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陶瓷电容器

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陶瓷电容器范文第1篇

独石电容器是片式多层陶瓷电容器的另一个称呼,缩写是MLCC,是世界上用量最大、发展最快的片式元件品种。独石电容具有体积小,容量大,绝缘电阻高等特点,可在高频、高温环境下使用,因此特别适合手持设备。

独石电容器的发展趋势是:片式化率迅速增长;尺寸不断缩小;厚度不断变薄变轻;生产规模不断扩大;复合度不断提高;技术不断更新。低失真率和冲击噪声小、寿命长、高安全性和高可靠性、低成本的独石电容器不断涌现。

目前,主要的独石电容器的国外生产厂家有村田制作所(MuRATA)、TDK、AVX、京瓷、太阳诱电、三星电子等,国内的风华高科也是独石电容器的重要厂商。

在这些厂商当中,独石电容器销售额最大的是日本的村田制作所(MURATA),其本身也是全球最主要的陶瓷电容器制造商,可以满足从3V以下到数千伏高压的广泛应用需求。村田制作所的电容产品涵盖独石陶瓷电容器、独石陶瓷电容器(汽车用)、独石陶瓷电容器(引线型)、中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型/中高压用陶瓷电容器、安全规格认证型陶瓷电容器、高压用陶瓷电容器(10-40kV)、高频功率陶瓷电容器、高频用单层微型片状电容器、陶瓷微调电容器和网络电容。基于独特的设计及加工技术,村田制作所可提供各种片状MLCC产品,从0402尺寸的超小型,到用来替代钽电容和电解电容的大电容产品,及低ESL型、高频用产品和排列型产品。简而言之,村田的陶瓷电容器几乎可以满足所有可能的应用需求。该公司还提供包括超小型和超薄型在内的各种各样、类型广泛的微调电容器。

仅仅是独石电容器,也有根据容量、用途等方面的进一步细分的要求,因此又衍生出大量不同封装和容量的电容器。村田制作所的大容量电容可用于去耦和平滑滤波;GRM(COG)和GRM(u2J)两个系列适合频率控制/调谐、阻抗匹配LLL、LLA/LLM、ERB、GJM、GQM系列可剧于高频去耦,在ESR和工作频段上有所不同;GMA系列适用于高频通信,可实现引线结合/芯片键合;GRM(SL.u2J)可用于中高压高频缓冲,其损耗值较低;GRM中220pF~1μF的电容适用于中高压的去耦、平滑;GR7系列电容的容量可达10 000~47 000pF,可承受350V的电压,非常适用于为照相机闪光灯充电;GR4系列的耐压达到2kV,容量为100~4700pF,可用于通信设备中;GD和GF型通过了安全规格认证,也适用于通信设备;GC、GF、GB、GA2型可用于交流电路的降低噪声;对于汽车、安全设备、传动设备等专用领域,村田制作所也有大容量型、低ESL型和用于温度补偿的型号。

陶瓷电容器范文第2篇

关键词:断路器;开断容量;并联电容。

从麦克维尔公司得知北美市场由ABB公司和三菱公司供货的额定短路电流63kA的断路器都是在断路器出线套管上并联耦合电容器。不同点是ABB公司是在单侧套管并联一只耦合电容器,而三菱公司是在两侧套管各并联一只耦合电容器。因此罐式断路器在原来额定短路电流50kA结构基础上加并联电容器是个可行的方法。

1 技术方案

由以上得到的资料和现有产品的结构考虑,额定短路电流63kA的断路器安装并联电容器有三种方案是具有可行性和可操作性的。具体如下:

方案一:断口间并联陶瓷电容片

从550kV断路器及363kV断路器进行过的额定短路电流63kA的近区故障L90试验的现有经验考虑,在断口间并联TDK陶瓷电容片。电容片额定参数:电容值:2900pF;额定电压:8kV;工频电压:16kV;破坏电压:AC28kV、冲击60kV。额定短路电流63kA断路器的工频耐压试验电压:520kV;雷电冲击耐压试验电压:1175kV;操作冲击耐压试验电压:950kV。断路器断口间一个电容串中要并联35片陶瓷电容片,电容串额定参数:工作电压:280kV;工频电压:560kV;破坏电压:980kV;电容值:82.86pF。端口间可以并联16串电容串共560片陶瓷电容片。总电容值:82.86pF/串*16串=1326pF。断路器断口间并联16串电容后灭弧室屏蔽罩绝缘距离不够,直径需要由原来的φ395mm加大到φ445mm。其余零部件不需要改动。

方案二:断口间并联充油电容器

以现有550kV断路器和800kV断路器成熟产品为基础,断口间并联均压电容器。550kV断路器均压电容器参数:电容值:300pF;外形尺寸:φ93X600mm;试验电压:460kV;雷电冲击电压:1050kV;操作冲击电压:850kV。800kV断路器均压电容器参数:电容值:500pF;外形尺寸:φ93X750mm;试验电压:650kV;雷电冲击电压:1600kV;操作冲击电压:1200kV。额定短路电流63kA断路器的工频耐压试验电压:520kV;雷电冲击耐压试验电压:1175kV;操作冲击耐压试验电压:950kV。550kV断路器的并联电容器的绝缘能力不能满足工作要求,800kV断路器的并联电容器的各项参数均能满足工作要求。而且从800kV断路器设计思路看,就是把两只363kV断路器灭弧单元串联而成800kV断路器灭弧单元,二者的行程、灭弧室主要部件均相同。这样800kV断路器的半极完全满足在363kV工作电压下工作。

363kV断路器断口间并联两根800kV断路器并联电容器。原来的屏蔽罩需要由φ395mm加大到φ455mm,灭弧室中心线参照550kV断路器偏移50mm后,使屏蔽罩对地距离为101mm。这样就会带来相应装配件修改设计,包括断路器两端封盖重新设计、灭弧室两端支撑绝缘筒部分修改及套管导电杆减短。

方案三:套管上并联耦合电容器

从麦克维尔公司得到的信息是ABB公司和三菱公司供货给北美市场的362kV断路器套管上均并联耦合电容器。从ABB公司的耦合电容器图纸看到电容器套管总长度2800mm左右,ABB公司362kV断路器套管总长度也是2800mm。而363kV断路器套管3800mm,直接并联后外部电场不容易控制。我们向麦克维尔公司咨询过他们可以根据使用要求订制符合使用要求的电容器。如果采用耦合电容器方案,363kV断路器不需做任何修改,只需做两个连接板直接把耦合电容器并联在套管外侧。

