性。预计，2005年GaN基器件的市场规模将扩大至US$30亿，GaN基器件所用的Al2O3衬底的市场规模将扩大至US$5亿。
半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段，其每个阶段均能形成富有特色的产业链：
（1）第一阶段
第一阶段（特种照明时代，2005年之前），其中有：仪器仪表指示；金色显示、室内外广告；交通灯、信号灯、标致灯、汽车灯；室内长明灯、吊顶灯、变色灯、草坪灯；城市景观美化的建筑轮廓灯、桥梁、高速公路、隧道导引路灯，等等。
（2）第二阶段
第二阶段（照明时代，2005~2010年），其中有：CD、DVD、H-DVD光存储；激光金色显示；娱乐、条型码、打印、图像记录；医用激光；开拓固定照明新领域，衍生出新的照明产业，为通用照明应用打下基础，等等。
（3）第三阶段
第三阶段（通用照明时代，2010年之后），包括以上二个阶段的应用，并且还全面进入通用照明市场，占有30~50%的市场份额。
到达目前为止（处于第一阶段，特种照明时代），已纷纷将中、低功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED等实现了量产，走向了商业市场。高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN等，将会引发新的、更加大的商机，例如，光存储、光通讯等。实现高功率蓝色发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和全波段InN-GaN实用化，并且达到其商品化，这需要合适的衬底材料。因此，GaN材料及器件发展，需要寻找到与GaN匹配的衬底材料，进一步提高外延膜的质量。
另外，就基础研究和中长期计划考虑，科技发展越来越需要把不同体系的材料结合到一起，即称之为异质结材料。应用协变衬底可以将晶格和热失配的缺陷局限在衬底上，并且为开辟新的材料体系打下基础。已提出了多种协变衬底的制备技术，例如，自支撑衬底、键合和扭曲键合、重位晶格过渡层，以及SOI和VTE衬底技术等。预计，在今后的10~20年中，大尺寸的、协变衬底的制备技术将获得突破，并且广泛应用于大失配异质结材料生长及其相联系的光电子器件制造。
世界各国现在又投入了大量的人力、财力和物力，并且以期望取得GaN基高功率器件的突破，居于此领域的制高点。
氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发
GaN、AlN、InN及其合金等材料，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价，要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是作为发展GaN基技术的重要目标。
一、评价衬底材料综合考虑因素
评价衬底材料要综合考虑以下的几个因素：
（1）衬底与外延膜的晶格匹配
衬底材料和外延膜晶格匹配很重要。晶格匹配包含二个内容：
·外延生长面内的晶格匹配，即在生长界面所在平面的某一方向上衬底与外延膜的匹配；
·沿衬底表面法线方向上的匹配。
（2）衬底与外延膜的热膨胀系数匹配
热膨胀系数的匹配也很重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏。
（3）衬底与外延膜的化学稳定性匹配
衬底材料需要有相当好的化学稳定性，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降。
（4）材料制备的难易程度及成本的高低
考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，而且其成本不宜很高。
二、InN的外延衬底材料的研究与开发
InN的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的，其中有：InN；α－Al2O3(0001)；6H-SiC；MgAl2O4(111)；LiAlO2和LiGaO2；MgO；Si；GaAs(111)等。
Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如，GaN、AlN、InN，这些材料都有二种结晶形式：一种是立方晶系的闪锌矿结构，而另一种是六方晶系的纤锌矿结构。以蓝光辐射为中心形成研究热点的是纤锌矿结构的氮化镓、氮化铝、氮化铟，而且主要是氮化镓、氮化铝、氮化铟的固溶体。这些材料的禁带是直接跃迁型，因而有很高的量子效率。用氮化镓、氮化铝、氮化铟这三种材料按不同组份和比例生成的固溶体，其禁带宽度可在2.2eV到6.2eV之间变化。这样，用这些固溶体制造发光器件，是光电集成材料和器件发展的方向。
（1）InN和GaN
因为异质外延氮化物薄膜通常带来大量的缺陷，缺陷损害了器件的性能。与GaN一样，如果能在InN上进行同质外延生长，可以大大减少缺陷，那么器件的性能就有巨大的飞跃。
自支撑同质外延GaN,AlN和AlGaN衬底是目前最有可能首先获得实际应用的衬底材料。
（2）蓝宝石(α-Al2O3)和6H-SiC
α-Al2O3单晶，即蓝宝石晶体。(0001)面蓝宝石是目前最常用的InN的外延衬底材料。其匹配方向为：InN(001)//α－Al2O3(001),InN[110]//α－Al2O3[100][11,12]。因为衬底表面在薄膜生长前的氮化中变为AlON,InN绕α－Al2O3(0001)衬底的六面形格子结构旋转30°，这样其失匹配度就比原来的29%稍有减少。虽然(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%，但是由于其六方对称，熔点为2050℃，最高工作温度可达1900℃，具有良好的高温稳定性和机械力学性能，加之对其研究较多，生产技术较为成熟，而且价格便宜，现在仍然是应用最为广泛的衬底材料。
6H-SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石。同蓝宝石相比，6H-SiC与InN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，6H-SiC具有蓝色发光特性，而且为低阻材料，可以制作电极，这就使器件在包装前对外延膜进行完全测试成为可能，因而增强了6H-SiC作为衬底材料的竞争力。又由于6H-SiC的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面，这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。
（3）镁铝尖晶石(MgAl2O4)
MgAl2O4晶体，即铝酸镁晶体。MgAl2O4晶体是高熔点(2130℃)、高硬度（莫氏8级）的晶体材料，属面心立方晶系，空间群为Fd3m,晶格常数为0.8085nm。MgAl2O4晶体是优良的传声介质材料，在微波段的声衰减低，用MgAl2O4晶体制作的微波延迟线插入损耗小。MgAl2O4晶体与Si的晶格匹配性能好，其膨胀系数也与Si相近，因而外延Si膜的形变扭曲小，制作的大规模超高速集成电路速度比用蓝宝石制作的速度要快。此外，国外又用MgAl2O4晶体作超导材料，有很好的效果。近年来，对MgAl2O4晶体用于GaN的外延衬底材料研究较多。由于MgAl2O4晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，(111)面MgAl2O4晶体与GaN晶格的失配率为9%，具有优良的热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，MgAl2O4晶体目前是GaN较为合适的衬底材料之一，已在MgAl2O4基片上成功地外延出高质量的GaN膜，并且已研制成功蓝光LED和LD。此外，MgAl2O4衬底最吸引人之处在于可以通过解理的方法获得激光腔面。
在前面的研究基础上，近来把MgAl2O4晶体用作InN的外延衬底材料的研究也陆续见之于文献报道。其之间的匹配方向为：InN(001)//MgAl2O4(111)，InN[110]//MgAl2O4[100]，InN绕MgAl2O4(111)衬底的四方、六方形格子结构旋转30°。研究表明(111)面MgAl2O4晶体与InN晶格的失配率为15%，晶格匹配性能要大大优于蓝宝石，(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%。而且，如果位于顶层氧原子层下面的镁原子占据有效的配位晶格位置，以及氧格位，那么这样可以有希望将晶格失配率进一步降低至7%，这个数字要远远低于蓝宝石。所以MgAl2O4晶体是很有发展潜力的InN的外延衬底材料。
（4）LiAlO2和LiGaO2
以往的研究是把LiAlO2和LiGaO2用作GaN的外延衬底材料。LiAlO2和LiGaO2与GaN的外延膜的失配度相当小，这使得LiAlO2和LiGaO2成为相当合适的GaN的外延衬底材料。同时LiGaO2作为GaN的外延衬底材料,还有其独到的优点：外延生长GaN后，LiGaO2衬底可以被腐蚀，剩下GaN外延膜，这将极大地方便了器件的制作。但是由于LiGaO2晶体中的锂离子很活泼，在普通的外延生长条件下（例如，MOCVD法的化学气氛和生长温度）不能稳定存在，故其单晶作为GaN的外延衬底材料还有待于进一步研究。而且在目前也很少把LiAlO2和LiGaO2用作InN的外延衬底材料。
（5）MgO
MgO晶体属立方晶系，是NaCl型结构，熔点为2800℃。因为MgO晶体在MOCVD气氛中不够稳定，所以对其使用少，特别是对于熔点和生长温度更高的InN薄膜。
（6）GaAs
GaAs(111)也是目前生长InN薄膜的衬底材料。衬底的氮化温度低于700℃时，生长InN薄膜的厚度小于0.05μm时，InN薄膜为立方结构，当生长InN薄膜的厚度超过0.2μm时，立方结构消失，全部转变为六方结构的InN薄膜。InN薄膜在GaAs(111)衬底上的核化方式与在α－Al2O3(001)衬底上的情况有非常大的差别，InN薄膜在GaAs(111)衬底上的核化方式没有在白宝石衬底上生长InN薄膜时出现的柱状、纤维状结构，表面上显现为非常平整。
（7）Si
单晶Si，是应用很广的半导体材料。以Si作为InN衬底材料是很引起注意的，因为有可能将InN基器件与Si器件集成。此外，Si技术在半导体工业中已相当的成熟。可以想象，如果在Si的衬底上能生长出器件质量的InN外延膜，这样则将大大简化InN基器件的制作工艺，减小器件的大小。
（8）ZrB2
半导体材料发展前景范文第2篇
我所分管的部门有发展中心、建筑二公司、采购中心、客天下深航国际大酒店。在这上半年以来，各公司、各部门工作进展情况相对顺利。
一、发展中心
发展中心上半年接到集团公司下达的50项重点工作计划共有12项，完成了8项，签证4项。[莲山~课件 ]
此外发展中心在工作任务中、压力大的情况下圆满完成了客天下一期规划调整方案，并着手准备江南东片地块概念深化方案，完成了《关于鸿艺集团市政综合管沟与各种管线施工的管理规定》、《鸿艺房地产开发有限公司水电安装工作流程备案表》、《客天下供电平面方案示意图》、《客天下1期综合管网规划图》讨论稿的编制。大大提高了工作效率、工程质量和管理水平。
（三）工程管理水平日益完善。上半年，在建房工程建筑面积达到43万平方米。客天下1期E区和帝景湾3期是公司迄今为止的两个外包施工项目。施工现场各项工序穿插复杂，所需的技术难度比较大，通过对施工现场的质量控制、安全管理、进度控制、成本控制和技术交底，保证了工程项目的进度和质量。
二、建筑二公司
（二）创造性的设立水电安装部。上半年来，集团公司针对集团的水电业务展开了多次讨论，为解决公司长期以来水电方面管理杂乱、质量参差不齐、工程通病时有发生、工程成本费用居高不下的状况，集团公司创造性地组建了一批具有扎实水电技术的水电安装部，建立了比较完善的水电班组管理制度，其中在客天下儿童乐园海底世界、客家小镇工程中发挥了显著的效果，既保障了工程质量，又为公司大大节约了工程成本。
（三）景区绿化工程科学规范。做到保护与开发、保护与发展并举。不断开发新的景观，丰富景点内涵，提升景区品位，打造景区新形象。制定景区绿化标准、引进先进施工设备，大大提高了景区绿化工作的质量和效率。加强绿化班组的素质教育、完善内部管理机制，通过突击检查和相互监督，把景区绿化工作纳入日常的管理规范当中。其中在休闲路、樟树窝搭建的长达约5公里的“农业景观走廊”，是游客回归自然、体验田园生活的重要基地。此外为绿化班组订做特色制服，授唱山歌，创作山歌，大大的提高了绿化工人的工作氛围，成为景区内新颖别致的一道风景线。
三、采购中心
