半导体的核心技术(精选5篇)

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半导体的核心技术范文第1篇

近年来，半导体照明技术快速发展，正向更高光效、更优良的光品质、更低成本、更可靠、更多功能和更广泛应用的方向发展。目前，国际上大功率白光LED产业化的光效水平已经达到130lm/W，实验室光效已达231lm/W；小功率白光LED实验室光效已达249lm/W。虽然半导体照明的技术创新和应用创新速度远远超过预期，但与400Im/W的理论光效相比，仍有巨大的发展空间。为更好更快的发展半导体照明科技，真正实现照明科技的绿色环保，近日，科技部了《半导体照明科技发展“十二五”专项规划（征求意见稿）》，提出到2015年，半导体照明产业规模将达到5000亿元，并重点培育20～30家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权、自主品牌的龙头企业，建成50个“十城万盏”试点示范城市。这对半导体照明来说无疑不是一个发展的春天。

形势篇：

技术发展产业爆发式增长需求明显

从全球来看，半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。随着市场的快速发展，美国、日本、欧洲各主要厂商纷纷扩产，加快抢占市场份额。根据目前全球LED产业发展情况，预测LED照明将使全球照明用电减少一半，2007年起，澳大利亚、加拿大、美国、欧盟、日本及中国台湾等国家和地区已陆续宣布将逐步淘汰白炽灯，发展LED照明成为全球产业的焦点。

中国LED产业起步于20世纪70年代。经过30多年的发展，中国LED产业已初步形成了包括LED外延片的生产、LED芯片的制备、LED芯片的封装以及LED产品应用在内的较为完整的产业链。在“国家半导体照明工程”的推动下，形成了上海、大连、南昌、厦门、深圳、扬州和石家庄七个国家半导体照明工程产业化基地。长三角、珠三角、闽三角以及北方地区则成为中国LED产业发展的聚集地。

《规划》指出，目前我国的半导体照明技术快速发展，正向更高光效、更优良的光品质、更低成本、更可靠、更多功能和更广泛应用的方向推进。半导体照明技术的突飞猛进，有力地促进了半导体照明产业的繁荣进步。目前许多国家都在半导体照明科技方面设置了专项资金，制定了严格的白炽灯淘汰计划，大力扶持本国或本地区的半导体照明产业。同样，我国半导体照明技术和产业在当前情况下具备跨越式发展机会，因为我国的半导体照明需求相对明显。作为人口大国、人均资源小国，解决能耗问题是我国当前形势下首先并且急需解决的问题。半导体照明产业以其资源能耗低、带动系数大、创造效益高等有利因素，理所当然地成为国家和社会的首选。进入十二五以后，人们的生活水平和文化素质都有所提高，半导体照明也越来越符合当代人需求。

目标篇：

产业规模5000亿 80%国产化 3500万吨

《规划》中提出，到2015年，半导体照明行业要实现从基础研究、前沿技术、应用技术到示范应用全创新链的重点技术突破，关键生产设备、重要原材料实现国产化；重点开发新型健康环保的半导体照明标准化、规格化产品，实现大规模的示范应用；建立具有国际先进水平的公共研发、检测和服务平台；完善科技创新和产业发展的政策与服务环境，建成一批试点示范城市和特色产业化基地，培育拥有知名品牌的龙头企业，形成具有国际竞争力的半导体照明产业。

具体说来，技术目标上，产业化白光LED器件的光效要达到国际同期先进水平（150～200lm/W），LED光源/灯具光效达到130lm/w，有机发光二极管（OLED）照明灯具光效达到80lm/W，硅基半导体照明、创新应用、智能化照明系统及解决方案开发等达到世界领先水平，形成核心专利300项；产品目标上，80%以上的芯片实现国产化，大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，形成新型节能、环保及可持续发展的标准化、规格化、系统化应用产品，成本降低至2011年的1/5；产业目标上，产业规模达到5000亿元，培育20～30家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权、自主品牌的龙头企业，扶持40～50家创新型高技术企业，建成50个“十城万盏”试点示范城市和20个创新能力强、特色鲜明的产业化基地，完善产业链条，优化产业结构，提高市场占有率，显著提升半导体照明产业的国际竞争力；此外，还要培育和引进一批学科带头人、创新团队和科技创业人才，建立国际化、开放性的国家公共技术研发平台，完善我国半导体照明标准、检测和认证体系，发挥产业技术创新战略联盟的作用，推动产学研用深度结合，切实保障我国半导体照明产业的可持续发展。

《规划》提出，近年来，许多发达国家/地区均安排了专项资金，大力扶持本国或本地区半导体照明技术创新与产业发展。如今，产业发展呈爆发式增长态势，已到了抢占产业制高点的关键时刻。在国家研发投入的持续支援和市场需求的拉动下，中国半导体照明技术和产业具备跨越式发展机会。

根据《规划》，我国半导体照明企业的发展目标非常宏大，产业规模也会随之快速壮大。国家将会着力培养掌握核心技术、拥有较多自主智慧财产权、自主品牌的龙头企业，这样就会促使创新型企业的崛起，与之相适应的特色产业基地、相对完善的产业结构也会随之产生壮大。目前我国半导体产业的国际竞争力仍然不能以世界半导体照明产业大国相提并论，《规划》出台对我国在这方面的核心竞争力会有非常的影响。

到2015年，LED照明产品在通用照明市场的份额达到30%，实现年节电1000亿度，年节约标准煤3500万吨。80%以上的芯片实现国产化，大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化，LED产品成本降低至2011年的1/5。