3 结 语

陶瓷电容器范文第3篇

LCM内部结构

STN-LCD彩屏模块的内部结构如图1所示,它的上部是一块由偏光片、玻璃、液晶组成的LCD屏,其下是白光LED和背光板,还包括LCD的驱动IC,和给LCD驱动IC提供一个稳定电源的低压差稳压器(LDO),二到八颗白光LED,LED驱动的升压稳压IC。

LCM电路结构

STN-LCD彩屏模块的电路结构如图2所示,外来电源Vcc经LDO降压稳压,向LCD驱动IC如三星的S6B33BOA提供工作电压,驱动彩色STN-LCD的液晶显示图形和文字;外来电源Vcc经电荷泵升压稳压,向白光LED如99-21UWC提供恒定的恒压、恒流电源,LED的白光经背光板反射,使LCD液晶的65K色彩充分表现出来,LED的亮度直接影响LCD色彩的靓丽程度。

LCM主要光电器件

l Colour STN-LCD

l LCD Driver : S6B33BOA

l LCD Driver LDO :AAT3221-2.8V  AAT3221-3.0V

l White LED : 99-21UWC/TR8 99-215UWC/TR8

l LED Driver : AAT3110  AAT3113  AAT3123  AAT3134 NCP5007   NCP5008/9

l Backlight Board

LCD

LCD液晶显示器是英文Liquid Crystal Display的简称,LCD属于平面显示器的一种,依驱动方式来分类可分为静态驱动(Static)、单纯矩阵驱动(Simple Matrix)以及主动矩阵驱动(Active Matrix)三种。其中,被动矩阵型又可分为扭转式向列型(Twisted Nematic;TN)、超扭转式向列型(Super Twisted Nematic;STN)及其它被动矩阵驱动液晶显示器;而主动矩阵型大致可区分为薄膜式晶体管型(Thin Film Transistor;TFT)及二端子二极管型(Metal/Insulator/Metal;MIM)二种方式。TN、STN及TFT型液晶显示器因其利用液晶分子扭转原理之不同,在视角、彩色、对比及动画显示品质上有高低层次之差别,使其在产品的应用范围分类亦有明显区隔。以目前液晶显示技术所应用的范围以及层次而言,主动式矩阵驱动技术是以薄膜式晶体管型(TFT)为主流,多应用于笔记本电脑及动画、影像处理产品。而单纯矩阵驱动技术目前则以扭转向列(TN)、以及超扭转向列(STN)为主,STN液晶显示器经由彩色滤光片(color filter),可以分别显示红、绿、蓝三原色,再经由三原色比例之调和,可以显示出全彩模式的真彩色。目前彩色STN-LCD的应用多以手机、PDA、数码相机和视屏游戏机消费性产品以及文书处理器为主。

LCD驱动IC

LCD驱动IC多选用日立、三星公司产品,如三星公司的S6B33BOA是一颗具有很好性能/价格比的65K色彩饱和度的STN-LCD驱动IC。

由于手机、PDA、数码相机和视屏游戏机消费性产品都是以电池为电源的,随着使用时间的增长,电源电压波动较大,LCD驱动IC需要一个稳定的工作电压,因此设计电路时往往经由一个低压差稳压器(LDO)提供一个稳定的2.8V或3.0V电压,如AAT3221。

白光LED

按背光源的设计要求,需要前降电压(VF)、前降电流(IF)小,亮度高(500-1800mcd)的白光LED。以手机LCM为例,目前都使用3--4颗白光LED,随着LED的亮度增加和手机厂商要求降低成本和功耗,予计到2004年中LCM都会选用2颗高亮度白光LED(1200—2000mcd)。PDA和Smartphone由于LCD屏较大会按需要使用4--8颗白光LED。

EL 99-21/215UCW/TR8是具有很好性能/价格比、自带反射镜的白光SMDLED,其亮度分为T、S、R三个等级,T为720-1000 mcd,S为500-720 mcd,都是在手机LCD背光适用之列。其品质等同于NACW215 / NSCW335。

LED驱动

白光LED的驱动需要供给恒定的电压或恒定的电流,而手机电源一开始工作电压就往下降,因而需要升压器件升压、稳压。为了减少升压器件的工作频率对手机射频(RF)的影响,一般选用以电容器为电能传递中间体的电容式电荷泵;以电感器为电能传递中间体的升压器能输出较高电压。

电容式电荷泵的效率按其升压方法分有倍频和分数倍频二种,前者效率约90%,后者效率约93-95%;电感式升压器效率约83-85%;电容式电荷泵按其输出分有恒压输出、恒流输出;按其对LED驱动的方法分有并联恒压驱动、单个恒流驱动、串联恒流驱动;电感式升压器都是恒流输出,输出电压较高,对LED串联驱动。

倍频升压的电容式电荷泵如AAT3110,5V恒压输出,最大电流120mA,并联驱动LED,如图3所示。

分数倍频升压的电容式电荷泵如AAT3113,有4-6路恒流输出,每路能输出20mA电流,单个恒流驱动LED,具有32级调光功能,如图4所示。AAT3134将输出DAC模块分成二块,其输出可分别驱动双屏显示的大小LCM模块。

NCP5009是带光敏传感器的背光LED驱动升压器,适用于自动调光的高档手机LCM,对LED串联驱动,如图5所示。NCP5007是可恒流驱动5颗串联的LED、PWM调光的背光LED驱动升压器,如图6所示。

新型的电荷泵、升压器输出端内部都内置MOSFET,可动态地调整负载内阻,省却为平衡由于LED内阻不一需要外加的匀流电阻;

陶瓷电容器范文第4篇

设计

许多年前,人们发现在空气中测试500VDC以上的电压时,MLCC标准设计的性能出现了问题。有效层(activelayer)之间的内部击穿和接线端之间的表面弧导致了故障的出现。为了解决电容器的有效区(active area)的电压应力问题,制造商开发出了一种串联“浮动电极”设计,在单个元件内有效集成了2个以上的电容器组。图1是这类设计与标准MLCC的比较。

