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不一样的热插拔(hot swap)控制器

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美国国家半导体产品设计工程师/Neil Gutierrez

引言

热插拔(hot swapping)的定义是从一块正在通电运作中的背板(backplane)上插入或移除电路板。这项技术被广泛应用在电信服务器(telecom servers)、USB界面、火线(firewire)界面 和 CompactPCI应用等 [参考1]。这种技术可在维持系统背板的电压下,更换发生故障的电路板,而同时系统中其它正常的电路板仍可保持运作。然而,在工作中的背板上进行热插拔时,最危险之处便在于电路板上的电容器,因为它们可能只提供一个很低的阻抗路径(impedance path)给电源,因此可能产生大的突波电流(inrush current)。突波电流将会损毁电路板上的电容、导线和连接器。此外,系统电压亦可能会因突波电流而下降到系统重启临界值以下,导致其它连接着背板的电路板被重新启动。

热插拔控制器的设计原理,是利用控制一个外加FET(图1)来限制突波电流。此外,在输出短路到接地或发生剧烈负载瞬时时的故障情况下,此控制器亦可限制电流。设计人员在选择一个合适的FET时,通常都认为只要该FET能抵受DC电流负载和最大输入电压便足够。但如果当问题发生在控制器,而该控制器又是唯一可控制电流的组件时,此类控制器在任何的操作条件下都无法确保FET处于安全操作范围(SOA)内。本文将比较两种控制器,一种仅具备电流限制的控制能力,而另一种则是同时拥有功率和电流限制控制能力的热插拔控制器,例如美国国家半导体的LM5069。文中将展示不管在正常工作或者是短路故障情形下,只要将电流和功率限制的功能结集一起,就能够确保FET在SOA的范围内。

控制器

图1所示为LM5069热插拔控制器。当突波电流流经感测电阻器(Rsns)时会被感测到,而控制器将只会容许一个预定的最大电压通过Rsns。假如电压增加并超过这个最大电压值时,控制器便会调整闸极电压以维持电流处于该极限,而此极限电流会维持一段有限的时间,至于电流限制所容许的最长时间会因应故障检测电流、故障临界值和外加电容器来决定,并且通过定时器(TIMER)接脚来编程。一旦TIMER到达故障的临界值,控制器便会关闭闸极,同时输出会脱离系统的输入电压。系统欠压和过压会分别经由UVLO和OVLO接脚上的电阻分压器检测。这个组件可验证输入电压是处于指定范围,还是在欠压临界值以上或过压临界值以下。假如输入电压在指定范围以外,闸极便会关闭。电源正常接脚(PGD)是一个开汲极(Open Drain)输出。当输出(VOUT)还有几伏便到达输入(VIN)时,开汲极接地型电阻组件(open drain pull down device)便会被关闭,而PGD会上拉到VOUT电轨。PGD输出可以用来指示下游电路以表示VOUT电压正处于“正常”。PWR接脚上的电阻会决定通过FET的最大功率极限,稍后将再详细讨论此一功能。

图2所示为只可限制电流的热插拔控制器,除了过压和功率限制功能以外,它具备所有LM5069的功能。

当在热插拔事件或短路故障期间控制电流时,外建MOSFET必须保持在SOA范围内以防止FET发生故障。图3是Vishay的SUM40N15-38 场效应管的SOA曲线[参考2],图中可见它的最大漏极到源极电压(Vds)为110V,而在低的Vds时,电流会被FET的rDS(on)所限制。图中所见随时间量度出来的曲线便是FET的最大能量极限。

在SOA曲线上可以画出一条直线(图3中的红线)来表示只有电流限制的控制器。在正常操作时(即Vds低),电流会被限制到最大5A,而FET亦会在SOA范围以内。可是,当Vds较大时,控制器的限制仍停留在相同的电流极限,而根据编程故障时间的长短,FET有可能走出SOA范围以外。例如,假如系统的背板电压是50V,电流限制设置成5A和编程故障时间为40ms时,输出短路便可能导致FET的操作脱离SOA范围(图3中的红线)。

图4中的蓝色曲线表示同时结合有电流和功率限制功能的LM5069。当中组件的编程电流限制被设定成5A,而功率限制则被设置成50W,至于故障时间再一次被编程到40ms。现在,当50V的输出发生短路时,组件将不会再在电流限制模式(5A)中工作,取而代之是在功率限制的模式下(50Vx1A=50W)。这时,FET将仍然在10ms的SOA曲线下面,防止FET发生故障(图3中的蓝色虚线)。同样地,当一个热插拔事件发生在50V输出时,功率限制模式将会把FET维持在SOA范围以内(图3中的蓝色虚线)。当Vds

实测结果

在实验中,LM5069和电流限制控制器电路板的实测波形都同样地具备有50V的输入、5A的电流限制和40ms的故障时间,而LM5069则多了一个50W的功率限制功能。两个应用电路板最后都通过一个负载电阻器将输出设成短路,从而使得Vds增加。

图5所示为电流限制控制组件的波形。输出负载将Vds增加到30V。在最初时,电流被限制在5A,但经过10ms后,FET出现故障并且输入电压短路到输出电压。输入电压阻止和将电流限制在电源的电流极限。即使定时器到达40ms的时限,但都不能关闭闸极,原因是FET已遭损毁。查看SOA曲线,会发现FET在Vds = 50V 和 Ids = 5A时只能承受一个10ms脉冲的时间,一旦FET因电流限制控制器而超过10ms时, FET便会发生故障(图9中的红色虚线)。

正如图6所示,输出负载将Vds增加到45V,同时LM5069将流通FET的功率限制在50W。一旦定时器到达故障临界值,组件便会关闭FET。在这个短路的情况下,LM5069能够有效地在SOA曲线的范围内控制FET(图8的蓝色虚线)。

图7展示了在纯电流限制的情况下,LM5069表现出多功能性。在这个情况下,输出负载导致电流增加,但幅度不大所以不会使Vds增加。LM5069以电流限制的模式操作,并把电流限制在5A。当过了40ms的编程故障时间后,FET便会被关闭。同样地,LM5069将FET控制在SOA范围以内(图8中的绿色虚线)。

结论

具备电流限制能力的热插拔控制器可提供可靠性,甚至可防止FET出现严重故障。为了防止FET超出SOA范围,用户需要选用比较大型的FET和散热器以便得到可靠的故障保护。LM5069结合了具有编程能力的功率及电流限制能力,所以无需使用大型的外建FET,就能把FET维持在SOA的安全范围内。