任务篇：

基础研究前沿技术应用技术平台建设环境建设

一是加强基础研究，解决宽禁带衬底上高效率LED芯片的若干基础科学问题，研究高密度载流子注入条件下的束缚激子及其复合机制；探索通信调制功能和LED照明器件相互影响机理。二是加强前沿技术研究。突破白光LED专利壁垒，光效达到国际同期先进水平；研究大尺寸si衬底等白光LED制备技术，加强单芯片白光、紫外发光二极管（UV-LED）、OLED等新的白光照明技术路线研究；突破高光效、高可靠、低成本的核心器件产业化技术；提升LED器件及系统可靠性；实现核心装备和关键配套原材料国产化，提升产业制造水平与盈利能力。三是强化应用技术研究。以抢占创新应用制高点为目标，以工艺创新、系统集成和解决方案为重点，开发高品质、多功能创新型半导体照明产品及系统，实现规模化生产；开发出具有性价比优势的半导体照明产品，替代低效照明产品；开展办公、商业、工业、农业、医疗和智能信息网络等领域的主题创新应用。四是建立共性技术平台。以创新的体制机制建立开放的、国际化的公共研发平台，加强共性关键技术研发；探索以企业为主体，政府、研究机构及公共机构共同参与的技术创新投入与人才激励机制，促进半导体照明前沿技术及产业化共性关键技术的研发与应用，支撑产品的创新应用和产业的可持续发展。五是完善产业发展环境建设。研究测试方法及开发相关测试设备，引导建立检测与质量认证体系，参与国际标准制定；开展知识产权战略研究，提升我国半导体照明产业专利分析和预警能力；积极探索EMC等商业推广模式。通过完善产业发展环境，促进技术研发和产业链构建，支撑示范应用，推动“十城万盏”试点工作顺利实施。

保障篇：

政策引导与产业促进财政支持国际交流人才创新

《规划》最后一项提到的是为达成上述目标和任务所要提供的政策措施。虽然没有透露任何可能投入的具体数字，但是，相关措施无疑在《规划》正式公布后会成为各级政府的施政依据。各级政府在规划的正式颁布后，将有政策的依据推行各种节能补贴，人才引进，国际交流合作及研发投入等对产业的支援性政策。

在政策方面，国家相当重视。《规划》中的虽然没有明确提出政策的名称体系，但是既然明确提出了相关内容，那么半导体照明产业的就具有了依托。我国的半导体照明发展尚处于初级阶段，如何有效的整合有力的国际资源是非常重要的，《规划》中明确提出了加强国际交流的措施，与发达国家互通有无，共同发展。这也从一个侧面反映出，我国将会加大对外资企业半导体节能照明科技的支持引导。人才创新、人才队伍建设是发展半导体照明科技的重中之重，发展技术，人才是关键，《规划》指出，积极引进海外人才，加强国内人才的创新能力建设，从整体上提高从业人员的整体素质和创新能力。

半导体照明产业的发展壮大，需要强大的财政支持，这就要求国家财政给予强有力的物质支持。物质保障是基础，技术研发是核心，而人才培养是关键。因此要想实现半导体照明的飞跃发展，人才创新、技术进步是重中之重。《规划》中明确提到的财政支持、人才创新是真正保证其发展的坚实后盾。

优势篇：

高节能寿命长高新尖

半导体照明，是节能能源。所谓节能能源即为环保无污染，直流驱动，超低功耗（单管0.03～0.06瓦）电光功率转换接近100%，相同照明效果比传统光源节能80%以上。

有人将LED光源称为长寿灯，意为永不熄灭的灯。固体冷光源，环氧树脂封装，灯体内也没有松动的部分，不存在灯丝发光易烧、热沉积、光衰等缺点，使用寿命可达6万到10万小时，比传统光源寿命长10倍以上。LED光源可利用红、绿、蓝三基色原理，在计算机技术控制下使三种颜色具有256级灰度并任意混合，即可产生256×256×256=16777216种颜色，形成不同光色的组合变化，实现丰富多彩的动态效果及各种图像。由于LED光源的光谱中没有紫外线和红外线，既没有热量，也没有辐射，眩光小，而且废弃物可回收，没有污染不含汞元素。由于LED是冷光源，所以可以安全触摸，属于典型的绿色照明光源。与传统光源单调的发光效果相比，LED光源是低压微电子产品，成功融合了计算机技术、网络通信技术、图像处理技术、嵌入式控制技术等，所以亦是数字信息化产品，是半导体光电器件“高新尖”技术，具有在线编程，无限升级，灵活多变的特点。

前景篇：

应用广泛产值巨大产品推广模式或将转变

当前中国半导体产业大而不强，核心竞争力仍有待于进一步提升。对国内企业而言，壮大规模、提高产品质量与技术水平是首要任务，掌握一手的核心技术、培育一流的研发团队对这些企业而言是占有市场份额的制胜法宝。有业内人士指出，目前LED光源仍主要应用在显示屏、背光源等领域，其最大的需求照明市场仍未打开，在全球节能减排以及各国开始逐步禁用白炽灯的背景下，通用照明市场的开启，无疑将成为LED产业发展的又一大亮点。

根据《规划》所提出，到2015年，LED照明产品在通用照明市场的份额达到30%，实现年节电1000亿度，年节约标准煤3500万吨。事实上，近期很多地方都出台了支持LED通用照明产品普及的具体政策措施。广东省将LED列入了《广东省战略性新兴产业发展“十二五”规划》，明确提出要扩大LED照明示范应用规模和范围，建设300万盏户外照明灯具，3000万只LED室内照明灯具，以及10个左右LED照明综合应用示范区。而根据2011年的《滨海新区促进新能源产业发展的若干措施》，天津滨海新区将重点支持实施区内LED校园、LED社区、LED工业园、LED交通等绿色照明示范工程，每个专案原则上给予最高不超过50万元人民币的贴息或资金补助。

半导体的核心技术范文第2篇

关键词：半导体;半导体设备;涂胶显影机;晶圆传送方法;产能计算文献标识码：A

中图分类号：TN305 文章编号：1009-2374（2016）04-0071-02 DOI：10.13535/ki.11-4406/n.2016.04.036

1 概述

半导体设备涂胶显影机是一种将不同工艺制程的机台整合在一起，作为一个整体的制程装备。该设备由载片系统、传送系统和制程系统三部分构成。典型的半导体集束型装备Track机是半导体前道工序设备中黄光区设备之一，其主要功能是光刻胶在晶圆表面的涂敷和显影。随着半导体装备光刻机新技术的发展，光刻机产能也在快速提高，特别是ASML公司的TWINSCAN技术以及未来基于传统TWINSCAN平台的双重曝光等新兴技术的成熟，更进一步提高了光刻机的产能，而涂胶显影设备作为与之协作的连线设备，为了匹配高产能力，半导体生产线也对机器人晶圆传送方法提出了更为严苛的要求。

2 晶圆传送发展历程

晶圆传送方法和集束型装备的布局有很大关系，根据其布局的不同，分为以下两类：

2.1 早期轨道式布局

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;Ti为空闲系数。

2.2 改良轨道式布局

早期轨道式装备的产能主要受加工单元布局制约，单元加工时间远大于晶圆传送时间，因此产能瓶颈是单元加工时间，为了平衡单元加工时间，提高主单元的利用率，产生了二代轨道式设备，如图2所示：