标准MLCC

这些电容器的电容值通常是相同的,所以在这种情况下每个电容器的有效电压(VC)都等于施加在该器件上的总电压(VT)除以电容器的数目(n)即

VC=VT/n

利用这种方法可以降低每个电容器组的有效电压。高压电路的设计者还利用这个原理,通过串联单个电容器来降低每个电容器的电压。不过,在两种情况下总电容(CT)都将会下降:

1/CT=(1/C1+1/C2…+1/Cn)

利用一台高速相机观察到了另一个重要的问题,即在一个标准电容器设计上施加一个电压之后出现的表面电弧放电现象,如图2所示。

“浮动电极”串联设计可以有效地解决表面弧的问题。不过,与如前所述的标准设计相比,其主要弊端在于其较低的容量。

表面电弧放电问题可以通过涂层电容器得到进一步的解决。增加引线和涂覆环氧树脂是一种有效的解决方案,但如此一来这种产品不再是可以表面贴装的。近来已出现一些涂层已用来保持表面贴装的能力,但是这些解决方案过于昂贵,而且制造工艺非常复杂。组装电路板类似涂层的应用还可以防止电弧放电的发生,但是除了额外成本外,在许多情况下涂层会不利于最终用户最后组装期间的进一步焊接。

为了克服这些缺点,人们开发出了HVArc Guard电容器,它采用了专利的内部电极配置,可以防止表面电弧放电现象。尽管这种配置不会像串联设计那样能够降低内部有效电压,但在许多情况下有效重叠区(active overlap area)会增加超过300%,有助于实现较高的容量和使电容器进一步小型化。HVArc Guard MLCC的横截面如图3所示。

在HVArc Guard设计中,防护电极包围着有效电极,在端点电荷和有效层之间形成一个屏障。得到的电场可以阻止端点到端点的电弧,并增加dc击穿电压水平。防护电极只占很小的空间,留下其余的部分给有效电极,进而增加了可用容量。

电路板弯曲

如同在前一部分中提到的那样,焊接引线和涂层已广泛用于生产高压元件。除了引线外,引线框也可以用来封装多个电容器,以得到更高的容量和增加符合性。尽管增加一个鸥翼型引线框会显著增加元件的成本,但是它可以避免电路板弯曲的发生。直到最近,都没有有效的方法来增加表面贴装器件端点的符合性,但这个历史已经一去不复返了。通过在环氧聚合物端点上加上银,可以防止电路板弯曲时发生的故障,进而增加可靠性。这种选择目前已用于我们的OMD-Cap范围高压系列设计以及HVArc Guard电容器。当电路板弯曲时,标准电容器与相同HVArc Guard电容器的聚合物端点的测试显示的故障率差异如图4所示。

材料

高压电容器通常是采用X 7 R和COG电解质制造的。这些名称描述了在55~+125℃温度范围内电容的温度系数将分别为美国电子工业协会(EIA)的±15%和±30×10-6/℃。COG电容器也可以用更常用的术语表示,即NPO(正负零)。不过,值得注意的是,在1kHz条件下以1Vrms进行电容测量非常重要,各种材料可以用这些名称来描述。对许多电源应用来说,重要的是知道在某个具体电压下的电容容量。X7R和COG(NP0)电容器之间存在显著的差异;施加了De电压的X7R电容器将释放出大量容量,而COG(NPO)电容仍然没有太大的变化。出现这种现象是由于与COG(NPO)电解质的铁电性质相比,铁电X7R材料在剩余极化(remnant polarization)方面有根本的不同。实际上,虽然X7R MLCC具有高得多的容量,但是其容量在施加DC电压时会显著下降。这方面的一个例子如图5所示。

因此,当采用多层电容器时,设计人员必须考虑到施加电压下的可用容量。

如前面叙述的那样,有许多材料可以满足X7R或COG(NPO)的这类TCC要求。这些材料与各种设计的组合并不能在施加的DC电压下以完全相同的方式实现。不同制造商任何给定电压的可用容量一定会有很大的差异。较高的电压可以与X7R电解质中的铁电畴(ferroelectric domain)相耦合,在元件上产生一种机械应力。这种“压电应力”会导致电容器在z方向上若干微米的移动。当然,这是根据压电执行器的原理,但是在MLCC的情况下,连续的电压尖峰会导致应力裂纹和故障。为了解决这个问题,应该使用这种具有降低压电耦合能力的2000VDC以上额定值 的X7R电解质电容器。降低耦合系数的影响可以增加击穿耐压,如图6所示。

这些设计采用了完全相同的有效厚度和“浮动电极”型设计。唯一的差异在于X7R电解质的新制剂方面的修改,它可以减少与施加电压的耦合。这种新制剂已用于我们的高压OMD-Cap产品线。

AC电压的考虑因素

在许多应用中,AC电源处理以及承受AC电压的能力至关重要。测量这种能力的一种典型方法是在各种高频条件下施加AC纹波电压,直到电容器增加到超过环境温度20℃以上。不过,在X7R电容器与COG(NP0)的电容器之间又一次出现了显著的差异,前者的剩余电偶(remnant dipole)随着施加的电场移动而引起发热,而后者在这种情况下的温度不会增加。

另一个AC能力指标是通过施加60Hz AC电压,将其提升至6kV峰值30s以上,直到发生电解质击穿而实现的。这种类型测试的结果可以与对1000VDC额定值的1206 X7R HVArcGuard电容器施加500Vdc/s的破坏测试的DC击穿电压相比,如图7所示。

DC电压故障的发生远远超过了1000VDC额定值。由于AC电压故障发生在1000VAC左右,与DC电压相比,故障的分布范围很窄。

环境考虑因素

如前面提到的那样,电容器或电路板涂层可以防止表面弧,而且还可以作为一种防潮的屏障。为了测试HVArcGuard元件对由湿度引起的故障的易感性,对1210外壳尺寸、1000VDC额定值的MLCC样品进行了击穿电压测试,其环境条件为23.8E/53.3%RH,提高的温湿度为85℃/85%RH。其结果如图8所示。

尽管在85/85条件下X7R的平均击穿电压相当低,但COG(NP0)几乎不受影响。因此,COG(NP0)看似不那么易受潮湿所引起故障的影响,而两种情况的击穿都是在容许范围以内,即使是在高湿度条件下。两种环境条件下测试的元件击穿范围均高于额定电压。