（一）采购材料供应力争及时到位。为迎接各级领导的莅临检查，采购中心各自工作职责分工明确、责任到人，重抓时间节点，把工程需求材料及时供应到位，保障了生产者用料需求。做到采购材料提前沟通准备，采购材料进出登记存档，现场材料专人管理、工程材料统一调配，竣工剩余用料统一入库规范管理。近半年来，采购材料主要有建筑一公司所需的工程材料供应，建筑二公司所需的装饰材料供应，客家小镇客家特色服饰、特产、特色工艺品的供应，叠院2期、客天下E区、帝景湾园建绿化、敞厅电梯厅装贴材料，客天下高尔夫设备设施，旅游路苗木材料，采购完成率达到100%。
（二）采购工作日趋完善。组织实施“阳光采购策略”。公开透明的按采购制度程序办事，在采购前、采购中、采购后的各个环节中主动接受审计及其他部门监督。不论是大宗材料、设备，还是小型材料的零星采购，都通过审批审核后才采购，确保工作的透明，同时保证了工程进度。统筹集团公司大宗材料，分析行情走势，采购人员在充分了解市场信息的基础上进行咨询比价，注重沟通技巧和谈判策略，为公司节约创效。客天下迁移中心配电房电器安装工程，经采购人员与供应商倾力协商，为公司节约了14万元。严格把关用料计划单，对用料不合理的、方案不合理的或可替代产品的，及时与用料部门沟通，在保障质量前提下，作出改变用料方案建议；进一步健全“从用料计划——采购计划——订单——验货——结算”系统管理流程，特别是外采供应商预付款和对帐管理，要求先把货物核对，要求对帐，真正做到日清月结，并要求采购中心会计紧抓帐务管理，改变以往到年底才追收核对工作的做法；健全系统采购合同管理，印刷成标准“采购合同版本”，避免合同不健全造成不必要的损失；健全供应商信息收集及整理，与供应商保持长期的合作关系。
（三）仓库管理水平有所提高。不断要求仓库人员提升业务素质，并严格遵循规范严谨的收发材料制度，加强成本管理意识，积极主动清理积压、呆滞商品，并和相关部门沟通，尽量利用库存商品。全面规范仓库管理，规范材料核算，严格控制材料库存，合理储备，尽力减少积压，积极做好申购前先查库，充分利用库存或新旧材料。经过查库，及时申报采购，严格执行领用手续，做到物卡相符、物料明朗清晰、出入库单据准确、签证及时。
（四）材料现场管理意识逐渐增强。不断改进材料现场的管理方法。专人组织、专项调备、统一指挥，哪里有问题，哪里有材料员，保障了现场材料供应和调备，特别是对主体支模的供应与回收，做到边回收边堆放，保持了工地的整洁，减少了浪费现象，而且做到废品回收处理，增加经济收入。全年统计，废料回收2.5万元，利用库存积压2.9万元，固定资产回收9.0万元。
四、客天下深航国际大酒店
（一）服务接待水平稳步提升。上半年来，主要完成了农历清明节、端午节、五一节长假的高峰期入住；酒店创五星国检终评；客天下五周年庆典纪念活动；全国婚庆文化高峰论坛；梅州自驾游活动周；汪洋书记和黄华华省长等省领导一行；梅州迎创卫国检终评；宋祖英拍摄客天下MV；海峡两岸高峰论坛等大型接待工作。在每次重要接待中，各员工放弃休假，日夜加班，认真履行了自己的职责，展现了酒店员工美丽的一面，为酒店赢得荣誉做出了应有的贡献，受到了各级领导和广大群众的好评，各项服务接待水平都得到稳步提升。
（二）策划、宣传效果显著。策划方面，按照2011年度工作的目标，调整和优化酒店客源结构，加大对政府单位和旅行社的拓展力度。与政府部门形成了有效地“拜访——沟通——反馈”机制。在旅行社市场秉着抓大不放小的思路，通过对重点旅行社签订年度合作协议，使重点旅行社在酒店的客房量得到大幅度的提升。加强对散客、会议团队及节假日的推广力度，巩固了周边市场的客源。宣传方面，印刷酒店旅行社产品宣传单，加大对潮汕地区和珠三角旅行市场的拓展力度，在5-6月份期间，酒店明显增加佛山、东莞、潮汕地区合作旅行社的订房量。在网络订房渠道的拓展上，酒店非但重视外部网络渠道的完善，也重视内部官网的推广拓展，在年初就已推出在酒店官方网站上预订高级客房可享受特价的推广活动，在积极推广酒店网站的同时为酒店订房带来一定房量，起到较好的效果。借助集团统筹资源的优势，在梅州电视台定期播放酒店宣传片，并通过短信发布等方式，极大程度提高了酒店在本地客户群中的曝光度。另外，还通过邮寄贺卡、印制宣传单页、定制DVD宣传片采用DM广告模式等方式，使酒店信息更直接、快捷且更具针对性的传递到客户端，起到较好效果，使酒店知名度和美誉度得到更好的提升。
（三）酒店管理水平更科学规范。规范各岗位的服务用语，提高客服质量。严格执行《三级查房制度》，确保客房出售质量。加强酒店的成本控制，开源节流，降本增效，上半年完成了1号楼半山水箱市政水直接供水工程、宿舍楼市政水直接供水工程、大堂外水晶系统改造等工程，大大降低了酒店的运营成本。加强团队建设，及时了解员工的思想动态，定期对员工进行培训，特别是航空礼仪的培训，停驻3秒问候礼培训，提高员工的服务技能和服务质量，得到客人的充分肯定和表扬。及时回笼资金以保障酒店现金回流，与当地税务部门建立良好关系，了解税务新动态。与中餐承租方和水疗会所承租方确认各项费用，使双方往来款项更为明确清晰。为解决客家小镇开业人手不足现象，提前加大人事招聘力度。规范绩效考核、考勤、监督制度，将酒店各项工作纳入规范管理体制当中。
（四）客官天下风味餐厅开业令人期待。客官天下，从筹备阶段到正式试业，历时三个多月的时间，是我们公司传播客家文化、打造客家小镇知名品牌的重点工程。从建筑风格和整体布置出发，结合我们客家人情揽天下客的博爱情怀，彰显出了一种气势恢宏、手笔大气的姿态。在日常工作中将重点推出客家风味餐厅的特色，包括出品特色、环境特色、服务特色等，以充分展现浓郁的客家历史风情。
各位领导、各位同事，总结这半年的日日夜夜，我们度过了很多难忘的时刻，完成了很多难以企及的壮举，这些都离不开领导的关心和同事们的努力奋斗，借此机会，我真诚地向在座的各位领导和同事们道一声：“谢谢，感谢你们辛勤的付出和莫大的支持。”
但是，在肯定自身成绩的同时我们也要意识到自身的不足。比如：工程进度缓慢、现场管理水平较低、设计方案决策不及时、人员技术水平与管理水平严重失调等。古人云：人无远虑，必有近忧。在公司的发展需求和员工日益增长的物质文化需求的双重考验下，我们更应该在前进的步伐中审时度势，规范管理。
2011年下半年的工作思路
各位领导，各位同事，“规范管理年”目的就是在日常的管理中，以“规范”先行，用实践去检验我们每一项工作是否得当。我们如同山区林木中飞翔的一只小鸟，正在积极探索一条走出丛林，迈向大观园的道路。以科学的管理思想，在探索的道路上创新。各部门应加强现场管理水平，提高管理队伍的整体素质，善于思考，善于发现问题，善于联系实际，善于积极主动解决问题，努力寻找一条“规范管理水平促进工程建设，工程建设优化规范管理水平”的道路。在接下来的下半年中，我将带领我的团队在探索的道路上继续发扬我们广东鸿艺集团“永远走在时间前面”的精神，为公司作出更大的贡献。
一、确保安全的基础上，加快工程进度，扭转前期工程进度缓慢的局面，全面完成集团50项重点工作任务。
（一）发展中心：要尽快完成客天下B区1期展示区、国际旅游文化街区1期、客天下I区楼王别墅、帝景湾3期展示区园建图纸的到位。调整和完善客天下1期四个项目的规划许可证。完成客家小镇防洪工程安全鉴定和设计以及瀑布排洪工程设计、客天下E区3期客之门的相关设计。继续深化东片地块概念方案以及完成该地块模型和客博园模型的制作。完善客天下B区、I区、帝景湾3期设计变更事宜。
（二）建筑二公司：工作重点转向客家小镇的收尾完善工程、婚礼公园的装饰园建工程、客天下B区、I区、叠院的装饰装修园建绿化工程、各样板房的施工及相关工程的完善。其中客家小镇的收尾完善工程标志着整个客天下园区旅游投资的最后完善，应逐渐将主要生产力量投放到集团的地产项目中；客天下B区、I区、叠院、帝景湾的相关样板房及周边园建绿化，将关系着集团公司的地产命脉，确保集团公司的持续发展。
（三）采购中心：配合各部门、各公司完成B区、I区和帝景湾3期、客家小镇、绿野仙踪、小镇客房、婚礼公园、帝景湾、叠院、客天下E区敞厅、电梯厅、客天下俱乐部各项材料的供应。进一步规范采购的程序，降低采购成本，加强现场材料的管理水平，提高材料的利用效率。
（四）客天下深航国际大酒店：加强销售推广力度，实现全年营业部门扭亏为盈，制定科学有效的方案，利用暑假黄金时间，推出暑假套票，吸引更多的外来游客，进一步扩大客天下深航国际大酒店的品牌。进一步加强酒店服务、礼仪、英文口语等技能培训，提升酒店的服务质量。通过制定全面的旅游推广方案，全面推进客家小镇、绿野仙踪、山寨部落的开业活动。
二、以现场科学管理为主线，加强工程质量、工程进度、工程成本三大目标的控制，打造客天下下一个标榜工程。
由于公司的高速发展，前期的“重技术、轻管理”的现象造成了工程管理某些环节上难以统筹，难以达到事半功倍的效果。加强技术人员的培训，弥补现场管理水平的缺陷是现阶段迫切需要解决的问题。各级管理人员要深入现场，把施工现场当做是提升自身管理水平的大课堂。成立工程项目部，建立合理组织架构，选定合格管理人员和优秀班组，制定相关管理制度。项目部应加强施工现场的统筹计划能力、监管执法能力、材料供应能力，做到人人有事做，事事有人管。制定项目进度计划表，狠抓时间节点，结合工程实际情况优化施工进度，既要保证工程质量，又要保证工程效用，真正做到“项目化管理，计划化推进”。计划拟定客天下婚礼广场、客天下I区作为科学管理的标榜工程，希望项目部能够将科学管理主线很好的贯穿到实际当中。
三、集中精力，更新设计方案和完善细化图纸，整体部署，以崭新的面貌投身到下半年十大重点工作。
（一）进一步统筹客家小镇的整体工作。以营销的视角，深化客家小镇1期的收尾工程和山寨部落、绿野仙踪的设计效果，使工程效果更具实际性、前沿性。
（二）把婚礼公园作为标榜工程，科学统筹工程节点，解决施工难点和效果把握难题，各个击破，打造更有国际化的婚庆产业。
（三）把客天下I区作为提升别墅样板房效果和施工水平、强化房地产项目质量的试验园，以进一步优化园建设计和施工方案。
（四）进一步优化图纸会审和方案设计，把客天下B区作为成本控制、节约创效的考核项目。
（五）组织人员，针对东莞项目的重点难点，做好前期设计和承包办法的准备工作。
（六）全力以赴抢建帝景湾三期工程，确保在9月30日完成39号和40号塔楼的三层楼面，力争完成四层楼面，为下一步施工打下坚实的基础。
（七）力争8月15日完成国际会议中心的施工图设计。
（八）力争10月30日全面完成客天下健身俱乐部的整体工作。
（九）做好江南东片地块的初步设计规划方案，为下来工作打下基础。
半导体材料发展前景范文第3篇
关键词 半导体 材料 量子线 量子点 材料 光子晶体
1半导体材料的战略地位
上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了 电子 工业 革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和gaas激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息 时代 。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米 科学 技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地 影响 着世界的 政治 、 经济 格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。
2几种主要半导体材料的发展现状与趋势
2.1硅材料
从提高硅集成电路成品率，降低成本看，增大直拉硅（cz－si）单晶的直径和减小微缺陷的密度仍是今后cz－si发展的总趋势。目前直径为8英寸（200mm）的si单晶已实现大规模工业生产，基于直径为12英寸（300mm）硅片的集成电路（ic‘s）技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前300mm，0.18μm工艺的硅ulsi生产线已经投入生产，300mm，0.13μm工艺生产线也将在2003年完成评估。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片已在实验室研制成功，直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。
从进一步提高硅ic‘s的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。另外，soi材料，包括智能剥离（smart cut）和simox材料等也发展很快。目前，直径8英寸的硅外延片和soi材料已研制成功，更大尺寸的片材也在开发中。
理论 分析 指出30nm左右将是硅mos集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制 问题 ，更重要的是将受硅、sio2自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高k介电绝缘材料（如用si3n4等来替代sio2），低k介电互连材料，用cu代替al引线以及采用系统集成芯片技术等来提高ulsi的集成度、运算速度和功能，但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此，人们除寻求基于全新原理的量子 计算 和dna生物计算等之外，还把目光放在以gaas、inp为基的化合物半导体材料，特别是二维超晶格、量子阱，一维量子线与零维量子点材料和可与硅平面工艺兼容gesi合金材料等，这也是目前半导体材料研发的重点。