产能计算公式：

（2）

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;C为一次工作的晶圆数;TPmF为第一片独占设备时间;TPmL为最后一片独占设备时间。

3 复杂型集束设备TRACK的传片结构设计

改良轨道式布局的主单元利用率增加，单个轨道输出产能基本固定，当生产线产能要求很高时，轨道数需要成倍增加，由于是平面设备，空间利用率极低、轨道加工第一片上片和最后一片独占设备时间不能忽略、传送系统效率低下、空闲时间过高等问题突出，因此现在主流设备都采用复杂式布局设备。

复杂型集束设备TRACK，采用立体式设计，传片系统由2个自由度增加到4～5个自由度，可传送单元增加，提高了加工单元的利用率。同时载片系统采用2～4个上片工位，可不间断上片，消除了第一片上片时间带来的产能降低。传片结构如图3所示：

产能计算公式：

（3）

式中：TPi为单元工艺加工时间;TR为单元间传送时间;Tk为调度算法调整系数。

复杂式设备的立体布局，不仅制程单元向堆叠式发展，同时传送系统也由简单线性传送变成了复杂路径择优选择，由于载片系统增加到了4个，每个加工任务（Job）的工艺加工制程顺序由用户配置成加工流程配方（Cluster Recipe），因此传送系统的传送路径选择也必须兼顾多个载片系统同时工作的情况，使得传片的调度必须由专用算法来实现，即传送调度算法。

4 传片调度算法

传片系统调度算法最初产生的目的就是要提高设备使用效率（Uptime，在线时间），提高设备的产能，防止设备发呆情况的发生。

传片调度算法根据不同的机械手（Robot）和缓冲单元（Buffer）确定传送路径，通过循环遍历程序来检查传送路径上的空位，依次进行晶圆配方工艺流程和最佳的传送路径的选择和确定。这种调度算法采用的是实时判断条件、事件/消息驱动的模式，因此又称为实时调度算法。调度流程如图4所示：

其中：“晶圆流片分析”开始分析晶圆工艺配方流程;“最优选择”选择最佳传送路径。“最优选择”即调度算法核心部分。在实时调度算法的基础上，为了满足不同批次工作并行，能得到较好的产能等苛刻情况，增加了单元传送优先级设定、传送时间自优化，机械手取送优先级设定、机械手预移动等方法来提高产能，降低装备应用成本。

5 未来展望

未来的设备研发还在向着更高更多的应用方向发展，对于晶圆产能提高的期望成为客户和工艺共同的目标，进一步地压缩调度算法占用的时间成本，提高调度算法的优化比率，已经是迫切的需求。未来的晶圆传送调度算法，将向着传送时间日志化、显示化、传送路径预生成、传送路径用户自整定的趋势发展。

5.1 传送时间日志化、显示化

晶圆传送调度算法在一个调度周期内的传送时间记录成日志文件，并且将这种日志通过可视的图形方式显示给用户，让用户对特定某次的调度算法有一个直观的认识，这就是调度算法中传送时间的日志化显示化。如图5所示：

图示为具有两个robot、两个工艺单元的集束装备上片过程的传送时间日志文件的图形显示。

5.2 路径预生成

多个传送时间日志文件集合成数据库，在一个调度周期开始前预先根据这些数据库的记录生成传送路径，这种调度周期预生成，预固定的方式，将调度算法由全运算方式更改为查表方式和运算方式的结合，可以节约运算时间，直接提供可借鉴的优化路径选择。结合传送时间日志显示化，能够让用户在生产前就直观地了解到设备中晶圆的传送情况，并且根据数据库记载和当前的情况的对比，可以预测设备的健康状况，确定设备的维护周期和生命周期。另外，由于传送时间日志文件可以应用在同型号的同类设备上，因此这种文件形成的数据库将为设备增添高附加值，提高品牌价值。

5.3 传送路径用户自整定

半导体工艺是半导体行业的核心技术之一，半导体装备制造商的客户都有其独有工艺设计。这些工艺上带来的特定要求将会给传片系统带来不同程度的影响。鉴于这种特定要求是用户核心技术，不但不能推广使用，而且还要求装备制造商为其客户保密，因此允许客户对传送路径的适度修改是比较好的解决办法之一，这样的好处是避免了调度算法因为设计盲区造成装备的某些加工单元较低的利用率，提高了半导体装备对半导体工艺的适应性。由于这种调整完全由客户自主完成，也有利于其核心技术的保护。

半导体的核心技术范文第3篇

谅解备忘录签署后，中方将适当调整集成电路增值税政策。享受增值税政策的中国集成电路企业及产品将继续享受该待遇至2005年4月1日。

事件缘由

中美关于集成电路增值税问题的争端始于今年3月18日。该日，美国贸易代表佐立克宣布，美国政府于当日正式向世界贸易组织提出申诉，指控中国对进口的半导体产品征收歧视性关税，认为此种做法违背了世界贸易组织的规则，损害了美国半导体行业的出口。这是中国2001年加入世界贸易组织以来，美国第一次向该组织指控中国。

美国的此番指控是基于我国政府对集成电路产业的产业扶持政策。2000年6月24日，为支持中国半导体产业在十年左右的时间里成为在国内占主导和在国际市场上占有一席之地的优势产业，我国政府颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》的文件，即“18号文件”。

该文件的第41条规定：芯片生产企业2010年前按17％的法定税率征收增值税，对实际税负超过6％的部分即征即退。芯片设计企业获得的优惠更多，实际税负超过3％的部分即征即退。美国认为这一政策与WTO的国民待遇原则相违背，并提出中国在进口其他国家集成电路产品的时候，要按3％的税率计征进口环节增值税，让国外企业获得与中国企业的同等待遇。

对国内芯片产业的支持政策，使美国、日本和欧盟认为国内厂商得到了很大一部分退税，而进口到中国市场的其他国家或地区企业的产品因无法享受这样的优惠，在价格上失去竞争力。