结束语

陶瓷电容器范文第5篇

CEVA的DVS软件模块可以减小运动造成的抖动,这种情况通常在使用智能手机和照相机等手持式设备拍摄视频和图片时出现。该模块支持包括卷帘式快门(“果冻效应”)和多轴校正,在任何光照条件下,可以减少镜头左右转动、缩放和旋转时造成的抖动和偏移。DVS模块是通

过使用CEVA全新应用开发工具套件(ApplicationDeveloperKit,ADK)实现的,CEVA也单独了这款工具套件。ADK用于大幅简化整体软件开发流程,缩短产品设计周期,为图像和视觉应用显著节约内存带宽和减低功耗。

CEVA

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高性价比PXIe矢量信号分析仪

M9391APXIe矢量信号分析仪是AgilentPXI和AXIe模块化产品阵容中的最新成员,包括以下模块:M9350A下变频器、M9301A合成器、M9300A频率参考和M9214A数字转换器。通过许可证密钥软件升级,该分析仪还可进一步增加分析带宽、频率范围、存储器和更快的开关切换。4个PXIVSA可安装到一个18槽PXI机箱中。

M9391APXIe矢量信号分析仪频率范围为1MHz至3或6GHz,具有高达160MHz的带宽,是为测试最新无线标准而专门设计的。M9391A与安捷伦模块化X系列应用程序配合使用,可提供一致的用户界面、通用和一致的测量以及后向兼容的API,加快测试开发并提高吞吐量。

M9391A可与M9381APXIeVSG优势互补,更快更好地对无线功率放大器、收发信机和蜂窝基站(主要是微微蜂窝和毫微微蜂窝)等器件进行测试和设计验证。这款新分析仪可在更短的时间执行更多测试,显著降低测试成本。它采用了创新的Fastune技术,能够通过快速的频率和幅度调节,实现空前快捷的伺服回路测试。

AgilentTechnologies

电话:800-810-0189

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超小型过压保护二极管

ESDAVLC6-1BV2瞬态电压抑制二极管采用超小型标准贴装封装,尺寸为0.45mm×0.2mm,较目前尺寸为0.6×0.3mm的器件小了一个尺寸。

ESDAVLC6-1BV2瞬态电压抑制二极管完全符合国际标准IEC61000-4-2规定的保护要求。虽然其他类型的静电放电(ESD)保护产品,如变阻器,也有同样的尺寸,但通常无法达到保护二极管的水平。与性能最接近的相同尺寸的变阻器相比,ESDAVLC6-1BV2的钳位电压只是变阻器的一半,因此能够为内部器件提供更高的安全保护功能。变阻器虽然用于多种应用领域,但是受老化问题困扰,每发生一次静电放电事件防护后,变阻器的保护功能就会减弱。ESDAVLC6-1BV2的主要特性:双向操作;在印刷电路板上,一片多用;带宽为1GHz;线路电容为7.5pF;击穿电压为6V;0.2mm高的超薄封装。

STMicroelectronics

电话:010-5797-9928

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符合MIL-PRF-49470规范的电容器

AVX公司为其符合MILPRF-49470规范的开关电源堆叠式多层陶瓷电容器扩大了电压和电容范围,对原来的50~500V范围添加了25V的电容器。全新25VSMPS的电容器具有标准MIL-PRF-49470B等级的可靠性。

MIL-PRF-49470SMPS电容器设计为高电流、高功率和高温度的应用。该电容器具有超低ESR和ESL以及能承受温度范围为-55~+125℃。SMPS系列主要使用于高功率和高电压电源中的输入/输出过滤器,为高功率逆变器的总线过滤和DC减震器。该系列也适用于DC/DC转换器、常规开关电源、航空航天的仪表板、各个混合动力和军事应用等。

SMPS系列电容器具有6种封装

尺寸,还提供多种过孔和表面贴装引线选择。符合MIL-PRF-49470规范SMPS系列电容量范围为:1.5~390μF(25V)、1~270μF(50V)、0.68~180μF(100V)、0.47~120μF(200V)和0.15~39μF(500V)。

AVX

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直流链路电容器

该直流链路电容器采用了爱普科斯(EPCOS)CeraLink技术。CeraLink技术是以PLZT陶瓷材料为基础(铅镧锆钛酸),使用的容值范围为1~100μF,额定直流电压为400V。另一款电容器的额定直流电压为800V,容值为5μF。主要用于工业和汽车电子设备中的快速开关电源模块。

CeraLink新技术在功率变换器的直流链路的稳定性和滤波方面具有很多优势,与传统电容器技术相比,由于该款新电容器具备低于4nH低等效串联电感值以及低于4mΩ的低等效串联电阻值,因此,它非常适用于高开关频率和快速上升时间的应用中。这包括应用于运用新一代快速开关的MOSFET或IGBT模块的工业和汽车电子设备的转换器之中。

CeraLink具有以下几种常用的引脚构造,包括低剖面、SMD、焊针和压接母线。它也可以设计内置于半导体功率模块中。CeraLink的工作温度范围为-40℃~+125℃之间(短时间内可高达+150℃):因此它也适用于以SiC为基础的功率模块。

爱普科斯×TDK集团成员

电话:021-22191500

电邮:

http://

用于大功率、高性能工业应用的NPTIGBT

Microsemi扩展其1200V非穿通型(non-punchthrough,NPT)IGBT系列,新增十多款器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。NPTIGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能的工业应用,最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器,以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以Microsemi的先进PowerMOS8技术为基础,与同类产品相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。该NPTIGBT可以与Microsemi的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装,为工程师提供高集成度解决方案,以便简化产品开发工作。其他特性包括:栅极电荷显著减少,具有更快的开关性能;硬开关运作频率超过80kHz,实现高效的功率转换;易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性;额定短路耐受时间(ShortCircuitWithstandTimeRated,SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作。另外,NPTIGBT器件还提供贴片D3封装,可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。

陶瓷电容器范文第6篇

论文摘要:随着高新技术的不断开发,数字通信及控制技术也在飞速发展,计算机通信及控制技术得到了广泛应用,针对各种情况探讨了保证计算机通信与控制系统可靠运行的措施。

1在设计计算机通信与控制系统时要注意以下事项

(1)在对计算机通信与控制系统设计和配置时,要注意到系统的结构要紧凑,布局要合理,信号传输要简单直接。

在计算机通讯与控制系统的器件安装布局上,要充分注意到分散参数的影响和采用必要的屏蔽措施:对大功率器件散热的处理方法;消除由跳线、跨接线、独立器件平行安装产生的离散电容、离散电感的影响,合理利用辅助电源和去耦电路。