2.2 gaas和inp单晶材料
gaas和inp与硅不同，它们都是直接带隙材料，具有电子饱和漂移速度高，耐高温，抗辐照等特点；在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
目前，世界gaas单晶的总年产量已超过200吨，其中以低位错密度的垂直梯度凝固法（vgf）和水平（hb） 方法 生长的2－3英寸的导电gaas衬底材料为主；近年来，为满足高速移动通信的迫切需求，大直径（4，6和8英寸）的si－gaas发展很快。美国莫托罗拉公司正在筹建6英寸的si－gaas集成电路生产线。inp具有比gaas更优越的高频性能，发展的速度更快，但研制直径3英寸以上大直径的inp单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。
gaas和inp单晶的发展趋势是：
（1）。增大晶体直径，目前4英寸的si－gaas已用于生产，预计本世纪初的头几年直径为6英寸的si－gaas也将投入工业应用。
（2）。提高材料的电学和光学微区均匀性。
（3）。降低单晶的缺陷密度，特别是位错。
（4）。gaas和inp单晶的vgf生长技术发展很快，很有可能成为主流技术。
2.3半导体超晶格、量子阱材料
半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术（mbe，mocvd）的新一代人工构造材料。它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想，出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴，是新一代固态量子器件的基础材料。
（1）ⅲ－v族超晶格、量子阱材料。
gaaias／gaas，gainas／gaas，aigainp／gaas；galnas／inp，alinas／inp，ingaasp／inp等gaas、inp基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟，已成功地用来制造超高速，超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管（hemt），赝配高电子迁移率晶体管（p－hemt）器件最好水平已达fmax=600ghz，输出功率58mw，功率增益6.4db；双异质结双极晶体管（hbt）的最高频率fmax也已高达500ghz，hemt逻辑电路研制也发展很快。基于上述材料体系的光通信用1.3μm和1.5μm的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化；表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前，研制高质量的1.5μm分布反馈（dfb）激光器和电吸收（ea）调制器单片集成inp基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键，在实验室西门子公司已完成了80×40gbps传输40km的实验。另外，用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。
虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件，但由于其有源区极薄（～0.01μm）端面光电灾变损伤，大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。我国早在1999年，就研制成功980nm ingaas带间量子级联激光器，输出功率达5w以上；2000年初，法国汤姆逊公司又报道了单个激光器准连续输出功率超过10瓦好结果。最近，我国的科研工作者又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器 研究 ，这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器，在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。
为克服pn结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制，1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器，突破了半导体能隙对波长的限制。自从1994年ingaas／inaias／inp量子级联激光器（qcls）发明以来，bell实验室等的科学家，在过去的7年多的时间里，qcls在向大功率、高温和单膜工作等研究方面取得了显着的进展。2001年瑞士neuchatel大学的科学家采用双声子共振和三量子阱有源区结构使波长为9.1μm的qcls的工作温度高达312k，连续输出功率3mw.量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到远红外波段（3－87μm），并在光通信、超高分辨光谱、超高灵敏气体传感器、高速调制器和无线光学连接等方面显示出重要的应用前景。中科院上海微系统和信息技术研究所于1999年研制成功120k 5μm和250k 8μm的量子级联激光器；中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7μm室温准连续应变补偿量子级联激光器，使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。
目前，ⅲ－v族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向，正从直径3英寸向4英寸过渡；生产型的mbe和m0cvd设备已研制成功并投入使用，每台年生产能力可高达3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸。英国卡迪夫的mocvd中心，法国的picogiga mbe基地，美国的qed公司，motorola公司，日本的富士通，ntt，索尼等都有这种外延材料出售。生产型mbe和mocvd设备的成熟与应用，必然促进衬底材料设备和材料评价技术的发展。
（2）硅基应变异质结构材料。
硅基光、电器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙，如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。虽经多年研究，但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料（纳米si／sio2），硅基sigec体系的si1－ycy/si1－xgex低维结构，ge／si量子点和量子点超晶格材料，si／sic量子点材料，gan／bp／si以及gan／si材料。最近，在gan／si上成功地研制出led发光器件和有关纳米硅的受激放大现象的报道，使人们看到了一线希望。
另一方面，gesi／si应变层超晶格材料，因其在新一代移动通信上的重要应用前景，而成为目前硅基材料研究的主流。si/gesi modfet和mosfet的最高截止频率已达200ghz，hbt最高振荡频率为160ghz，噪音在10ghz下为0.9db，其性能可与gaas器件相媲美。
尽管gaas／si和inp／si是实现光电子集成理想的材料体系，但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效，防碍着它的使用化。最近，motolora等公司宣称，他们在12英寸的硅衬底上，用钛酸锶作协变层（柔性层），成功的生长了器件级的gaas外延薄膜，取得了突破性的进展。
2.4一维量子线、零维量子点半导体微结构材料
基于量子尺寸效应、量子干涉效应，量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造（通过能带工程实施）的新型半导体材料，是新一代微电子、光电子器件和电路的基础。它的发展与应用，极有可能触发新的技术革命。
目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上，如gaalas／gaas，in（ga）as／gaas，ingaas／inalas／gaas，ingaas／inp，in（ga）as／inalas／inp，ingaasp／inalas／inp以及gesi／si等，并在纳米微电子和光电子研制方面取得了重大进展。俄罗斯约飞技术物理所mbe小组，柏林的俄德联合研制小组和中科院半导体所半导体材料科学重点实验室的mbe小组等研制成功的in（ga）as／gaas高功率量子点激光器，工作波长lμm左右，单管室温连续输出功率高达3.6～4w.特别应当指出的是我国上述的mbe小组，2001年通过在高功率量子点激光器的有源区材料结构中引入应力缓解层，抑制了缺陷和位错的产生，提高了量子点激光器的工作寿命，室温下连续输出功率为1w时工作寿命超过5000小时，这是大功率激光器的一个关键参数，至今未见国外报道。
在单 电子 晶体管和单电子存贮器及其电路的研制方面也获得了重大进展，1994年日本ntt就研制成功沟道长度为30nm纳米单电子晶体管，并在150k观察到栅控源－漏电流振荡；1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件，1998年yauo等人采用0.25微米工艺技术实现了128mb的单电子存贮器原型样机的制造，这是在单电子器件在高密度存贮电路的 应用 方面迈出的关键一步。 目前 ，基于量子点的自适应 网络 计算 机，单光子源和应用于量子计算的量子比特的构建等方面的 研究 也正在进行中。
与半导体超晶格和量子点结构的生长制备相比，高度有序的半导体量子线的制备技术难度较大。中科院半导体所半导体材料 科学 重点实验室的mbe小组，在继利用mbe技术和sk生长模式，成功地制备了高空间有序的inas／inai（ga）as／inp的量子线和量子线超晶格结构的基础上，对inas／inalas量子线超晶格的空间自对准（垂直或斜对准）的物理起因和生长控制进行了研究，取得了较大进展。
王中林教授领导的乔治亚理工大学的材料科学与工程系和化学与生物化学系的研究小组，基于无催化剂、控制生长条件的氧化物粉末的热蒸发技术，成功地合成了诸如zno、sno2、in2o3和ga2o3等一系列半导体氧化物纳米带，它们与具有圆柱对称截面的中空纳米管或纳米线不同，这些原生的纳米带呈现出高纯、结构均匀和单晶体，几乎无缺陷和位错；纳米线呈矩形截面，典型的宽度为20－300nm，宽厚比为5－10，长度可达数毫米。这种半导体氧化物纳米带是一个理想的材料体系，可以用来研究载流子维度受限的输运现象和基于它的功能器件制造。香港城市大学李述汤教授和瑞典隆德大学固体物理系纳米中心的lars samuelson教授领导的小组，分别在sio2／si和inas／inp半导体量子线超晶格结构的生长制各方面也取得了重要进展。
低维半导体结构制备的 方法 很多，主要有：微结构材料生长和精细加工工艺相结合的方法，应变自组装量子线、量子点材料生长技术，图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术，单原子操纵和加工技术，纳米结构的辐照制备技术，及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术等。目前 发展 的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和纳米结构的应变自组装可控生长技术，以求获得大小、形状均匀、密度可控的无缺陷纳米结构。
2.5宽带隙半导体材料
宽带隙半导体材主要指的是金刚石，iii族氮化物，碳化硅，立方氮化硼以及氧化物（zno等）及固溶体等，特别是sic、gan和金刚石薄膜等材料，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外，iii族氮化物也是很好的光电子材料，在蓝、绿光发光二极管（led）和紫、蓝、绿光激光器（ld）以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。随着1993年gan材料的p型掺杂突破，gan基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。目前，gan基蓝绿光发光二极管己商品化，gan基ld也有商品出售，最大输出功率为0.5w.在微电子器件研制方面，gan基fet的最高工作频率（fmax）已达140ghz，ft=67 ghz，跨导为260ms／mm；hemt器件也相继问世，发展很快。此外，256×256 gan基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是，日本sumitomo电子 工业 有限公司2000年宣称，他们采用热力学方法已研制成功2英寸gan单晶材料，这将有力的推动蓝光激光器和gan基电子器件的发展。另外，近年来具有反常带隙弯曲的窄禁带inasn，ingaasn，ganp和ganasp材料的研制也受到了重视，这是因为它们在长波长光通信用高t0光源和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。