中美两国就这一问题从2003年开始就频繁磋商，但始终未能达成一致。直至今年3月，美国就这一问题正式申诉到世界贸易组织。

阵痛中的企业

中美就集成电路增值税问题达成谅解后，中国的半导体企业将于明年4月1日后不再享受退税政策，中芯国际、华虹NEC、中星微、上海先进半导体等半导体企业虽然对于此次变动没有作出明确评价，但是，嗅觉敏锐的市场已经作出了一定程度的回答；在中美两国政府就集成电路增值税问题达成谅解后，中芯国际的股价持续下跌，已经逼近其历史最低点。7月9日开盘不久，中芯国际在香港股市即跌至1.56港元，后收盘于1.60港元，勉强维持在1.59元的历史最低点之上。

中国的半导体企业失去了这一政策支持，无疑将经受重大影响。虽然退税政策的取消是迟早要来临的，但是中美谅解的达成还是把中国的半导体企业进一步推向了世界。

熟悉我国半导体产业的人都知道，我国半导体产业处于幼稚产业状态。我国的半导体企业规模小，2002年我国集成电路产能仅占世界集成电路产能的2.5％，只有少数几家企业的营业额超过亿元人民币。创新能力弱是我国集成电路企业的又一大弊端。缺乏高附加值的核心技术严重制约了我国企业的发展壮大。

但也有专家认为，此次退税政策的取消对企业影响也许没有想象中的大。厦门大学国际贸易系郑甘澍教授认为，按照目前的出口退税政策，众多的中国半导体企业实际上很难享受到目前的退税政策，因此对企业的影响也不大；再者，早日让中国半导体企业面向世界更有利于我国半导体产业的发展。

我国半导体产业的出路

2003年，我国信息产业销售量达18800亿元，信息产业已经成为我国的第一大支柱产业，但是如此大的产值中组装占了相当一大部分，而真正属于高附加值的核心技术却是非常薄弱。从这方面看，我国的半导体产业尚处于幼稚产业状态，此番出口退税政策的取消或多或少会对我国的半导体产业有所冲击。

但是半导体产业必定要成长为我国的真正的支柱产业，退税政策的取消不意味着我国将不再扶持该产业。据业界相关官员称，我国将出台一些新的、更加有力的措施来扶持我国半导体产业的发展，比如在研发费用方面给予一定的税收优惠等等，当然，这些措施要更加符合世界贸易组织的相关规定，以避免类似事件的发生。

除了政府的政策性扶持外，我国政府和半导体企业还应该做好以下工作：

首先，政府各相关部门要做好为企业服务的工作。一方面政府各部门做好协调工作，为各个企业做好服务工作；另一方面，政府部门要成为各个企业的联系纽带。鼓励企业相互加强竞争，同时鼓励企业之间的并购，促进企业做大做强。

其次，各个半导体企业要加强核心技术的研发。芯片设计是半导体产业的核心所在，目前我国的半导体企业普遍在这方面比较薄弱。在加强芯片设计能力的同时，要提高芯片制造能力。制造能力的提高只要有相应的投资不难办到，但是芯片设计能力的提高不仅仅是一个投资的问题，更重要的是要有高素质的人才。

如此，我国的半导体产业才会形成竞争优势，进而提升我国的国家竞争优势。

半导体的核心技术范文第4篇

（产业前瞻与关键核心技术）重大研发需求及

指南修改建议征集工作的通知

各设区市科技局，国家高新区管委会，省产业技术研究院、省产业技术创新战略联盟，有关单位：

为贯彻落实省委省政府高质量发展要求，加快推进战略高技术部署和前瞻性新兴产业发展，着力构建自主可控现代产业体系，现面向全省开展2021年度省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）重大研发需求及指南修改建议征集，有关事项通知如下：

一、重大研发需求征集

本次重大研发需求征集主要面向新材料、人工智能、集成电路、高端装备等我省优势领域和前沿领域，聚焦制约我省自主可控现代产业体系建设的关键材料、重大装备和核心技术，梳理一批省内企业亟需通过技术攻关予以破题和解决的重大研发需求，作为今后计划项目组织实施的重点方向予以优先部署。各企业提交的重大研发需求应目标明确、场景清晰、参数具体，并从以下几方面进行说明。

1、问题描述。说明期望通过技术创新解决的具体技术瓶颈和技术难题，要求内容具体、指向清晰，有明确的性能参数指标，并充分描述说明现实应用场景，并包括自然条件、工况环境、成本约束等边界条件。

2、研发意义。从打破国外技术垄断、构建自主可控产业链、服务国家重大战略实施、提升产业核心竞争力等角度，结合本行业、本企业的实际情况，说明开展研发攻关的重要意义。

3、研发建议。如已形成较为成熟的思考，可提出具体建议，如可能的技术路径、技术方案要点，以及推荐牵头实施的单位或专家（不局限于省内）等。

二、指南修改建议

1、加强战略高技术部署，聚焦我省重点培育的战略性新兴产业和先进制造业集群，进一步凝练需求、突出重点，对现有省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）指南产业前瞻技术研发领域技术方向进行增补完善，提出具体修改意见。新增技术方向需附说明材料，已有技术方向可以提出调整或删除建议，并简要说明理由。技术方向增补完善突出以下三点：

（1）对接国家科技创新有关规划部署，结合地方资源禀赋和产业基础，重点增加本地区有条件及优势进行布局，有望在近年内获得重大突破，引领未来产业发展，且现有指南未涵盖的前瞻技术方向。

（2）聚焦地方优势产业整体提升及产业转型升级要求，以提高技术供给质量为重点，对现有关键核心技术攻关等领域的技术方向进行增补完善，重点增加完善地方及产业发展亟需突破的关键核心技术方向，提高指南技术方向与我省产业发展需求的契合度，强化科技对产业高端攀升的支撑作用。

（3）注重技术方向的有效性，对属于陈旧、淘汰的技术方向，或与现行产业发展趋势明显不匹配的技术方向，可建议删除。

2、请各设区市科技局、国家高新区管委会，围绕产业前瞻技术研发方向，结合当地特色战略性新兴产业发展需求，加强2021年重点项目的前期组织，依托省级以上重大创新平台、产业技术创新战略联盟和创新型领军企业，组织产业链上下游相关单位，以加快产业前瞻技术研发为主攻方向，科学凝练项目主题，遴选出共识度高、前期基础好的重点项目建议。

（1）充分发挥产业技术创新战略联盟的创新组织作用，在广泛调研的基础上，由联盟技术委员会组织研发实力强、创新水平高的联盟成员单位及产业链上下游相关单位，研究凝练项目主题，提出重点项目建议。