(2)计算机通信与控制系统本身要有很高的稳定性。

计算机通信与控制系统的稳定性,一方面取决于系统本身各级电路工作点的选择和各级间的耦合效果。特别是在小信号电路和功率推动级电路的级间耦合方面,更要重视匹配关系。另一方面取决于系统防止外界影响的能力,除系统本身要具有一定的防止外界电磁影响的能力外,还应采取防止外界电磁影响的措施。

(3)算机通信与控制系统防止外界电磁影响的措施,应在方案论证与设计时就给予充分考虑。

例如数字信号的采集传输,是采用脉冲调制器还是采用交流调制器,信号在放大时采用几级放大器,推动司服系统工作时采取何种功放,反馈信号的技术处理及接入环节,电路级间隔离的方法,器件安装时连接和接地要牢固可靠,避免接触不良造成影响,机房环境选择和布局避免强电磁场的影响等。

2排除电源电压波动给计算机通信与控制系统带来的影响

计算机通信与控制系统的核心就是计算机,计算机往往与强电系统共用一个电源。在强电系统中,大型设备的起、停等都将引起电源负载的急剧变化,也都将会对计算机通信与控制系统产生很大的影响;电源线或其它电子器件引线过长,在输变电过程中将会产生感应电动势。防止电源对计算机通信与控制系统的影响应采取如下措施:

(1)提高对计算机通信与控制系统供电电源的质量。

供电电源的功率因数低,对计算机通信与控制系统将产生很大的影响,为保证计算机通信与控制系统稳定可靠的工作,供电系统的功率因数不能低于0.9。

(2)采用独立的电源给计算机通信与控制系统供电。

应对计算机通信与控制系统的主要设备配备独立的供电电源。要求独立供电电源电压要稳定,无大的波动;系统负载不能过大,感性负载和容性负载要尽可能的少。

(3)对用电环境恶劣场所采取稳压方法。

对计算机等重要设备采用UPS电源。在稳压过程中要采用在线式调压器,不要使用变压器方式用继电器接头来控制的稳压器。

3防止由于外界因素对供电电源产生的传导影响

由于外界因素对电源产生的传导影响要采取以下措施。

3.1采用磁环方法

(1)用磁环防止传导电流的原理。

磁环是抑制电磁感应电流的元件,其抑制电磁感应电流的原理是:当电源线穿过磁环时,磁环可等效为一个串接在电回路中的可变电阻,其阻抗是角频率的函数。

即:Z二f/(ω)

从上式可以看出:随着角频率的增加其阻抗值再增大。

假设Zs是电源阻抗,ZL是负载阻抗,ZC是磁环的阻抗,其抑制效果为:

DB=20Lg[(Zs+ZL+ZC/(ZS+ZL)]

从上述公式中可以看出,磁环抑制高频感生电流作用取决于两个因素:一是磁环的阻抗;另一个是电源阻抗和负载的大小。

(2)用磁环抑制传导电流的原则。

磁环的选用必须遵循两个原则:一是选用阻抗值较大的磁环:另一个是设法降低电源阻抗和负载阻抗的阻值。

3.2采用金属外壳电源滤波器消除高频感生电流,特别是在高频段具有良好的滤波作用

电源滤波器的选取原则

对于民用产品,应在100KHZ一30MHZ这一频率范围内考虑滤波器的滤波性能。军用电源滤波器的选取依据GJBl51/152CE03,在GJBl51/152CE03中规定了传导高频电流的频率范围为15KHZ-50MHZ。

4抑制直流电源电磁辐射的方法

4.1利用跟随电压抑制器件抑制脉冲电压

跟随电压抑制器中的介质能够吸收高达数千伏安的脉冲功率,它的主要作用是,在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其阻抗立即降至很低,允许大电流通过,同时把电压箝位在预定的电压值上。利用跟随电压抑制器的这一特性,脉冲电压被吸收,使计算机通信与控制系统也减少了脉冲电压带来的负面影响。

4.2使用无感电容器抑制高频感生电流

俗称“隔直通交”是电容器的基本特性,通常在每一个集成电路芯片的电源和地之间连接一个无感电容,将感生电流短路到地,用来消除感生电流带来的影响,使各集成电路芯片之间互不影响。

4.3利用陶瓷滤波器抑制由电磁辐射带来的影响

陶瓷滤波器是由陶瓷电容器和磁珠组成的T型滤波器,在一些比较重要集成电路的电源和地之间连接一个陶瓷滤波器,会很好起到抑制电磁辐射的作用。

5防止信号在传输线上受到电磁幅射的方法

(1)在计算机通信与控制系统中使用磁珠抑制电磁射。

磁珠主要适用于电源阻抗和负载阻抗都比较小的系统,主要用于抑制1MHZ以上的感生电流所产生的电磁幅射。选择磁珠也应注意信号的频率,也就是所选的磁珠不能影响信号的传输,磁珠的大小应与电流相适宜,以避免磁珠饱和。

(2)在计算机通信与控制系统中使用双芯互绞屏蔽电缆做为信号传输线,屏蔽外界的电磁辐射。

(3)在计算机通信与控制系统中采用光电隔离技术,减少前后级之间的互相影响。

(4)在计算机通信与控制系统中要使信号线远离动力线;电源线与信号线分开走线。输入信号与输出信号线分开走线;模拟信号线与数字信号线分开走线。超级秘书网

6防止司服系统中执行机构动作回馈的方法

6.1RC组成熄烬电路的方法

用电容器和电阻器串联起来接入继电器的接点上,电容器C把触点断开的电弧电压到达最大值的时间推迟到触点完全断开,用来抑制触点间放电。电阻R用来抑制触点闭合时的短路电流。

对于直流继电器,可选取:

R=Vdc/IL

C=IL*K

式中,Vdc:直流继电器工作电压。

I:感性负载工作电流。

K二0.5-lЧF/A

对于交流继电器,可选取:

R>0.5*UrmS

C二0.002-0.005(Pc/10)ЧF

式中,Urms:为交流继电器额定电压有效值。

Pc:为交流继电器线圈负载功率。

陶瓷电容器范文第7篇

“其实不但是民用产品,在军用产品中,电子陶瓷的使用也很多。我们现在主要研究的介电材料和压铁电材料都属于它的范畴。”侯育冬说。从博士时期起,他就一直沉醉于电子陶瓷的研究,对他来说,研究这种神奇的材料既是工作,也是乐趣。

打开压电材料发电之门

“我本科和硕士阶段学习的是化学专业,后来考进西北工业大学材料科学与工程系攻读博士。”当时国家非常重视电子陶瓷行业的发展,而侯育冬的导师田长生教授恰好就在上世纪90年代转入这方面的研究。在他的引领下,侯育冬入了门。“我很感谢我的博士导师,是他带我发现了电子陶瓷的魅力,让我爱上了这个研究领域。同时,我的老师还很重视研产结合,这对我的影响很大。”

2003年,侯育冬来到北京工业大学材料科学与工程学院工作,利用自身学术背景,着手组建先进电子陶瓷材料与器件研究室。经过十余年的发展,在国家和北京市政府的大力支持下,研究室建设取得了长足的进步,已拥有国际一流的电子陶瓷制备与测试装备。至今为止,侯育冬已经主持了数十项国家和北京市各类科研项目,其中压电陶瓷的研究是一大亮点。

当今世界化石能源日益短缺,寻找和发展可持续性的新型能源,并进行高效采集成为各国政府所面临的紧迫任务之一。“机械振动能在环境中普遍存在,例如机器的噪声、人在地板上的行走、汽车的行驶等日常现象,其实都可以造成振动,而这种振动是可以作为清洁能源加以利用的”,侯育冬介绍说,以压电陶瓷为核心的压电能量收集器能够捕获环境中的振动能,经处理后可实现供电的目标。

可新技术的实现并不容易。压电陶瓷一般为高阻电介质,利用其转换得到的电能具有高电压、低电流的特性,功率较小,因而长时间以来利用其发电并未引起人们关注,但是随着近年来物联网技术的迅猛发展掀起新一轮工业技术革新,转折点出现了。侯育冬告诉记者:“与物联网相关的低功耗微电子器件设计技术的进步在一定程度上解决了这一问题,使利用压电能量收集技术供电成为可能。”

在我国,与光伏发电、风能发电和热电发电等新能源技术相比,压电发电的关注度低,研究极为薄弱。为了提升我国在压电发电领域的技术水准,侯育冬带领团队围绕高换能系数压电陶瓷开展一系列创新研究。他通过归纳总结压电陶瓷材料性能调控方面的主要研究成果;比较能量收集用铅基、无铅压电陶瓷材料的机电转换性能;讨论具有高机电转换性能压电陶瓷材料设计方法等工作,指出了能量收集用压电陶瓷材料研究发展中的主要问题,并为进一步开展研究提供了新思路!

“在材料设计方面,现有的用压电陶瓷进行能量收集的研究,主要通过大范围的组分调控获得机电转Q性能优异的材料体系,但由于缺乏普适的预测模型与理论支撑,性能提升起来非常有限,工作量还极大。”而在制备工艺方面,侯育冬认为在未来的研究中,可采用化学法制备纳米尺寸的前驱陶瓷粉体,结合热压烧结或是放电等离子烧结等特种烧结工艺,实现晶粒尺寸梯度化精确调控,在提升材料力学性能的同时,基于“尺寸效应”迁移准同型相界位置,从而获得力电性能均衡的能量收集细晶陶瓷材料。同时,他还指出将不同介电与压电活性的组元进行拼接组合,设计复相结构也是提升材料压电收集特性的重要途径。“目前,能量收集用压电陶瓷的研究仍以铅基PZT材料为主,其在军事和航空航天领域的应用短时间内无法替代,但性能尚需进一步优化。而民用领域,特别是家用和医疗领域,对于压电材料无铅化的要求日益迫切。可是和铅基材料相比,无铅材料的机电转换性能较低,退极化严重,机械力学性能尚不明确,还需要进一步研究。”

压铁电陶瓷的设计,微结构控制与力电行为物理机制研究,是侯育冬的另一个贡献点。他发现了金红石与钙钛矿类先兆性铁电体中极性纳米簇的诱导生成机制、动力学响应规律,并对宽频介电弛豫谱进行了解析研究;对多组元细晶压电陶瓷体系晶粒进行了多尺度生长调控,总结了晶界与相结构演化及相关力学与电学行为变化规律;研究了复杂体系压电陶瓷过渡系掺杂元素的价态分布与缺陷结构演变,提出新颖的等价掺杂诱导第二相生成机制,并明确了液相烧结行为及电学参数定向调控的关联性。此外,侯育冬利用其深厚的化学功底,发展了熔盐拓扑化学、胶体水热化学和水基溶胶凝胶化学等新方法成功构建出十余种不同尺度与取向结构的压铁电纳米材料,有力推动了纳米电子陶瓷器件的应用化研究。“这就是学科交叉的优势,因为我有化学、电子学和材料物理等多个学科的科研背景。”侯育冬说。苦心钻研带来的收获是一百余篇高质量的学术论文,这些发表在Acta Mater、J AmCeram Soc和Appl Phys Lett等顶尖学术期刊上的科研成果大大提升了我国在相关压铁电材料研究领域的国际影响力。研产结合者

在侯育冬的心中,理论研究很重要,实际应用亦是关键,把这两者有效地融合起来,是他一直在追求的目标。“目前,中国的科研还存在一个问题,就是学术研究与成果的实际应用之间还是有割裂的,在科研成果应用及产业化上,我们与国外有不小的距离。”侯育冬认为,做科研可以多尝试与企业合作,“这会使你更重视实际问题,合作的过程还可能让你的研究目的更明确”。

在这种思想的指引下,侯育冬带领课题组深入开展了电子陶瓷材料性能调控与器件应用的关联性研究。目前,已成功试制出多种重要的电子陶瓷元器件,例如超高温大容量多层陶瓷电容器、多层压电陶瓷变压器和高频高稳定压电陶瓷滤波器等,并以第一发明人获授权十余项国家发明专利。

侯育冬坦言,将成果应用到工业生产并不容易,“这个过程实际上需要花费非常大的精力,一方面需要做调研;另一方面还要派人到企业工作,开销会增加不少,但是为了得到理想的结果,这么做还是值得的。”