以cree公司为代表的体sic单晶的研制已取得突破性进展，2英寸的4h和6h sic单晶与外延片，以及3英寸的4h sic单晶己有商品出售；以sic为gan基材料衬低的蓝绿光led业已上市，并参于与以蓝宝石为衬低的gan基发光器件的竟争。其他sic相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要 问题 是材料中的缺陷密度高，且价格昂贵。
ii－vi族兰绿光材料研制在徘徊了近30年后，于1990年美国3m公司成功地解决了ii－vi族的p型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3m公司利用mbe技术率先宣布了电注入（zn，cd）se／znse兰光激光器在77k（495nm）脉冲输出功率100mw的消息，开始了ii－vi族兰绿光半导体激光（材料）器件研制的高潮。经过多年的努力，目前znse基ii－vi族兰绿光激光器的寿命虽已超过1000小时，但离使用差距尚大，加之gan基材料的迅速发展和应用，使ii－vi族兰绿光材料研制步伐有所变缓。提高有源区材料的完整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷密度和进一步降低失配位错和解决欧姆接触等问题，仍是该材料体系走向实用化前必须要解决的问题。
宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系，如gan／蓝宝石（sapphire），sic／si和gan／si等。大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生，极大地 影响 着微结构材料的光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。这个问题的解泱，必将大大地拓宽材料的可选择余地，开辟新的应用领域。
目前，除sic单晶衬低材料，gan基蓝光led材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料发展的关键问题，如gan衬底，zno单晶簿膜制备，p型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生长与n型掺杂，ii－vi族材料的退化机理等仍是制约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了大量的研究，至今尚未取得重大突破。
3光子晶体
光子晶体是一种人工微结构材料，介电常数周期的被调制在与工作波长相比拟的尺度，来自结构单元的散射波的多重干涉形成一个光子带隙，与半导体材料的电子能隙相似，并可用类似于固态晶体中的能带论来描述三维周期介电结构中光波的传播，相应光子晶体光带隙（禁带）能量的光波模式在其中的传播是被禁止的。如果光子晶体的周期性被破坏，那么在禁带中也会引入所谓的“施主”和“受主”模，光子态密度随光子晶体维度降低而量子化。如三维受限的“受主”掺杂的光子晶体有希望制成非常高q值的单模微腔，从而为研制高质量微腔激光器开辟新的途径。光子晶体的制备方法主要有：聚焦离子束（fib）结合脉冲激光蒸发方法，即先用脉冲激光蒸发制备如ag/mno多层膜，再用fib注入隔离形成一维或二维平面阵列光子晶体；基于功能粒子（磁性纳米颗粒fe2o3，发光纳米颗粒cds和介电纳米颗粒tio2）和共轭高分子的自组装方法，可形成适用于可光范围的三维纳米颗粒光子晶体；二维多空硅也可制作成一个理想的3－5μm和1.5μm光子带隙材料等。目前，二维光子晶体制造已取得很大进展，但三维光子晶体的研究，仍是一个具有挑战性的课题。最近，campbell等人提出了全息光栅光刻的方法来制造三维光子晶体，取得了进展。
4量子比特构建与材料
随着微电子技术的发展，计算机芯片集成度不断增高，器件尺寸越来越小（nm尺度）并最终将受到器件工作原理和工艺技术限制，而无法满足人类对更大信息量的需求。为此，发展基于全新原理和结构的功能强大的计算机是21世纪人类面临的巨大挑战之一。1994年shor基于量子态叠加性提出的量子并行算法并证明可轻而易举地破译目前广泛使用的公开密钥rivest，shamir和adlman（rsa）体系，引起了人们的广泛重视。
所谓量子计算机是应用量子力学原理进行计的装置， 理论 上讲它比传统计算机有更快的运算速度，更大信息传递量和更高信息安全保障，有可能超越目前计算机理想极限。实现量子比特构造和量子计算机的设想方案很多，其中最引人注目的是kane最近提出的一个实现大规模量子计算的方案。其核心是利用硅纳米电子器件中磷施主核自旋进行信息编码，通过外加电场控制核自旋间相互作用实现其逻辑运算，自旋测量是由自旋极化电子电流来完成，计算机要工作在mk的低温下。
这种量子计算机的最终实现依赖于与硅平面工艺兼容的硅纳米电子技术的发展。除此之外，为了避免杂质对磷核自旋的干扰，必需使用高纯（无杂质）和不存在核自旋不等于零的硅同位素（29si）的硅单晶；减小sio2绝缘层的无序涨落以及如何在硅里掺入规则的磷原子阵列等是实现量子计算的关键。量子态在传输，处理和存储过程中可能因环境的耦合（干扰），而从量子叠加态演化成经典的混合态，即所谓失去相干，特别是在大规模计算中能否始终保持量子态间的相干是量子计算机走向实用化前所必需克服的难题。
5发展我国半导体材料的几点建议
鉴于我国目前的工业基础，国力和半导体材料的发展水平，提出以下发展建议供 参考 。
5.1硅单晶和外延材料硅材料作为微电子技术的主导地位
至少到本世纪中叶都不会改变，至今国内各大集成电路制造厂家所需的硅片基本上是依赖进口。目前国内虽已可拉制8英寸的硅单晶和小批量生产6英寸的硅外延片，然而都未形成稳定的批量生产能力，更谈不上规模生产。建议国家集中人力和财力，首先开展8英寸硅单晶实用化和6英寸硅外延片研究开发，在“十五”的后期，争取做到8英寸集成电路生产线用硅单晶材料的国产化，并有6～8英寸硅片的批量供片能力。到2010年左右，我国应有8～12英寸硅单晶、片材和8英寸硅外延片的规模生产能力；更大直径的硅单晶、片材和外延片也应及时布点研制。另外，硅多晶材料生产基地及其相配套的高纯石英、气体和化学试剂等也必需同时给以重视，只有这样，才能逐步改观我国微电子技术的落后局面，进入世界发达国家之林。
5.2 gaas及其有关化合物半导体单晶材料发展建议
gaas、inp等单晶材料同国外的差距主要表现在拉晶和晶片加工设备落后，没有形成生产能力。相信在国家各部委的统一组织、领导下，并争取 企业 介入，建立我国自己的研究、开发和生产联合体，取各家之长，分工协作，到2010年赶上世界先进水平是可能的。要达到上述目的，到“十五”末应形成以4英寸单晶为主2－3吨／年的si－gaas和3－5吨／年掺杂gaas、inp单晶和开盒就用晶片的生产能力，以满足我国不断发展的微电子和光电子工业的需术。到2010年，应当实现4英寸gaas生产线的国产化，并具有满足6英寸线的供片能力。
5.3发展超晶格、量子阱和一维、零维半导体微结构材料的建议
（1）超晶格、量子阱材料从目前我国国力和我们已有的基础出发，应以三基色（超高亮度红、绿和蓝光）材料和光通信材料为主攻方向，并兼顾新一代微电子器件和电路的需求，加强mbe和mocvd两个基地的建设，引进必要的适合批量生产的工业型mbe和mocvd设备并着重致力于gaalas／gaas，ingaalp／ingap， gan基蓝绿光材料，ingaas／inp和ingaasp／inp等材料体系的实用化研究是当务之急，争取在“十五”末，能满足国内2、3和4英寸gaas生产线所需要的异质结材料。到2010年，每年能具备至少100万平方英寸mbe和mocvd微电子和光电子微结构材料的生产能力。达到本世纪初的国际水平。
宽带隙高温半导体材料如sic，gan基微电子材料和单晶金刚石薄膜以及zno等材料也应择优布点，分别做好研究与开发工作。
（2）一维和零维半导体材料的发展设想。基于低维半导体微结构材料的固态纳米量子器件，目前虽然仍处在预研阶段，但极其重要，极有可能触发微电子、光电子技术新的革命。低维量子器件的制造依赖于低维结构材料生长和纳米加工技术的进步，而纳米结构材料的质量又很大程度上取决于生长和制备技术的水平。因而，集中人力、物力建设我国自己的纳米科学与技术研究发展中心就成为了成败的关键。具体目标是，“十五”末，在半导体量子线、量子点材料制备，量子器件研制和系统集成等若干个重要研究方向接近当时的国际先进水平；2010年在有实用化前景的量子点激光器，量子共振隧穿器件和单电子器件及其集成等研发方面，达到国际先进水平，并在国际该领域占有一席之地。可以预料，它的实施必将极大地增强我国的 经济 和国防实力。
半导体材料发展前景范文第4篇
在大家的不懈努力下，有机半导体技术和材料都取得了很大的发展，这个学科集合了材料学、物理和化学等等很多学科，是一个交叉学科，半导体技术正在不断发展，将来还会以更快的速度发展。一些专家认为，有机半导体材料开发出的各种器件正在改变未来高科技的发展。
1 有机太阳电池
传统的太阳电池是化合物薄膜太阳电池，而新型的太阳电池要采用新型的技术，有机太阳电池将作为一种新型产物摆在大家的面前，有机太阳电池的生产流程很简单，而且可以通过讲解来减少对环境的污染，由于这些优点符合当代社会的需要，所以有机太阳电池越来越受到大家的关注。如此廉价的太阳电池会让世界的能源发生巨大的改变。有机太阳电池比传统的电池更薄，重量更轻，受光面积在不断增加，所以可以大大提高光电的使用效率，在电脑等小型设备当中可以当作电源来用。可以使用有机太阳电池作为OLED屏幕的电源，可以大大减少重量。虽然太阳电池很薄、很轻，也很有柔性，但是它的效率不高，而且寿命也比较短，通过研究，改变太阳电池的缺点，使得效率达到10%，寿命也可以超过5年。
2 有机半导体晶体管
有机半导体材料的晶体管是有机电子器件当中很重要的一种器件，比如OFET。当前OFET的技术主要有聚合物、小分子蒸发或者是小分子溶液铸模等等。OFET的优点是成本低、柔性大等等，有很好的发展前景。OFET的发展很迅速，无论是材料还是制备工艺方面都有了突破，它可以使OLED发光，形成逻辑电路，发光场效应晶体管以及单晶场效应晶体管等等器件都已经开发出来。世界各个国家都在研究有机半导体晶体管，2009年，日本的专家使用液相外延工艺生产了并五苯单晶，几乎是没有任何缺陷的，之后使用这种单晶制成了OFET，场效应的迁移率可以得到0.6cm2/（V.s）。2010年法国研究人员研究出一种能够模仿神经元突触功能的有机存储场效应晶体管，有机半导体晶体管会有希望成为新一代集成电子器件。
3 OLED技术
与LCD技术比较，OLED不仅可以做到折叠和随身携带，还具有更好的可适度、更好的图像质量以及更薄的显示器。现在OLED已经开始应用到手机、以及数码相机等小型设备当中。当前在OLED显示器开发的市场当中占有很大优势的企业有三星、LG以及柯达等等。2010年初，三星展出了OLED笔记本电脑，还推出了带有OLED平面的MP3播放器。预计未来五年智能手机会促使OLED显示器呈现出快速发展的势头。随着OLED技术的快速发展，未来很可能会应用到显示器、照明当中。由于OLED的刷新速率很高，这使得视频图像更加逼真，还可以随时进行图像的更新。未来的报纸也有可能成为OLED显示器，能够更新新闻，还能够卷起来。有机半导体技术已经在很多领域都占有自己的重要位置，很多企业已经开始开发半导体技术的产品。使用OLED技术的玻璃窗在电源关闭的时候和普通的玻璃没区别，但是在接通电源之后就会变成显示器。使用OLED技术的汽车挡风玻璃也不仅仅是挡风，还能够提供其它的帮助。
有机半导体材料作为一种新型材料，经过不断开发和研究，已经进入商品化的阶段，并且会有很好的发展。有机半导体器件成本低，操作流程简单，而且功耗小，这是很多无机半导体器件没有的特点，所以有机半导体器件有很大的发展。但是有机半导体器件在寿命已经性能方面还需要改进。哟及半导体器件的速度比较慢，这使得它取代传统的半导体的可能性不大，所以在这方面需要解决，但是有机半导体更加经济，成本更低，值得推广。
参考文献
[1]陈岩.纳米电子技术――21世纪的电子热点[J].北京工商大学学报：自然科学版，2001(3).