（2）加大跨区域资源整合力度，围绕地方最有条件、最具优势的领域，由龙头骨干企业根据产业发展的前瞻技术方向，在全国范围内吸引行业内一流高校科研院所参与合作，以形成重大标志性原创成果为目标，凝练项目主题，提出重点项目建议。

（3）充分对接国家重点研发计划以及科技创新2030—重大项目，围绕国家重大战略需求和重点产业的关键技术瓶颈，加强重点项目组织和谋划，为后续申报国家重点专项培育优质项目源；围绕我省已承担的国家重大项目，以支撑专项实施和推动成果落地为目标，组织优势单位对相关配套技术及装备开展针对性研制，凝练项目主题，提出重点项目建议，为推动国家重大科技成果在江苏落地奠定基础。

重点项目建议每个设区市科技局、国家高新区管委会限报8项。

三、其他事项

请各单位根据通知要求，提出指南修改建议及重大研发需求，并按附件格式和要求填报相关材料，加盖公章后于11月20日前由各设区市科技局汇总报至省科技厅高新处，同时将电子版发送至jskjtgxc@163.com。

联系人：施笑南张竞博

联系方式：025-83363239 83379768

附件：1、2020年度省重点研发计划（产业前瞻与关键核心

技术）项目指南

江苏省科学技术厅

2020年10月30日

附件1

2020年度省重点研发计划（产业前瞻

与关键核心技术）项目指南

省重点研发计划（产业前瞻与关键核心技术）以形成具有自主知识产权的重大创新性技术为目标，开展产业前瞻性技术研发、重大关键核心技术攻关，抢占产业技术竞争制高点，引领我省战略性新兴产业培育和高新技术产业向中高端攀升，为加快构建自主可控现代产业体系提供有力科技支撑。

一、产业前瞻技术研发

本类项目重点支持对战略性新兴产业培育具有较强带动性的产业前瞻技术，提升产业技术原始创新能力，引领新兴产业创新发展。

1．定向择优任务专题

1011高质量大尺寸（6英寸及以上）第三代半导体材料制备技术

研究内容：开展硅基和碳化硅基的大尺寸（6英寸及以上）氮化镓材料外延生长技术研究；开展大尺寸氮化镓单晶材料的生长技术研究；实现氮化镓材料的电学性能调控，针对光电子和微电子应用，分别实现高电子迁移率、半绝缘和低电阻率的氮化镓材料制备，并完成相关器件的性能验证，支撑第三代半导体产业的创新发展。

考核指标：（1）实现6英寸、8英寸硅衬底上高质量氮化镓基外延材料生产，位错密度达到107cm－2量级，翘曲度<30 um，AlGaN/GaN异质结二维电子气浓度>9E12cm-2，迁移率>2200cm2/V·s。

（2）实现6英寸氮化镓单晶衬底制备，衬底TTV<20 um，表面RMS<0.3nm，厚度>600 um，位错密度达到105cm－2量级，电阻率在0.01～109Ω.cm可调控。

1012 T1100及以上碳纤维材料制备技术研发

研究内容：开展T1100及以上级别的新一代碳纤维制备技术研究，突破T1100高品质原丝纺制技术、均质化预氧化碳化等关键技术，研发大通道外热式预氧化炉、宽幅高温碳化炉等关键生产装备。

考核指标：拉伸强度≥7000MPa，拉伸模量≥324GPa，批次内离散系数≤3%，批次间离散系数≤5%，断裂伸长率≥1.9%，含碳量≥95%，纤维直径≥5um，纤维规格≥12K。

2．高端芯片

1021 基于RISC-V架构CPU及第三方IP研发集成、微控制单元（MCU）、数字信号处理（DSP）、5G通信用射频芯片等高端芯片的设计技术和电子设计自动化（EDA）的平台设计技术