“现在,我们重点关注新能源领域压电能量收集器研究。”在北京工业大学国际交流项目的支持下,侯育冬团队与欧洲丹麦的高校和企业联合开展“中丹高性能压电能量收集器技术创新平台建设”。经过技术攻关,侯育冬课题组已经设计并组装可用于评价悬臂梁和叠堆模式压电能量收集器发电特性的动态测试样机,该项成果可为制备高换能系数能量收集材料的器件化测试提供有力支撑,他也期望能够将其尽快应用到产业中。

以己度人,侯育冬热心于将科研路上的经验传授给学生,希望他们也成长为热爱科研专业,具有产业视野的复合型人才。对于学生的课题研究,侯育冬只抓大方向,给学生们一个较宽松的平台,这么做是因为他想培养学生的独立思考能力,而不想让其变成一个实验“操作工”。但他的“宽松”是以“计划”为前提的,他每个学期都会给学生制定学习与工作计划,要求学生每个月完成一些任务,以督促他们进步。同时,侯育冬还鼓励学生去参加国际相关会议和企业实践,从而让他们开阔视野并提升实践能力。

作为北京工业大学创新创业实训基地――“先进电子陶瓷材料与器件”基地负责人,他将学生培养与基地建设融在一处。通过北京高等学校高水平人才交叉培养“实培计划”项目――“耐高温大容量多层陶瓷电容器瓷料的设计与合成”,侯育冬课题组与国内最大的军工陶瓷电容器生产商――北京元六鸿远电子技术有限公司合作组建“电子陶瓷材料”企业校外实训基地,他把学生真正推到科研与产业一线上去。

陶瓷电容器范文第8篇

笔者于10月3日至5日在CEATEC展览会(召开于日本千叶县幕张展馆)期间与国内另外几位同行访问了6家日本公司,在此将所见所闻与大家分享。鉴于中日关系的政治敏感性和本刊的技术性质,本文无意对日本民族做任何一般性的评论,所有观点仅限于电子行业,就事论事。

CEATEC号称是亚洲第一大规模的国际电子展。CEATEC的全称是Combined Exhibition Of AdvancedTechnologies,即先进技术综合展。实际上没有几个日本人知道CEATEC的全称是什么,但所有公司都知道其重要性,即使平常不做任何宣传的公司也要在CEATEC期间出手大方。

CEATEC规模确实很大。它实际上分两部分:电子成品和电子部件。亚洲人与欧美人的一个区别是,亚洲人喜欢把场面装扮得绚丽、热闹,即使是专业性很强的场合也要用美女衬托,场景十分赏心悦目。CEATEC在这点上十分典型。应该改进的是日文占绝对主导,英文说明很有限,这给外国人带来很多不便。

我们这次采访了村田制作所、松下电工、ROHM、新日本无线和TDK等公司。其中有的公司我们比较了解,有的则知之甚少。实际上,这些公司实力都很强,也许是因为儒家文化不尚张扬,或这些公司过去对中国市场重视不够的缘故,有些公司在中国电子行业的名声并不太大。下面按照采访顺序依次加以介绍。本人对这些公司的描述肯定不够全面,因为大公司涉足的领域往往很广。本文只介绍本人认为读者会感兴趣的那些方面。

村田制作所

该公司成立于20世纪50年代初,是一家上市公司,营业额超过40亿美元。主要产品依次是电容器、微波器件、压电元件、模块产品等,应用领域依次为通信、计算机及外设、音视频、汽车电子和家电等,在亚洲的销售占总体的绝大部分,且持续上升。研发投入占总体销售额的7%~8%,与同类公司相比较高。

陶瓷技术是村田创业和发展的根本。陶瓷技术派生出陶瓷电容、压电谐振器、滤波器等各种压电陶瓷元件。就陶瓷电容一项,村田号称占据全球市场的35%,是世界上顶级元器件厂商。村田的多层陶瓷电容器品质优良,是几十年不断积累的技术结晶。为确保质量,村田自己生产用于制作电容器的陶瓷材料,自己生产制作设备,研发投入力度大,因而能在平常的元器件上做出非常大的成绩。

村田在CEATEC上的展位分为三个区。汽车区展出高精度小型MEMS陀螺、多层瓷介电容器、蓝牙模块和小型表面波滤波器等,泛在区(英文为ubiquitous,无处不在的网络)展出小型矮板陶瓷振荡器、热敏红外传感器、单段用调谐器模块、小型/微型矮板微芯片变压器、数字电视调谐器用表面波滤波器和铁氧体保险丝等,能量区展出高功率锂离子二次电池、DC-DC转换器、大电流片式线圈和大容量多层瓷介电容器等。

村田此次大力推广的一个源于陶瓷的关键技术是陀螺(角速度)传感器。村田传统的陶瓷陀螺广泛用于民用产品,如汽车导航和照相机防抖动。村田新推出的硅材料陀螺,性能更加优越。为大力宣传该公司的陀螺传感器,村田制作所在CEATEC上演示了会骑自行车的机器人“村田顽童”。这个机器人10年前就已出现,但今天的“村田顽童”能够做到停车不倒、上坡、走S形弯路等高难动作。其关键技术是,陀螺传感器随时检测微小的摆动和车体的倾斜度,命令位于胸部的旋转园盘产生能抵消其倾斜的反冲力。村田制作所的中文网址为http://www.murata.com/cn/index.html。

松下电工

松下电器在中国乃至全球都是家喻户晓的品牌。此次参加CEATEC展会的是松下电工株式会社的控制机器总部,它和电器总部是平行部门。松下电工控制机器总部的业务范围涉及IT、汽车电子及消费类电子,产品包括继电器、开关、传感器和连接器等。松下的技术人员向我们重点介绍了他们新推出的光连接组件、MEMS压力和红外传感器及金属连接器等。

松下在CEATEC展会期间的光连接器模块有两种型号:光纤型(图左)和光导波路型(图右)。光纤型连接器在传输线路中使用光纤,具有抗扭曲及旋转性能,适用于传输距离较长的场合。它采用新型的“金属箍旋转结构”,组装人员可轻松插拔光纤实现光轴定位。该产品尺寸为10.7mm×4.3mm松下新推出的光连接器模块×2.8 m m,双向数据传输,速度为500Mbps~1.5Gbps。应用领域包括影音设备、车载设备、娱乐设备等数码设备。