[2]刘明，谢常青，王丛舜，龙世兵，李志钢，易里成荣，涂德钰.纳米加工和纳米电子器件[J]. 微纳电子技术，2005(9).
[3]杜晋军，李俊，洪海丽，刘振起.纳米电子器件的研究进展与军事应用前景[J].装备指挥技术学院学报，2004(4).
半导体材料发展前景范文第5篇
关键词：气体传感器；设计原理；分类；工作原理；发展前景.
Abstract：With the development of science and technology and craftsmanship and the improvement of safety awareness, gas sensors play an increasingly important role in the life and work. In this paper, the design principle of the gas sensor, classify, the working principle of a few frequent gas sensor, and developing prospects are summarized.
Key Words：Gas sensor; Design principle; Classify; Working principle ; Developing prospect.
中图分类号：TP212 文献标识码：A 文章编号：
1 引言
由于人们生活水平的逐渐提高，伴随着越来越多的天然气、液化气、热水器等气体及电子设施的广泛使用，爆炸、中毒事件也时有发生，安全隐患防范愈来愈显得重要,因此，监控设施是否正常运转、环境中相关参数是否安全显得愈发重要。利用气体传感器监控环境变化，有助于预防灾害的发生。气体传感器在安全数字化社区的建设中占据越来越重要的位置。本文就目前普遍使用的气体传感器的设计原理、种类、发展前景及发展方向进行了综述。
2 气体传感器的设计原理
气体传感器是是气体检测系统的核心，通常安装在探测头内。理论上，气体传感器是一种将气体的成份、浓度等信息，通过气体体积积分数转换成可以被人员、仪器仪表、计算机等利用的信息的装置。探测头通过气体传感器对气体样品进行分析处理，主要包括滤除杂质和干扰气体、干燥或制冷处理、样品抽吸，进而对样品进行化学处理，有助于化学传感器进行快速的测量。
3 气体传感器的分类
气体传感器的种类很多，分类标准不一。根据传感器的工作原理主要有半导体传感器（电阻型和非电阻型）、绝缘体传感器（接触燃烧式和电容式）、电化学式（原电池型、恒电位电解池型、浓差电池型、极限电流型），固体电解质气体传感器，还有红外吸收型、光纤型、石英振荡型、热传导型、声表面波型、气体色谱法等[1]；根据气体传感器的气敏特性可分为电学类气体传感器、光学类气体传感器、电化学类气体传感器和高分子材料生物气体传感器等[2]。
4 气体传感器的种类
本文详细只介绍的几种常见的气体传感器。
4.1 半导体气体传感器
自从1953年Brattain和Bardeen等人发现半导体锗的电阻率会因其表面吸附气体而发生改变的现象以后，半导体气体传感器得到了广泛的研究和应用[3]。
半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件, 与气体相互作用时产生表面吸附或反应, 引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。这些都是由材料的半导体性质决定的[4]。
半导体气体传感器的工作机理和性能参数除了与气体敏感材料的特性密切相关以外，还受传感器工作温度的强烈制约和影响。因此到目前为止，达到实用水平的半导体气体传感器都有一个加热器作为其赖以工作的基础平台。而且，随着研究的深入，加热器已不仅仅只是为传感器提供合适的工作温度，还扮演着对传感器实现热清洗、温度调制等复杂功能。因此，半导体气体传感器自诞生以来的发展历史，也始终是以提高其灵敏度、选择性、稳定性和降低功耗为目标，围绕着改进加热器的结构和气敏材料的特性及其相互作用的关系为主线而展开的。
4.2电化学型气体传感器
大部分可燃性、有毒有害气体都有电化学活性，可以电化学反应被氧化或者还原。利用这些反应，可以分辨气体成份、检测气体浓度。电化学气体传感器又可以分为几小类：
（1）原电池型气体传感器（也称：伽伐尼电池型气体传感器，也有称燃料电池型气体传感器，也有称自发电池型气体传感器），其使用原理同干电池相似，只是气体电极代替了碳锰电极。这种传感器可以有效地检测氧气、二氧化硫、氯气等;
（2）恒定电位电解池型气体传感器，这种传感器用于检测还原性气体非常有效，它的原理与原电池型传感器不一样，它的电化学反应是在电流强制下发生的，是一种真正的库仑分析的传感器。这种传感器已经成功地用于：一氧化碳、硫化氢、氢气、氨气、肼、等气体的检测之中，是目前有毒有害气体检测的主流传感器;
（3）浓差电池型气体传感器，具有电化学活性的气体在电化学电池的两侧，会自发形成浓差电动势，电动势的大小与气体的浓度有关，这种传感器的成功实例就是汽车用氧气传感器、固体电解质型二氧化碳传感器;
（4）极限电流型气体传感器，有一种测量氧气浓度的传感器利用电化池中的极限电流与载流子浓度相关的原理制备氧（气）浓度传感器，用于汽车的氧气检测，和钢水中氧浓度检测。
4.3 接触燃烧式气体传感器
一般情况下，空气中可燃性气体的浓度都不太高(低于10％)，可燃性气体可以完全燃烧，其发热量与可燃性气体的浓度有关。
根据燃烧方式的不同，接触燃烧式气体传感器又可分为直接接触燃烧式和催化接触燃烧式两种。其工作原理是：气敏材料在通电状态下，可燃性气体氧化燃烧或在催化剂作用下氧化燃烧，产生的热量使电热丝升温，从而使其电阻值发生变化，测量电阻变化从而测量气体浓度。空气中可燃性气体浓度愈大，氧化反应(燃烧)产生的反应热量(燃烧热)愈多，铂丝的温度变化(增高)愈大，其电阻值增加的就越多。因此，只要测定作为敏感件的铂丝的电阻变化值(ΔR)，就可检测空气中可燃性气体的浓度。这种传感器已普遍应用于石油化工厂、造船厂、矿井隧道、浴室、厨房等处的可燃性气体的监测和报警。
4.4固体电解质气体传感器
固体电解质气体传感器使用固体电解质气敏材料做气敏元件。其原理是气敏材料在通过气体时产生离子，从而形成电动势，测量电动势从而测量气体浓度。由于这种传感器电导率高，灵敏度和选择性好，得到了广泛的应用，几乎打入了石化、环保、矿业等各个领域，仅次于金属氧化物半导体气体传感器。如测量H2S的YST-Au-WO3、测量NH3的NH4 - CaCO3等[7]。开发新的气体传感器，特别是开发和完善智能气体传感系统，使之可以在气体泄漏事故中起到报警、检测、识别、智能决策等方面的作用。大大提高气体泄漏事故处置的工作效率和安全性，对于控制事故损失具有重要的作用。现在，气体传感器的研究和开发非常活跃，新的气敏材料不断出现，气体传感器的智能化也得到了一定发展。相信在有关科研人员的不断努力下，将会有技术更加成熟的智能气体传感系统，在气体泄漏事故处置中的应用将会更加广泛。
半导体材料发展前景范文第6篇
1、行业佼佼者客户覆盖广泛；
2、受益半导体行业规模的扩张；
3、强势研发团队掌控核心技术。
上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“上海新阳”，代码300236）专业从事半导体行业所需电子化学品的研发、生产和销售服务，并致力于为客户提供化学材料、配套设备、应用工艺、现场服务一体化的整体解决方案。产品主要包括半导体封装领域所需的引线脚表面处理电子化学品，晶圆镀铜、清洗电子化学品及与它们配套的设备。
财务数据显示，2008年-2010年，上海新阳净利润分别为1956.73万元、2887.79万元、3337.22万元，体现了良好的成长性。此次公司拟公开发行2150万股，募集资金1.75亿元用于原有产品产能的扩张及技术研发中心的建设。项目实施后，预计将年增半导体专用化学品产能3600万吨，发展前景广阔。
行业佼佼者客户覆盖广泛
截至2010年年底，上海新阳已经具备了3000吨/年的电子化学品产能，下游拥有超过120家的客户，遍布华东、华南、东北、西北等全国各地。同时，公司还通过了多家国内以及国际知名的半导体封装企业严格的供应商资格认证，知名企业如长电科技、通富微电等都是上海新阳的固定客户群体，在新产品的研发和产业化方面都建立了长期的合作伙伴关系。
以上仅仅是在半导体封装领域的客户，在芯片制造领域，公司也同如中芯国际、江阴长电等高端芯片制造企业建立了合作关系。
上海新阳是中国集成电路封测产业链技术创新联盟理事单位，国家02重大科技专项科研任务的承担单位之一，在国内的半导体材料业内具有突出的行业地位。行业佼佼者加上与各领域的知名企业的长期合作将极大得保障公司未来稳定的收入来源。
受益半导体行业规模扩张
半导体行业作为电子信息高新技术产业的核心，未来仍将会有较快的发展，而对电子化学品的需求也将随着半导体行业规模的扩大而增加。根据中国半导体协会的预测，2013年引线脚表面处理所需的电子化学品的市场规模可达10亿元，而据Yole Development2009年10月的预测，2015年晶圆镀铜、清洗电子化学品市场规模可达10亿美元。
未来，在国家相关产业政策的支持下，利用本土竞争优势，公司产品对进口产品的替代以及相关产品技术储备的市场推广进程的加速，上海新阳的市场地位将进一步突出、稳固。在此背景下，上海新阳未来将极大得受益于行业规模的扩大。
强势研发团队掌控核心技术
长期以来，上海新阳通过积极从外部引进和内部培养等方式，在半导体化学材料领域，已建立了一支专业门类配套、行业经验丰富、研发能力较强的复合型研发团队。研发带头人孙江燕总工程师有近二十年半导体化学材料研发与应用经验，现为中国集成电路封测产业链技术创新联盟专家委员会成员。
半导体材料发展前景范文第7篇
（一）力学性质
高韧、高硬、高强是结构材料开发应用的经典主题。具有纳米结构的材料强度与粒径成反比。纳米材料的位错密度很低，位错滑移和增殖符合Frank-Reed模型，其临界位错圈的直径比纳米晶粒粒径还要大，增殖后位错塞积的平均间距一般比晶粒大，所以纳迷材料中位错滑移和增殖不会发生，这就是纳米晶强化效应。
（二）磁学性质
当代计算机硬盘系统的磁记录密度超过1.55Gb/cm2，在这情况下，感应法读出磁头和普通坡莫合金磁电阻磁头的磁致电阻效应为3%，已不能满足需要，而纳米多层膜系统的巨磁电阻效应高达50%，可以用于信息存储的磁电阻读出磁头，具有相当高的灵敏度和低噪音。
（三）电学性质
由于晶界面上原子体积分数增大，纳米材料的电阻高于同类粗晶材料，甚至发生尺寸诱导金属——绝缘体转变（SIMIT）。利用纳米粒子的隧道量子效应和库仑堵塞效应制成的纳米电子器件具有超高速、超容量、超微型低能耗的特点，有可能在不久的将来全面取代目前的常规半导体器件。
（四）热学性质
纳米材料的比热和热膨胀系数都大于同类粗晶材料和非晶体材料的值，这是由于界面原子排列较为混乱、原子密度低、界面原子耦合作用变弱的结果。因此在储热材料、纳米复合材料的机械耦合性能应用方面有其广泛的应用前景。
二、纳米材料在化工行业中的应用
（一）在催化方面的应用
催化剂在许多化学化工领域中起着举足轻重的作用，它可以控制反应时间、提高反应效率和反应速度。大多数传统的催化剂不仅催化效率低，而且其制备是凭经验进行，不仅造成生产原料的巨大浪费，使经济效益难以提高，而且对环境也造成污染。纳米粒子表面活性中心多，为它作催化剂提供了必要条件。纳米粒于作催化剂，可大大提高反应效率，控制反应速度，甚至使原来不能进行的反应也能进行。纳米微粒作催化剂比一般催化剂的反应速度提高10～15倍。