1022 高压功率集成电路、新一代功率半导体器件及模块等先进制备工艺及装备制造技术

1023 多芯片板级扇出（Fanout）封装、多芯片系统集成（SiP）封装、三维封装等先进封装测试技术

1024 大尺寸低缺陷高纯度单晶硅片、高功率密度封装及散热材料、高纯度化学试剂、高端光刻胶等关键材料制备技术

3．纳米及先进碳材料

1031 新型纳米传感器等微纳器件和纳米改性金属、二维纳米材料等新型纳米结构、功能材料制造与应用技术

1032 氮化镓、碳化硅等第三代半导体器件制备与应用关键技术

1033 大丝束等碳纤维低成本制备及复合材料设计应用技术

1034 高品质石墨烯宏量制备技术及改性、跨界应用技术

4．区块链

1041 共识算法、智能合约等区块链核心算法、开源软件及硬件

1042 高性能分布式存储、区块数据、时间戳等区块链存储核心技术

1043 非对称加密、多方安全计算、可信数据网络、隐私保护、轻量级密码等区块链加密核心技术

1044 区块链金融、区块链溯源、区块链物流、区块链数据共享等区块链应用技术

5．人工智能

1051 无监督学习、神经网络、类脑计算、认知计算等核心技术及软件

1052 AI视觉算法、自适应感知、新型交互模态、AI开源软件等应用关键技术、软件及系统

1053 嵌入式人工智能芯片、神经网络芯片、图形处理器（GPU）芯片等人工智能专用硬件和模组制造技术

1054 智能脑机接口、智能假肢、智能可穿戴设备等可移动智能终端关键技术

6．未来网络与通信

1061 多网络协同组织、可软件定义多模式无线网络、边缘环境网络功能虚拟化等新型网络关键技术与设备制造技术

1062 6G移动通信、毫米波与太赫兹无线通信、窄带物联网（NB-IoT）、光通信、北斗导航通信、微纳卫星星座等新一代信息网络关键技术与设备制造技术

1063 量子秘钥分发、量子光源、量子中继等量子保密通信核心技术及关键设备研发

1064 网络空间信息安全、物联网、工业互联网安全防护及保密关键技术

7．智能机器人

1071 多模态人机自然交互、通用机器人智能操作系统、机器人联邦学习等关键技术及软件

1072 人工触觉皮肤、高精度驱控一体化关节、新型精密减速器等机器人核心零部件制造及检测关键技术

1073 医疗及康复机器人、外骨骼机器人、足式行走机器人等服务机器人整机设计制造关键技术

1074 高精度重载机器人、先进工业机器人、特种作业机器人等工业机器人整机设计制造关键技术

8．增材制造

1081 记忆合金、金属间化合物、精细球形金属粉末、高性能聚合物等增材制造材料制备关键技术

1082 大功率半导体激光器、高精度阵列式打印头等增材制造关键设备设计制造技术

1083 4D打印、复合材料打印、移动式增材加工修复与再制造等增材制造先进加工工艺及关键设备制造技术

1084 面向制造领域的高效率、高精度、低成本、批量化增减材制造关键技术和设计制造软件系统

9．数据分析

1091 云存储、离散存储等海量数据存储管理技术

1092 高性能计算、云计算、边缘计算等核心技术

1093 数据挖掘、非结构数据自动分析、数据可视化等数据处理技术

1094 面向生产制造、能源管理、智能交通等场景的大数据应用软件及系统

10．先进能源

1101 高效低成本N型双面电池（TOPCon）和薄膜电池等新型高效太阳能电池及高可靠性低成本发电组件关键技术及工艺

1102 页岩气、核能、地热能、生物质能等新一代清洁能源关键技术

1103 可再生能源制氢、高效储氢加氢、安全用氢等关键技术

1104 能源互联网、微能量收集、新一代储能等关键技术

11．智能与新能源汽车

1111 辅助和无人驾驶、车路协同、智慧座舱、能源管理等智能化控制关键技术

1112 分布式驱动电机、混合动力驱动系统、固态激光雷达、车物互联（V2X）底层通信等关键技术及部件

1113 固态锂离子电池、固体氧化物燃料电池、氢燃料电池等高功率密度动力电池、高性能充电系统等关键技术及部件

1114 新能源汽车整车集成及轻量化设计及制造技术

二、关键核心技术攻关

本类项目重点支持高新技术优势产业发展所需的关键核心技术，为推动产业向中高端攀升提供技术支撑。

1．新材料

2011 高端光电子材料及先进显示材料制备与应用技术

2012 特种高分子、特种陶瓷、特种分离膜、金属有机框架（MOF）、生物可降解材料等新型功能材料制备技术

2013 高温合金、钛铝合金、海洋用钢、高端轴承钢、高性能纤维等新型结构材料制备技术

2014 新材料高通量计算方法及软件、高通量制备、表征及评价等材料基因组关键技术

2．电子信息

2021 国产操作系统和办公软件、工业控制软件、嵌入式软件等高端软件及硬件关键技术

2022 激光显示、Micro-LED等新型显示器件、工业级插件和连接器、有色金属氧化物（ITO）靶材等核心电子器件制备技术

2023 真空蒸镀机、高品质化学气相沉积（CVD）装置和湿法工艺等核心关键设备设计制造技术

2024 虚拟增强现实、数字媒体等先进数字文化科技关键技术

3．先进制造

2031 磁悬浮轴承、高端液压（气动）件、高精度密封件、微小型液压件等高性能机械基础件制造技术

2032 激光加工、精密铸造、高精度光学器件加工等先进制造工艺及装备制造技术

2033 高端数控机床、大吨位智能化工程机械、高精度智能装配装备、智能化大型海工装备、航空发动机等大型整机装备设计、控制软件及系统集成技术

2034 网络协同制造、按需制造、产品自适应在线设计等智能制造关键技术及软件系统

4．新能源与高效节能

2041 薄片化晶硅电池、钝化膜及钝化发射极、背面电池（PERC）等高性能低成本太阳能光伏关键技术

2042 10MW以上风电机组、低风速整机等先进风机关键技术

2043 大容量柔性输电、远距离特高压输电、大规模可再生能源并网与消纳等智能电网关键技术

2044 三废高效洁净处理及资源化利用、微界面反应、新型余废热高效利用等节能减排关键技术

5．安全生产

2051 安全生产信息化、灾害事故监测预警、危险气体泄漏检测及精准定位、生命探测等灾害预警侦测关键技术

2052 危险环境作业、安全巡检、应急救援等机器人，高机动救援成套化装备等安全生产智能装备制造技术

2053 便携式自组网通信终端、远距离透地通信及人员精准定位、井下水下远距离救援通信等应急救援通信关键技术

2054 危化品贮槽应急堵漏、危险气体泄漏安全环保处置、险恶环境灭火救援等灾害应急处置关键技术

6．其他非规划创新的关键核心技术

2061 除上述所列技术方向外，其他满足我省经济社会重大需求且技术创新性高、突破性强、带动性大的非规划创新关键核心技术。

半导体的核心技术范文第5篇

据国外权威机构预测，未来10年内，世界半导体年平均增长率仍将达15%以上，到2010 年全世界半导体的年销售额可达到6000～8000亿美元，它将支持4～5万亿美元的电子装备市场。

我国为了支持鼓励集成电路产业的发展，2000年以来，国务院颁布了《鼓励软件和集成电路产业发展的若干政策》，这对我国集成电路产业的发展起到了历史性推动作用。目前，我国集成电路产业初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、相互协调的发展格局，已成为有一定规模的高成长性产业，同时是全球集成电路产业发展最快的地区之一。

当前，集成电路的技术进步日新月异，集成电路技术已进入纳米级时代。世界集成电路大生产的主流技术从8英寸、0.25微米，正向12英寸、0.18微米过渡，根据美国半导体协会（SIA）预测，到2010年将能达到18英寸、0.07～0.05微米。我国集成电路产业的“十一五”规划基本目标是2006年到2010年，年均增长率为30%左右，2010年整个行业的销售收入达到3000亿元人民币，占全球市场的8％左右。集成电路制造工艺达到12英寸、90~65纳米。IC设计技术达到90~65微米。封装测试方面，BGA、SiP、CSP、MCM等形式能够达到规模生产。

我国信息产业的持续快速发展为集成电路提供了稳定的市场，如电子信息产品制造业的发展为集成电路产业提出巨大的市场需求；通信运营业的高速发展为集成电路产业提供新的需求；国民经济和社会信息化建设的继续推进给集成电路产业创造新的发展空间。国家重大工程和一些新项目的启动必将为集成电路产业创造大量新的增长点。

