深圳先进院新一代太阳能电池合作研究取得进展

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6月初，中国科W院深圳先进技术研究院与香港中文大W合作，成功研发出了光电转换效率达17％的铜铟镓硒(cIGS)薄膜太阳能电池，领先全国，比肩世界顶级水平。

该工作由先进院集成所光伏太阳能中心团队和香港中文大W共同完成。cIGs电池以价格低廉的玻璃、塑胶、金属箔片作为基底，再镀上1／200mm的多层薄膜材料组成，可在阴天及散射光下发电，适用于高楼林立的城市环境，比传统的晶体硅太阳能电池薄50倍，成本降低一半，被称为“下一代非常有前途的新型薄膜太阳能电池”。

此次深港合作研制的CIGS电池，纤薄易携，性能稳定，既适用于给屋字楼顶及建筑外墙发电，也可植入手袋及背包等个人物品_实时为电子产品充电，还可用作航天及军用电子设备电源。如果在屋顶上铺10平方米CIGS电池每日可供5～6度电，足够提供4人家庭一日之用。如果是面积为10cm×10cm的CIGS电池，在阳光充足的条件下，为一部手机充满电只需2～3小时，价格预计为30港元。而JICIGS电池耐用度可达20年，保养简单，只需偶尔抹拭电池表面便可。

半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器

近日，中国科W院半导体研究，所纳米光电子实验室与超品格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb／A1GaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2um出光功率63.7mW，达到国内领先水平。

中红外2～3.5um波段激光器在气体检测、环境监测、激光制导、红外对抗、激光雷达等诸多领域有着十分广泛而重要的应用。

半导体所纳米光电子实验室和超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组首先深入系统地研究了InGaAsSb、A1GaAsSb等异质结和量子阱材料的分子束外延生长，通过优化生长温度、V／III族元素束流比等参数，掌握了As／Sb界面控制、应变控制、掺杂等核心技术。在获得了1.7～2.3um的室温发光量子阱材料基础上，进一步研究了激光器台面腐蚀(刻蚀)、电极制备等工艺，获得了侧壁陡峭的脊型台面、n-GaSb欧姆接触电阻率1×10-4cm2的激光器结构。

结合激光器外延生长和锑化物工艺，研制出InGaSb／A1GaAsSb应变量子阱激光器。激光器采用FP腔窄条8×800um结构，工作电流450mA时激射波长1.995um，激射谱半高宽0，35nm。室温连续工作下出光功率达到82.2mW。