纳米微粒作为催化剂应用较多的是半导体光催化剂，特别是在有机物制备方面。分散在溶液中的每一个半导体颗粒，可近似地看成是一个短路的微型电池，用能量大于半导体能隙的光照射半导体分散系时，半导体纳米粒子吸收光产生电子——空穴对。在电场作用下，电子与空穴分离，分别迁移到粒子表面的不同位置，与溶液中相似的组分进行氧化和还原反应。
（二）在涂料方面的应用
纳米材料由于其表面和结构的特殊性，具有一般材料难以获得的优异性能，显示出强大的生命力。表面涂层技术也是当今世界关注的热点。纳米材料为表面涂层提供了良好的机遇，使得材料的功能化具有极大的可能。借助于传统的涂层技术，添加纳米材料，可获得纳米复合体系涂层，实现功能的飞跃，使得传统涂层功能改性。涂层按其用途可分为结构涂层和功能涂层。结构涂层是指涂层提高基体的某些性质和改性；功能涂层是赋予基体所不具备的性能，从而获得传统涂层没有的功能。结构涂层有超硬、耐磨涂层，抗氧化、耐热、阻燃涂层，耐腐蚀、装饰涂层等；功能涂层有消光、光反射、光选择吸收的光学涂层，导电、绝缘、半导体特性的电学涂层，氧敏、湿敏、气敏的敏感特性涂层等。在涂料中加入纳米材料，可进一步提高其防护能力，实现防紫外线照射、耐大气侵害和抗降解、变色等，在卫生用品上应用可起到杀菌保洁作用。在标牌上使用纳米材料涂层，可利用其光学特性，达到储存太阳能、节约能源的目的。在建材产品如玻璃、涂料中加入适宜的纳米材料，可以达到减少光的透射和热传递效果，产生隔热、阻燃等效果。日本松下公司已研制出具有良好静电屏蔽的纳米涂料，所应用的纳米微粒有氧化铁、二氧化钛和氧化锌等。这些具有半导体特性的纳米氧化物粒子，在室温下具有比常规的氧化物高的导电特性，因而能起到静电屏蔽作用，而且氧化物纳米微粒的颜色不同，这样还可以通过复合控制静电屏蔽涂料的颜色，克服炭黑静电屏蔽涂料只有单一颜色的单调性。纳米材料的颜色不仅随粒径而变，还具有随角变色效应。在汽车的装饰喷涂业中，将纳米TiO2添加在汽车、轿车的金属闪光面漆中，能使涂层产生丰富而神秘的色彩效果，从而使传统汽车面漆旧貌换新颜。纳米SiO2是一种抗紫外线辐射材料。在涂料中加入纳米SiO2，可使涂料的抗老化性能、光洁度及强度成倍地增加。纳米涂层具有良好的应用前景，将为涂层技术带来一场新的技术革命，也将推动复合材料的研究开发与应用。
（三）在精细化工方面的应用
精细化工是一个巨大的工业领域，产品数量繁多，用途广泛，并且影响到人类生活的方方面面。纳米材料的优越性无疑也会给精细化工带来福音，并显示它的独特畦力。在橡胶、塑料、涂料等精细化工领域，纳米材料都能发挥重要作用。如在橡胶中加入纳米SiO2，可以提高橡胶的抗紫外辐射和红外反射能力。纳米Al2O3，和SiO2，加入到普通橡胶中，可以提高橡胶的耐磨性和介电特性，而且弹性也明显优于用白炭黑作填料的橡胶。塑料中添加一定的纳米材料，可以提高塑料的强度和韧性，而且致密性和防水性也相应提高。
纳米科学是一门将基础科学和应用科学集于一体的新兴科学，主要包括纳米电子学、纳米材料学和纳米生物学等。21世纪将是纳米技术的时代，为此，国家科委、中科院将纳米技术定位为“21世纪最重要、最前沿的科学”。纳米材料的应用涉及到各个领域，在机械、电子、光学、磁学、化学和生物学领域有着广泛的应用前景。纳米科学技术的诞生，将对人类社会产生深远的影响，并有可能从根本上解决人类面临的许多问题，特别是能源、人类健康和环境保护等重大问题。
论文关键词:纳米材料；化工领域；应用
论文摘要:充满生机的二十一世纪，以知识经济为主旋律和推动力正引发一场新的工业革命，节省资源、合理利用能源、净化生存环境是这场工业革命的核心，纳米技术在生产方式和工作方式的变革中正发挥重要作用，它对化工行业产生的影响是无法估量的。这里主要介绍纳米材料在化工领域中的几种应用。
半导体材料发展前景范文第8篇
关键词:发光二极管;半导体照明;技术水平;发展方向
中图分类号:TN312+.8 文献标识码:B
Development and Perspective of Semiconductor Lighting Industry
HU Ai-hua
(Xiamen Hualian Electronics Co., Ltd., Xiamen Fujian 361006, China)
Abstract: Under the specification of scope of semiconductor lighting industry, this paper analyses the current status and technical level of semiconductor lighting industry at home and abroad, with the summary of the characters and trend of this industry. Followed by the indication of existing problems in this industry at home, the author has made certain research and explication on its further development.
Keywords: LED(light emitting diode); semiconductor lighting; technology level; development trend
引言
随着半导体照明光源在城市景观、商业大屏幕、交通信号灯、手机及PDA背光源等特殊照明领域的应用,以其饱满光色、节能、抗震、耐潮、长寿命等优势,半导体光源已成为全球最热门、最受瞩目的光源,特别是LED的发光效率正在大幅提高,半导体照明被认为是21世纪最有可能进入普通照明领域的一种新型固态冷光源和最具发展前景的高技术领域之一。中国拥有巨大的照明工业和照明市场,随着国家对LED发展的高度重视和我国LED产业的快速发展,半导体照明应用在我国城市夜景照明领域已开始普及,几乎全国所有大城市的夜景照明都广泛使用LED,特别是我国有关部门已明确提出将以2008年北京奥运会和2010年上海世博会为契机,推动半导体在城市景观照明的应用。据统计,2008年北京奥运会使用LED产品总值接近人民币五亿元,包括景观照明、交通信息显示、室内外全彩显示屏、应急照明灯、开闭幕式表演等,LED非凡的艺术表现效果为本届奥运会开幕式的成功奠定了基础,使半导体照明首次大规模应用于奥运会这样的国际盛会。
新兴半导体照明产业发展迅速,绿色节能的照明光源革命已成为不争的事实,半导体照明应用范围不断扩大,也将进一步推动我国的城市照明领域更广泛地使用半导体LED照明。因此,国内许多省市将发展半导体照明产业作为当地的重点发展产业,目前国内7个半导体照明产业基地的发展,充分证明了中国半导体照明产业面临新的机遇和挑战。制定发展战略,抢抓重大机遇,迎接严峻挑战,快速推进我国半导体照明产业跨越式发展是十分紧迫的任务。
1半导体照明产业范畴
半导体照明产业指的是以半导体发光二极管为光源的照明产品生产制造业,主要包含通用照明、景观装饰照明、大屏幕显示、背光显示、交通信号显示、汽车灯、道路照明等照明产品。随着半导体照明技术的发展,其应用越来越广泛,产业具有巨大的应用市场和发展空间,将产生不可估量的社会和经济效益。
信号指示:电子仪器、设备、家用电器的光信号显示和指示。
大屏幕显示:主要用于金融、证券、交通、机场、邮电等领域的信息、广告、图示、记分牌等显示屏。近年全彩色LED户外显示屏已代替传统的灯箱、霓红灯、磁翻板等成为主流,尤其是在全球各大型体育场馆几乎已成为标准配备,尺寸从几十英寸至几千英寸。
背光显示:LED作为背光源已普遍应用于手机、电脑、手持掌上电子产品及汽车、飞机仪表盘等,3.5in以下的背光源主要用于手机、相机、MP3、MP4等便携设备,5～7in背光源主要用于数码相框、电子纸、车载显示器,大尺寸LCD屏的背光主要是用于笔记本电脑和电视机等。
光色照明:主要有室外景观照明和室内装饰照明,包括建筑装饰、室内装饰、景点装饰等,主要用于建筑、街道、商业中心、名胜古迹、桥梁、社区、庭院、草坪、家居、休闲娱乐场所的装饰照明,以及集装饰与广告为一体的商业照明,如护栏灯、投射灯、LED灯带、数码灯管、地埋灯、草坪灯、水底灯及壁灯、吊灯、射灯、平面发光板、格栅灯、变幻灯等。
交通信号显示:主要用于城市交通、高速公路、铁路、机场、航海和江河航运用的信号灯。
汽车灯:主要用于车内的仪表盘、空调、音响等指示灯及车厢内部阅读灯,车外的转向灯、刹车灯、尾灯、侧灯等。
道路照明:已广泛用于路灯、庭院灯、隧道灯等。
功能性照明:主要有便携式照明(手电筒、头灯)、低照度照明(廊灯、门牌灯、应急灯、安全指示灯)、阅读照明(飞机、火车的阅读灯)、显微镜灯、照相机闪光灯、台灯、矿灯、医用手术灯等。
通用照明:半导体照明的顶级目标是进入通用照明领域,代替白炽灯、日光灯,甚至替代节能灯,这需要超高亮度LED超长寿命、极低功耗的显著优势,同时成本考量也是一个关键。
2国内外半导体照明产业发展现状
2.1国外半导体照明产业发展概况
从全球来看,半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。随着市场的快速发展,美国、日本、欧洲各主要厂商纷纷扩产,加快抢占市场份额。根据目前全球LED产业发展情况,预测LED照明将使全球照明用电减少一半,2007年起,澳大利亚、加拿大、美国、欧盟、日本及中国台湾等国家和地区已陆续宣布将逐步淘汰白炽灯,发展LED照明成为全球产业的焦点。
2.1.1国外半导体照明产业概况
(1)主要LED企业
国外(境外)掌握核心技术及产业规模较大的主要企业,如表1所示。
这些企业掌握该行业的核心技术,其外延、芯片的产量占全世界的70%以上,其高性能芯片产量占全世界的90%以上。
(2)LED封装产值
全球LED封装器件2008年的产值约100亿美元,近几年的增长率在10～20%。目前,该产业规模只是很小份额,其所构成的应用产品一般增值3～5倍,与其它产业相比还是很少的,但该产业具有很大的发展潜力。
(3)主要技术水平
Nichia是世界上最早的半导体白光生产厂商,技术水平始终处于国际领先地位。在蓝光芯片的技术路线上,Nichia采用图形化蓝宝石衬底结合ITO透明导电层芯片工艺,产品性能表现优越。2009年1月底,宣布LED在20mA电流驱动下,光效达249 lm/W,功率LED封装白光在350mA电流驱动下,光效达145 lm/W。
Cree和Osram是目前世界上主要采用SiC衬底材料制造GaN基蓝、绿光LED用外延片和芯片的专业公司,两家的技术路径、产品规格和特点基本相同。据2008年的报道显示,Cree公司已经公布其白光LED的实验室水平已经达到161 lm/W的光通量,此光通量为业界研发成果汇报中的最高水平,其102 lm/W的产品也将很快批量生产;Osram宣布了最新的研发成果,大功率LED在350mA电流驱动下,光输出达到了155 lm,效率高达136 lm/W,色温是5,000k。这个记录远远超过目前市场上处于领先地位的Cree Q5 LED,Q5的光效是107 lm@350mA。