在稳定的市场环境中，我国在集成电路的技术发展中取得了诸多成绩。如，由我国独自制定的“TD-SCDMA”标准，该标准受到各大主要电信设备厂商的重视，全球一半以上的设备厂商都宣布可以支持“TD-SCDMA”标准，这为中国3G的发展创造良好环境；由中国科学院计算技术研究所承担的国家“863”计划项目 “龙芯2号增强型处理器芯片设计”所取得的成果攻克了具有自主知识产权的通用高性能芯片等一大批关键核心技术；国家“863”重大专项100纳米离子注入项目研制成功，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破,在该领域为自主创新产业。

半导体的核心技术范文第6篇

【关键词】东莞 LED产业

一、东莞发展LED半导体照明产业的机遇和优势

LED光源被公认为照明史上的第四次革命,具有高效、节能、环保等优点,目前成为世界发达国家竞相争夺的技术与产业战略制高点。据统计,近十年来,全球LED的市场规模年均增长率超过20%,LED照明市场被业界认为在未来10年将是成长最好的市场之一。我国对LED的研究起步较早,科技部支持的863计划,近十年来一直在支持LED技术的研究开发。2003年6月中国成立了国家半导体照明工程协调领导小组,正式起动“国家半导体照明工程”。广东作为我国LED产业大省,LED照明产业已被列为战略性新兴产业的突破口和主攻方向之一。东莞市东莞现有从事LED企业100多家,年产值超过50亿元,产品分布在衬底材料、芯片、封装、应用及配套材料等各个环节,初步形成了一条完整的产业链,并在产业链中下游形成了一定的产业集聚,特别是东莞勤上光电成功申报广东省地方标准项目《广东省LED路灯地方标准》,其申报的全国照明电器标准化技术委员会LED照明装置工作组获得初步成功,已被国家标准委批准筹建。其LED产品,在国庆60周年庆典、上海世博会上的出色表现,成为东莞LED产业的标兵。

二、东莞发展LED半导体照明产业的主攻方向

LED产业具有产业链长、多学科、多领域交叉融合的特点。LED产业链上游主要是LED衬底材料和LED芯片制造两个环节,具有高投入、高技术含量、高附加值的特点,集中了70%的利润;中游是芯片封装,特点是投入较低、以劳动密集和技术密集型为主,这一特点也决定了在封装环节进入产业的企业门槛低,目前仅中国就有从事封装的企业1000多家,在封装环节产生20%的利润。下游是应用,主要集中在背光源、显示器件、照明器件等,这一环节直接面对市场,需要市场、科研、开发和生产紧密结合。根据目前东莞LED产业发展现状及今后国际产业趋势,东莞发展LED产业的主攻方向将集中在以下四个方面:

第一,突破关键技术,主导行业标准。尽管东莞LED企业数量和产值较大,但是技术水平和产品档次总体不是很高,缺乏拳头产品和核心专利技术,针对这一情况,应着力在衬底、外延及芯片制备技术、封装技术、应用产品关键技术、配套及设备关键技术等重大关键技术上取得突破。能否取得LED行业标准的话语权是决定未来产业化和市场拓展的关键。东莞勤上光电作为东莞乃至国内LED应用的龙头企业,起草制定的《广东省LED路灯地方标准》是国内首个LED路灯地方行业标准。东莞应藉此契机,加大对龙头企业的扶持力度,争取在未来照明产品市场准入标准和检测评估标准的制定完善中起重要作用。

第二,立足小功率LED封装,发展大功率LED封装。封装工艺是一个非常重要的环节。目前东莞大部分LED封装企业都集中在小功率家电仪表、显示荧幕等封装领域,主要依靠订单进行生产,易受到金融危机等外部经济环境变动的冲击,有朝不保夕的风险。东莞目前LED产业在中下游集中度高,而LED未来应用的主要领域将以大功率照明为主。因此,东莞要根据自身电子信息产业规模大、LED应用前景广的优势,集中发展LED显示屏、中大尺寸背光源、汽车车灯、室内装饰灯、景观及通用照明等大功率LED封装测试。

第三,完善上游产业链,发展LED芯片。发展LED产业关键是掌握上游核心技术。近年来国内外LED产业迅速发展,大功率、高亮度和高稳定性的LED芯片已成为实施半导体照明工程的关键,对衬底材料的需求量日益增加,种类也呈现出多样化趋势。东莞中镓半导体有限公司是国内寥寥无几的几家氮化镓衬底企业之一,要以此为依托,加强新型衬底材料的研发和投产,实现半导体高端优质材料及有关装备的国产化和产业化。

第四,借力集群优势,拓展LED应用。目前东莞LED产业在中下游集中度明显,大部分企业都集中在LED产品的应用方面。随着LED技术的发展,成本的下降,近两年LED产品应用范围逐渐扩展,LED显示屏、中大尺寸背光源、汽车车灯、室内装饰灯、景观及通用照明的市场潜力巨大。东莞已被国家科技部正式确定为“十城万盏”半导体照明应用示范工程试点城市,同时也被列入广东省“千里十万”大功率LED路灯产业化示范推广工程城市,应借此契机,通过大规模的LED路灯示范应用,推广应用半导体照明,通过大功率LED路灯产业化示范推广,解决大功率LED关键技术难题,通过相关项目和工程的实施,形成具有自主知识产权、低成本、高可靠性的LED产业化制造技术,培育一批拥有自主核心知识产权的研发及生产龙头企业,促进半导体照明产业链的形成和延伸。

三、东莞发展LED半导体照明产业的突破路径

第一,优化LED产业布局。以常平、南城、企石、清溪、高为重点区域,依托这些区域的LED传统产业优势,发展半导体照明产业集群。重点扶持中镓半导体、福地电子、天域半导体、勤上光电、品元光电等重点企业。

第二,积极引进LED芯片企业。抓住我国台湾地区LED外延/芯片行业向外转移的契机,以InGaN芯片和InGaIP芯片技术引进为突破口,积极引进光磊、璨圆、华上光电等我国台湾LED外延/芯片企业落户东莞,尽快形成LED外延/芯片,尤其是高亮度LED外延/芯片的本地供应能力。抓住日本等国家封装测试环节产业向外转移的机会,重点引进其封装测试项目重点企业和科技含量较高的项目。