LumiLEDs公司的氮化镓LED芯片采用蓝宝石作为外延衬底材料,其最新的薄膜倒装芯片(thin-film flip-chip,TFFC)技术,结合利用了垂直薄膜结构和倒装芯片结构的优点,集成芯片和封装工艺,最大限度降低热阻,提高取光效率。2007年,LumiLEDs研发水平已经突破115 lm/W。2008年的报道:在驱动电流为350mA的情况下,发光效率为140 lm/W,比2007年1月份(115 lm/W)提高了22%。
SemiLEDs(旭明)是继Osram和Cree之后采用激光剥离蓝宝石衬底技术商品化生产薄膜GaN垂直结构LED的厂商。他们推出金属基板垂直电流激发式发光二极管(metal vertical photon light emitting diodes,MvpLED),其芯片封装成白光成品的发光效率目前可以达到100 lm/W。
2.1.2国外半导体照明产业发展特点及趋势
(1)制定发展规划
世界主要发达国家高度重视半导体照明产业的发展,本世纪初,几个主要发达国家和中国台湾均制定了国家级的半导体照明发展规划,如日本的“二十一世纪照明研究发展规划”,美国的“国家半导体照明研究计划”,欧共体的“彩虹计划”,韩国的“GaN半导体研究计划”,中国台湾的“次世纪照明光源开发计划”,英国、德国也相继制定了具体发展计划,主要内容是投入巨额资金联合国内主要力量开展半导体照明的研发,制定各阶段发展的技术指标,并推动产业化。美国近期制定了LED新指南,2015年内量子效率达90%,荧光粉激发效率达90%,并对热沉、光谱系统、可靠性进行研究;2025年LED光源达到仿太阳光谱,总发光效率达50%。
(2)垄断核心技术
国外有关LED及半导体照明的专利有一万多项,但其核心技术被日本日亚公司(Nichia)、美国Cree公司和LumiLEDs公司、德国Osram公司四家企业,以及表1中所提到的其他公司所掌握,这些公司几乎垄断了该产业的核心技术。
(3)技术发展迅速
近五年,LED的主要技术指标――发光效率平均每年以30%的速度发展,从2004年的20～30 lm/W发展到目前的100～120 lm/W。从技术层面,研究采用新衬底材料生长GaN外延、非极性或半极性外延,有新结构的芯片、衬底转移、光子晶体等新技术应用。
(4)重视标准制定
有关半导体照明标准除了国际电工委员会IEC和国际照明委员会CIE制定外,许多国家标准化组织和产业联盟也在积极制定之中,如美国国家标准组织、日本照明组织系统、韩国、中国台湾以及北美固态照明系统及科技联盟(ASSISI)等,这极大推动了半导体照明产业的发展。
(5)开拓应用产品
国际上LED产业目前主要应用产品是背光源、汽车用灯及各类信息显示,这三类LED应用占70%以上,照明应用只占5%左右。近期,在功能性照明如景观照明及道路照明有一定发展。
(6)照明集团投入
据全球照明市场研究数据,世界照明市场2008年为1,077亿美元,其中LED照明光源占2%,为18亿美元;2010年为1,204亿美元,其中LED照明光源占16%,为100亿美元。现阶段,世界三大照明集团均投入巨资发展半导体照明技术和产业,并分别具有世界一流的LED企业,即Philips照明公司、LumiLEDs Lighting公司,Osram公司旗下的Osram光电公司、GE公司旗下的Geleore光电公司,这将加速推进LED产业进入普通照明领域的进程。
(7)新三角产业基地
由于中国大陆、中国台湾和韩国在半导体照明产业上近几年发展非常迅速,目前这些地区虽然在技术上还达不到美国、日本和德国的水平,但在产业化方面已达到相当高的水平。据有关统计,这三个国家和地区的GaN基蓝、绿光芯片产量达到世界总量的50～60%,四元系InGaAlP红、橙、黄光芯片产量已超过世界总量的80%以上,在器件封装和LED应用产品方面的总量更大。在全球LED产业中,该地区的影响很大。
2.2国内半导体照明产业发展概况
中国LED产业起步于20世纪70年代,经过30多年的发展,中国LED产业已初步形成了包括LED外延片生产、LED芯片制备、LED器件封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。在“国家半导体照明工程”的推动下,形成了上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄7个国家半导体照明工程产业化基地,长三角、珠三角、闽三角以及北方地区则成为中国LED产业发展的聚集地。目前,中国半导体照明产业发展看好,外延芯片企业的发展尤其迅速,封装企业规模继续保持较快增长,照明应用取得较大进展。中国在LED应用产品方面已成为世界最大的生产和出口国,新兴的半导体照明产业正在形成。
2.2.1我国LED产业发展简况
(1)LED产业链基本情况
根据有关统计,2008年我国从事LED产业的企事业单位已有3,000多家,其中从事外延芯片的单位约40多家,后工序封装企业有600家,其它均为LED应用和产业配套的企业。2008年生产LED器件520亿只,增长13%,高亮度芯片360亿只,增长71.4%,其中GaN蓝、绿芯片120亿只,增长85%,整个LED产值(含芯片、器件及应用产品)约700多亿元。在原材料、外延生长、芯片制造、器件封装、应用产品及配套、设备仪器等方面,已形成较完善的产业链。
(2)外延生长、芯片制造
国内从事LED外延芯片的研究开发单位主要有北京大学、清华大学、南昌大学、中科院半导体所、物理所、中电13所、55所、北京工业大学、山东大学、南京大学、华南师范大学、厦门大学、深圳大学、中南理工大学、西安电子科技大学以及新成立的中科院半导体照明研发中心。从事生产的企业主要有厦门三安、大连路美、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、杭州士兰明芯、江西晶能光电、河北同辉、厦门乾照、武汉迪源、廊坊清芯、甘肃新天电、西安中为、扬州华夏集成、广州普光、沈阳方大、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、武汉华灿、上海宇体、深圳世纪晶源、深圳奥伦德、东莞福地等,还有外资企业厦门晶宇、宁波灿园、晋江晶兰及厦门明达等,另有在北京、大连、郴州等地筹建的3～5个单位,共计约30个单位。这些企业2008年共生产高亮度芯片360亿只,其中GaN蓝、绿芯片120亿只,分别比上年度增长71.4%和85%,另外,还取得了很多研究成果,并封装成白光,发光效率的产业化水平达70～80 lm/W,预计发光效率2009年产业化将达90～100 lm/W。
(3)器件封装
全面LED封装企业约600家,具有一定规模的封装企业约100家,主要封装企业有厦门华联、佛山国星、江苏稳润、广州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳雷曼、深圳量子、深圳瑞丰、珠海力丰等,还有不少外商投资的封装企业,如亿光、光宝等。从事功率LED封装研发的单位有中电13所和华中理工大学等。2008年封装器件达520亿只,增长13%,封装能力超过600亿只/年,能封装市场上需求的所有外型种类。功率LED封装的发光效率产业化水平为80～90 lm/W,热阻可控制在10℃/W以内,能满足全国LED应用产品的要求。
(4)应用产品
全国LED应用产品企业约2,000家,有原来生产LED及照明灯具的企业加入到应用产品的开发和生产,但更多的是新创办的中小企业,规模偏小。目前应用产品主要用于信息显示、交通信号灯、景观照明及部分背光源,2009年LED重点开展功能性照明的应用产品,如道路照明、隧道照明、地铁、地下停车场等照明,以及部分商业上用的室内照明灯具,如筒灯、射灯等。据有关部门统计,2008年应用产品的产值达540亿元。
2.2.2国内半导体照明产业发展的特点
国内近几年半导体照明产业的发展呈现以下五个特点:
(1)国家及地方政府支持
国家相关主管部门积极主持半导体照明产业的发展,制定“十一五”发展规划时,已明确提出具体目标。今年工信部七号及九号文件将考虑更多的优惠政策,还以863项目、电子发展基金、产业项目等各种形式支持半导体照明产业的发展,有超过20个省、市地方政府以LED工程及各种方式给予很大支持,这将加快发展LED产业的进程。
(2)增资扩产,筹建新企业
很多企业近几年均增加投资扩大生产规模,购置新设备,如近年来购置MOCVD设备50～60台及芯片制造设备几百台套,计划购置新的MOCVD设备100多台,购置后工序自动封装设备几千台套等。另外,近几年新开办的前工序外延、芯片企业有十多家,封装企业有几百家,很多私营资本大量投入,促进了产业化水平。
(3)发展速度快
我国近几年来LED产业发展速度比国际的发展速度快很多,尤其是高亮度LED芯片。2006～2008年增长率分别为100%、75%、71.4%,封装器件增长率,除2008年受国际金融危机影响只有13%外,其它年度均超过20%的增长速度,应用产品的开拓广度和应用范围也是少有的。
(4)抓紧标准制定
国内LED产业从2006年开始,各相关部门抓紧制定LED的相关标准,工信部标准工作组为主制定20多项标准,中国照明电器标委会制定10多项与LED应用有关的标准,以及其它相关部委制定的产品标准,至2008年共有超过50项标准已制定完成,部分标准在报批阶段。另外,我国与国际CIE及IEC组织和其它标准机构积极交流并参于相关标准的制定,国内还制定了很多地方标准,这将对LED的推广应用起到推动作用。
(5)国内市场需求大
由于LED产品具有节能、环保、寿命长等很多优点,符合国家节能减排和低碳经济的发展政策,应用面非常广,据有关研究预测,LED在信息显示、背光源、汽车用灯、交通信号灯等市场的份额将达到千亿只,加上照明领域的LED市场共有几千亿元的市场潜力。
2.2.3LED产业发展中存在的主要问题
我国LED产业发展较快,但技术水平与国际上的差距还比较大,有人估计相差3～5年。国内在半导体照明领域已经形成一定特色,其中户外景观照明发展最快,已有上百家LED路灯企业,并建设了几十条示范道路,但国内在大尺寸LCD背光和汽车前照灯方面仍显落后。产业发展中存在两个主要问题是:
(1)缺乏有自主知识产权的核心技术
核心技术主要是外延生长、芯片结构、功率LED封装,由国际上几个主要企业所垄断,以致我国LED产品缺乏核心技术,在国际上很难有竞争力,还可能引起专利纠纷。当前中国半导体照明产业大而不强,核心竞争力仍有待进一步提升。
(2)企业规模偏小
不管是前工序外延、芯片企业或是下游的器件封装、应用企业,产业规模均偏小,其产品以中、低档为主,缺乏竞争能力。
3半导体照明技术水平和发展方向
3.1外延和芯片
3.1.1技术水平
目前,LED材料制作方式主要是通过MOCVD方式制作(极少数材料通过LPE方式制作,OLED正处于研究之中),从LED芯片制作方式来分,LED分为正装结构和倒装结构(反电极使用)两种。正装结构,即常规的LED,芯片尺寸为6～12mil之间,市场上产品有6mil、7mil、8mil、9mil和12mil,用于不同的应用领域,最高亮度可达200mcd,即30 lm/W。倒装结构LED采用金属全反射垂直结构,最大可能地将LED有源层发出的光提取出来,通常倒装结构芯片用于制作超高亮度LED及功率LED。目前,正装黄红光LED从20～200mcd大批量生产已较为成熟,倒装结构小芯片(14mil)LED亮度可达400～600mcd,光效为60～80 lm/W,功率芯片光效为80 lm/W。GaN基蓝光芯片光效为90 lm/W,GaN基绿光芯片光效为50 lm/W,功率型GaN基蓝光芯片功率效率为250mW/W。
3.1.2LED外延、芯片关键技术发展方向
(1)研究在位横向外延、量子能级调控、激光剥离等技术,开展LED寿命加速试验和失效机理分析,实现位错密度降低一个数量级以上,外延工艺得到优化。
(2)LED新衬底与新材料的研发应用:藉由新衬底、非极性衬底、新型材料、高光效材料的开发,可获得LED内量子效率的大幅度提高。
(3)研究应变量子阱结构、P型接触层激光掺杂等技术,实现有源层的能带弯曲程度降低,并减少量子阱中电子和空穴的空间分离。
(4)大尺寸LED外延片的开发:藉由外延层结构设计与外延成长即时监控,可大幅度改善外延应力产生的曲翘问题,从而实现大面积的外延片生长,并可间接大幅降低芯片成本。
(5)研究可控非平面化、光子晶体和等离子体增强等新技术,进一步提高芯片的发光效率,实现高端照明应用产业化。
(6)薄膜氮化镓芯片:基于激光剥离蓝宝石衬底工艺的薄膜氮化镓芯片工艺已经由学术研究渐渐转向产业化,目前,已有不少国际大厂及行业新星推出薄膜氮化镓芯片,而且业内最高性能表现者,也是以基于薄膜氮化镓芯片工艺技术的产品居多,例如Cree、LumiLEDs、Osram、Nichia、SemiLEDs等。
(7)制备出主波长为250～380nm的紫外LED,利用其高于蓝光的能量特性,可扩大LED应用于医疗、消毒、杀菌等环保领域,进一步更可激发高效白光荧光粉,制备出白光LED,提高光效,节约能源。
(8)产业化指标:2010年,功率型GaN基蓝光芯片功率效率>300mW/W,封装白光成品光效>100 lm/W;2012年,功率型GaN基蓝光芯片功率效率>400mW/W,封装白光成品光效>130 lm/W;2015年,功率型GaN基蓝光芯片功率效率>500mW/W,封装白光成品光效>160 lm/W。
3.2器件封装
3.2.1LED封装关键技术
(1)散热技术
传统的直插式LED封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂包封而成,其热阻高达250～300℃/W。新的大功率芯片若采用传统式的LED封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。因此,对于大工作电流的大功率LED芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片,在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结构,加速散热,甚至设计二次散热装置,来降低器件的热阻。在器件内部,填充透明度高的柔性硅橡胶,在硅橡胶承受的温度范围内,胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路,也不会出现变黄现象。零件材料也应充分考虑其导热、散热特性,以获得良好的整体热特性。
(2)大功率LED白光技术
半导体PN结的电致发光机理决定了LED不可能产生具有连续光谱的白光,同时单只LED也不可能产生两种以上的高亮度单色光,只能在封装时采用一些工艺方法合成白光。常见的实现白光的工艺方法有以下三种:① 蓝色芯片上涂敷YAG荧光粉,芯片的蓝色光激发荧光粉发出黄绿光,黄绿光与蓝色光合成白光。该方法制备相对简单,效率高,温度稳定性较好,具有实用性。缺点是布胶量一致性较差、荧光粉易沉淀导致出光面均匀性差、色调一致性不好、色温偏高,显色性不够理想。② RGB三基色芯片发光混色成白光,或者用蓝+黄绿色双芯片补色产生白光。只要散热得法,该方法产生的白光较前一种方法稳定,显色性较好,但驱动较复杂,成本较高,另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。③ 在紫外光芯片上涂敷RGB荧光粉,利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光。但目前的紫外光芯片和RGB荧光粉效率较低,环氧树脂在紫外光照射下易分解老化。
同时功率LED产品要实现产业化还必须解决以下技术问题:① 荧光粉涂布量控制:LED芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法通常是将荧光粉与胶混合后用分配器将其涂到芯片上,在操作过程中,由于载体胶的粘度是动态参数,荧光粉比重大于载体胶而产生沉淀,以及分配器精度等因素的影响,此工艺的荧光粉涂布量均匀性控制有难度,导致了白光颜色的不均匀。② 芯片光电参数配合:半导体工艺的特点决定了同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学(如波长、光强)参数和电学(如正向电压)参数的差异,RGB三基色芯片更是这样,对于白光色度参数影响很大。③ 根据应用要求产生的光色度参数控制:不同用途的产品对白光LED的色坐标、色温、显色性、光功率(或光强)和光的空间分布等要求不同,上述参数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素的配合。在产业化生产中,对上述因素进行控制,得到符合应用要求、一致性好的产品十分重要。④ LED芯片荧光粉直接涂覆技术开发:藉由荧光粉选择,厚度均匀涂覆可进行色温控制,提高封b产品一致性。
(3)测试技术与标准
随着大功率芯片制造技术和白光LED工艺技术的发展,LED产品正逐步进入照明市场,显示或指示用的传统LED产品的参数检测标准及测试方法已不能满足照明应用的需要。国内外的半导体设备仪器生产企业也纷纷推出各自的测试仪器,不同的仪器使用的测试原理、条件、标准存在一定的差异,增加了测试应用、产品性能比较工作的难度和复杂性。同时由于LED用于照明工程仅是近几年的时间,因此国内外还均未形成完善的半导体照明标准体系。随着半导体照明的广泛应用,产品规范与标准问题愈显突出,建立系统、完善的半导体照明标准体系是产业规范化的重要手段,也将促进国家半导体照明产业发展和技术创新,促进LED产品市场的有序发展和壮大。
(4)筛选技术与可靠性保证
由于灯具外观的限制,照明用LED的装配空间密封且受到局限,密封且有限的空间不利于LED散热,这意味着照明LED的使用环境要劣于传统显示、指示用LED产品。另外,照明LED处于大电流驱动下工作,这就对其提出了更高的可靠性要求。在产业化生产中,针对不同的产品用途,制定适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验,剔除早期失效品,保证产品的可靠性很有必要。
(5)静电防护技术
蓝宝石衬底蓝色芯片的正负电极均位于芯片上面,间距很小,对于InGaN/AlGaN/GaN双异质结,InGaN活化薄层仅几十纳米,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效益。静电的防范技术通常有:① 从人体、工作台、地面、空间及产品传输、堆放等实施防范,手段有防静电服装、手套、手环、鞋、垫、盒、离子风扇、检测仪器等;② 芯片上设计静电保护线路;③ LED上装配保护器件。
3.2.2封装工艺的发展方向
随着未来LED芯片技术的发展,芯片效率将大大提高,单一芯片的光输出也会大大提高,现有的LED封装技术及装备将会发生很大的改变,未来LED封装工艺将会变得更简单,自动化程度也会变得更高,综合成本会大幅度下降。LED封装企业将成为本次改变的推动者,向上推动LED芯片企业改变后段制造工艺,横向互动LED封装装备制造企业适应开发新的LED封装设备,向下推动灯具制造企业紧跟LED技术发展的趋势,在高光效、低发热的新器件应用上改变现有的笨重LED灯具,服务于节能社会。灯具制造商兼并收购LED封装企业将成为新的趋势,高功率LED器件的国家和行业标准将会出台,各类LED应用将会得到发展。封装工艺技术发展方向为:
(1)单颗LED的效率提升使得发热大幅减少,单颗高功率LED芯片的面积也会大幅度减小。
(2)发热变少与应用上对单一LED光源的高光通量需求使集成化封装成为主流,集成化封装LED器件的热聚集效应使LED器件的整体导热效率变得极为重要,能够大幅降低热阻的共晶焊接技术将成为LED芯片封装技术的主流。
(3)降低成本的需要使非金丝焊接技术将大规模应用,铝丝焊接、铜丝焊接、直接复合等技术将大量应用。
(4)硅胶成型技术、非球面二次光学透镜技术等出光技术都将成为LED封装技术的基础。
(5)定向定量点胶工艺、图形化涂胶工艺、二次静电喷荧光粉工艺、膜层压法三基色荧光粉涂布工艺、芯片沉积加压法等白光工艺都将应用在LED封装工艺中。
3.3LED应用产品
3.3.1产品主要分类
(1)背光显示:主要用于手机、相机、PDA、MP4、电脑和电视机等产品的背光及显示。
(2)汽车灯:可分为汽车外部使用及内部使用两种。内部包括仪表板、空调、音响等指示灯及内部阅读灯;外部使用则包括刹车灯、尾灯、方向灯、侧灯、车前灯等。
(3)道路照明:包含LED路灯、庭院灯、隧道灯。
(4)室内照明:包含筒灯、射灯、台灯、办公场所及商场照明灯。
3.3.2产品主要技术特点
(1)背光显示:节能、环保、高显色性、响应快、颜色饱和度高。
(2)汽车灯:抗震性好、响应时间短、高效率、低能耗、体积小、重量轻、防眩光性能好。
(3)LED路灯:光效高、寿命长、响应快、高显色性、无污染、无谐波辐射。
(4)室内照明:亮度和色彩可控制、外形小、寿命长、方向性强、节能。
3.3.3未来发展方向
背光显示将朝着大尺寸(22in以上)方向发展,解决高光效、高均匀性、超薄、低成本问题。
未来LED汽车灯具的重点研究方向是开发白光LED前照大灯,以及LED车灯与AFS(自适应性车灯控制系统)结合使用。目前LED车前大灯的热管理是最大难点,要在恶劣、狭小的空间里将大量的热量散发出去,是需要认真研究探讨的问题。
LED路灯要大量代替现行高压纳灯,重点要提高光效、降低热阻、降低成本、增加使用寿命。
室内照明将重点解决成本问题,开发高显色指数和宽光谱的LED光源,满足室内照明对光源质量的高要求。
3.4半导体照明产业发展方向
(1)蓝、绿光芯片的大规模产业化技术。主要是使外延芯片生产工艺技术成熟,产品质量稳定可靠,进一步提高芯片成品率,形成大规模产业化技术。
(2)功率型高亮度蓝、绿光外延片及芯片产业化技术。主要研究内容为调整MOCVD生长条件,调整掺杂溶度和有源层结构,提高内量子效率和外量子效率,解决大尺寸芯片加工产业化技术。
(3)高亮度红黄光外延片及芯片产业化技术。主要研究现有的红黄光外延片及芯片产业化技术,进行技术提升与突破,实现功率型高亮度外延片及芯片的大规模产业化。
(4)LED封装新工艺及新材料开发。围绕应用产品进行LED封装新工艺及新材料开发,主要研究内容是组合模块封装结构、多芯片集成化、白光LED单元、功率型LED封装,以及开发新型封装材料(如玻璃、陶瓷、金属等)来代替易老化的环氧树脂。
(5)三基色芯片大功率LED阵列封装技术。主要研究内容为三基色芯片白光混色技术,三基色芯片优选及长期工作光衰问题,白光大功率(1～5W)三基色阵列取光、散热优化设计,产业化生产工艺技术。
(6)LED照明产品应用开发。主要是LED照明应用开发,即研究白光LED灯具结构、色温、光学系统设计、电路、散热、密封、防水、防震、防电压冲击等,解决白光LED应用于照明市场的问题。
(7)LED应用产品开发及配套系统。主要包括高亮度LED照明系统开发,各种特种照明和通用照明灯具的研究与开发。
4结论
半导体照明为我们展示了美好前景,我们相信半导体照明会在不久的将来绽放更加绚丽的光芒。
参考文献