半导体的核心技术范文第7篇

业界要闻

(1)半导体生态改变类ldm成形无

(1)2012北京微电子国际研讨会暨第十届中国半导体封装测试技术市场年会在京举行无

(1)第二届北京微电子博士生学术论坛在中科院微电子所举行无

(2)士兰微电子推出新一代高恒流精度的非隔离led照明驱动芯片sd6900 无

(2)展讯入选三星gprs手机芯片供应商无

(3)同方微电子携手宏力半导体稳定量产0．13微米最小闪存存储单元sim卡无

(3)中微公司新一代等离子刻蚀设备无

(3)中兴通讯勇夺中国电信模块化ups集采第一无

(4)同方微电子thd86系列芯片荣获2012金卡片奖无

(4)我国集成电路芯片仍待掌握核心技术无

(4)复旦微电子集团参加2012全国城市通卡发展年会无

(5)联芯获9000万td芯片研发资金四核终端有望破千元无

(5)华润上华第二代200vs0i工艺实现量产无

(5)16支大学生团队角逐汽车电子软件设计大赛无

(6)cadence宣布使用armprocessor和ibmfinfet工艺技术流片14纳米测试芯片无

(6)imagination科技收购mlps部分专利资产无

(6)st推出先进调谐芯片，提升4g网速和电池续航能力无

(7)英飞凌推出集成诊断功能的智能电源开关无

(7)idt推出业界最低功率ddr3—1866内存缓冲芯片无

(7)vishay新型光隔离式mosfet驱动器无

(7)爱特梅尔提供集成触摸与传感器中枢功能微控制器解决方案无

(8)siiiconlabs推出相对湿度单芯片传感器无

(8)spansion宣布推出业界首款45nm8gbnor闪存无

(8)英特尔推首款60核芯片：霍金成首位用户无

(9)赛灵思宣布其20nm产品系列发展战略无

(9)lr针对车用推出可靠的a…r3320s智能电源开关无

(9)凌力尔特推出最低噪声、16位20mspsadc 无

(10)飞思卡尔推出首款基于can的智能传感器无

(10)oeva和nxpsoftware合作无

(10)st与奥迪携手共同推进汽车半导体技术创新无

(10)应用材料公司推出全新技术成就下一世代lod和oled显示无

(11)adi推出rf时钟10具有最低抖动性能和最，陕输出速度无

(11)altera宣布业界首款支持fpga的opencl工具无

(11)安森美半导体推出新的集成dc-dc转换器无

(11)ceva—teaklite-ill音频dsp助力凌阳科技无

(12)飞思卡尔最新推出用于智能电表篡改防护的xtrinsic传感器无

(12)adi推出业界最小的隔离式dc-dc转换器无

(12)microsemi推出新型高成本效益瞬态电压抑制器无

(13)中国物联网市场2020年或达万亿元级别无

(13)2012年第三季度硅片出货量下降无

(13)安富利电子元件亚洲与北京市政府签署谅解备忘录无

(13)上海集成电路研发中心与synopsys共建先进工艺技术实验室无

(14)全球晶圆设备支出今年衰退10％无

(14)cadence获tsmc授予的两项“年度合作伙伴＂奖项无

(14)应用材料与上海集成电路研发中心签署战略合作备忘录无

产业发展

(15)我国集成电路设计业发展十年回顾及其发展对策和展望赵建忠

无

(26)ceva与gsn合作提供基于软件的低功耗gnss解决方案无

产业发展

(27)国际半导体技术发展路线图（itrs）2011版综述（4）周润玺（译）黄庆红（校）

高端访谈

(42)avago扩展门驱动光电耦合器系列无

无

(43)与客户紧密合作，做最好的晶团代工伙伴——访联华电子副总经理王国雍先生无

高端访谈

(45)安森美半导体：推动高能效，让世界变得更绿更节能---访安森美半导体应用产品部高级副总裁兼总经理bobklosterboer先生、大中华区销售副总裁谢鸿裕先生

无

(47)面对28nm主流技术的挑战——访无锡华大国奇科技有限公司总裁谷建余先生无

设计

(50)医疗内窥检查超低功耗电感复用射频前端芯片设计李琛赵宇航陈龙刘军华廖怀林

(57)一种应用于纳米工艺存储编译器的高效且精确例化功耗表征方法陈宏铭李宗铭蔡旭回黄坤进

无

(61)aitera提供简化工厂自动化系统的工业以太网设计无

测试

(62)功率器件的瞬态热阻测试孙铣

应用

(67)深入解析java智能卡的可执行文件丁颖

无

(71)预加重与线性均衡技术在高速背板中的应用杨春梅

(76)使用socfpga实现汽车雷达的数字化处理无

(84)cadence encounter技术被open—silicon公司成功采用无

(85)c＊ core可扩展和可定制化的设计平台肖佐楠蒋斌黄涛

半导体的核心技术范文第8篇

信息技术产业正经历重大创新和变革

第一，核心技术重大突破即将来临。一方面，新材料、新结构、新工艺的引入推动摩尔定律继续前行，不断突破互补金属氧化物半导体工艺特征尺寸等比例缩小的壁垒。另一方面，系统级芯片将成为集成电路产品创新的主流。随之而来的是，计算体系结构面临深刻变革；网络技术向宽带、无线、智能以及超高速系统、超大容量方向发展；软件技术加快向网络化、体系化、服务化、高可信方向发展；感知技术向智能化突破，产业价值链得到整合和延伸。

第二，融合创新成为产业发展的新路径。以技术二次开发和深度应用为特征的融合创新，大大增强了产业间的关联性，并催生网络娱乐等新的业态。融合互动成为商业模式和业务创新的基点。

第三，产业发展模式面临新变革。信息技术产业竞争形式从企业竞争演进到产业链竞争。基于终端、网络、软件、内容、服务的产业链重构和整合能力，成为抢占产业发展主导权的关键。产业集群正加速从成本导向到创新驱动升级，形成由制造集聚走向研发、制造集聚，形成创新型的产业基地和园区。

第四，绿色化成为发展的根本要求。未来绿色制造将植根于信息技术产业的每个环节，产品设计低能耗、长寿命要求越来越高，要求最大限度地实现节能减排。

第五，信息技术应用深化催生新的产业增长点。信息技术在带动工业、服务业结构升级的同时，也在催生一大批新兴产业形态，包括以汽车电子、医疗电子、金融电子为代表的应用电子产业，以太阳能光伏、半导体照明为代表的绿色能源产业。生产业正成为加速传统产业调整的重要驱动力。

力争我国信息技术产业实现新跨越

半导体的核心技术