光导波路型光连接器是窄间距连接器与光电转换模块一体化产品,可大幅提高内部数据传输速度。该产品的尺寸为3.6mm×6.5ram×1.9mm,单向传输,速度为2.5Gbps,适用于手机和小型数码家电。松下的技术人员介绍说,目前的手机还没有这么高的数据传输要求。当手机照相机达到600万像素时这种光连接模块就会派上用场。松下计划于2008年规模化生产光连接产品。

传感器产品是松下在CEATEC上展示的另一个重点。松下展位上设有各种传感器应用演示,表现其MEMS传感器和红外传感器的小型化、高精度、高响应速度等优点。

松下展出的细微复合加工技术(Microscopic Integrated ProcessingTechnology,简称MIPTEC)显示了该公司高超的制作工艺。这种技术是在注塑电路板表面形成细微的三维电路。利用激光成图技术,引脚间距可小到70μm/70μm(1ines/space),并获得更大的设计灵活度。先进的电镀技术使器件表面的平整度很高,仅凭肉眼也能看出松下的产品明显优于同来参展的某些公司的产品。MIPTEC技术的典型应用是手机照相头插座。

连接器是松下电工的主要产品线之一。此次该公司重点讲解的是又“瘦”又“矮”的窄间距连接器,最小间距是0.35mm,典型应用是手机板至板连接。给人印象深刻的是技术人员严肃认真地讲解松下如何优化设计和工艺来达到防震、防尘、防焊剂上爬等多种功能,体现了“良匠”追求完美以至吹毛求疵的精神。松下电工控制机器本部的中文网址是http://www.nais-c.com/。

罗姆微电子ROHM

日本有一本很有影响的电子专业刊物,叫“电阻技术”,实际上该刊物得内 容不限于电阻。大概日本的电子工业是从生产电阻开始的。ROHM公司是又一个佐证。该公司的名称是由电阻符号R和电阻单位欧姆(OHM)的组合。当然。成立于1954年的ROHM今天的主业已不再是电阻。无源器件只占其总体销售额的6.4%,集成电路和分立半导体占据了80%以上份额。亚洲是该公司的主要市场。它在中国也很活跃;在大连和天津建有工厂,在上海和香港设有研发中心。该公司市场策略比较特别,主要为客户定制产品,因而在各地的销售中心很多。

ROHM在CEATEC上展示了几种集成电路器件,性能或功能比较独特,与其他日本公司展出的元件相比更加有趣。下面分别介绍ROHM的三种新产品。

无线音频链接LSI用于制造FM发射机。这种发射机安装在各种高性能的便携式音频产品或手机中,通过家里的立体声播放器或者车里的音响设备来播放音频设备中存储的音乐。FM发射机相当于自己专用的小型FM电台,即使是普通的FM收音机也可以接收。该型号为BH 1425GWL的超小型FM发射机用无线音频链接LSI为WL-CSP封装,完全集成于3mm方形芯片中。主要特点包括通过BUS I/F调解功能、零电流节电模式、音频输入衰减器、数码音源输入对应、电台普通的HiFi立体声、音频弱音器、发送输出水平控制器和12CBUS I/F等。

D类立体声功率放大器BD5421EFS是ROHM的研发人员化了四年时间成功开发了既能够拥有D类的高效率和小体积,又可以有高品质音频信号输出的芯片。该器件拥有业界顶级的90%高效率(Vcc=12V、8Ω时),功率为15W+15W。此产品采用BCD(二进制编码的十进制)工艺实现低导通电阻,采用无过滤PWM方式,实现低电流、低EMI。通过采用小型内放热型功率封装实现了低放热。CEATEC现场有温度记录仪,显示该产品和传统产品的发热情况比较。用手触摸该芯片只感觉到有点温热,没有发烫的感觉。

语音LSI是ROHM工作人员介绍的另一种集成电路。ROHM开发了可运用于汽车配件、游戏机、AV设备、白色家电、住宅设备等使生活更为舒适的各种应用领域的语音LSI。在CEATEC展位上,他们展示了以空调、洗衣机为主的各种家电产品中应用的语音LSI。型号为BU6922KV/BU6934FV的HiFi语音合成LSI采用了16位DAC核心,实现可与CD媲美的优美音质,并运用ROHM独特的压缩方法,成为内置4Mb ROM的业界最小封装,并实现相当于传统产品4倍的播放时间。

ROHM展出的其他产品包括SiC功率MOSFET马达驱动IC、自适应图像增强芯片(Adaptive ImageEnhancer)、PFC电路、热敏打印条等。该公司的中文网址为http://www.rohm.com.cn/。

新日本无线

新日本无线是1959年作为日本无线的子公司而成立的,是一家上市公司,有半导体产品和微波产品两部分业务,而实际上半导体销售额超过总体销售额的80%。其中双极IC占总营业额的60%,MOS IC占21%。销售情况亚洲占31%,日本占57%(日本公司的报告往往把日本列于亚洲之外,有点像英国对欧洲的态度),其他地区非常有限。

新日本无线这家公司在中国很少有人知晓,其实它是一个很有影响的公司。该公司自1977年开始生产其代表性产品运算放大器,目前每年生产10亿只,占全球销量的七分之一。新日本无线早些型号的运放产品在国内还有大量仿冒;凡标有JRC字样的芯片很多是仿制品。该公司的人士请求中国记者提醒中国用户不用仿制品,因为仿制品每年给他们造成很大损失。

新日本无线在音频处理方面也颇具实力。它是第一家制造Dolby Pro Logic芯片的公司。该公司的音频处理器已经被4家中国电视机制造企业选用。新日本无线在CEATEC展会上展示了其数字音频处理技术。

和很多国际公司一样,新日本无线也盯上了中国的手机市场。该公司的功放、转换开关、低噪声放大器等曾在中国的小灵通电话上大量使用。如今,小灵通已不是热点,GPRS或GSM手机才是主流。这些手机的射频芯片大多使用硅技术,而不是新日本无线擅长的砷化镓。该公司对错过中国的2G或2.5G手机市场感到甚为惋惜。不过他们对中国得3G手机市场十分乐观。因为3G手机工作频率更高,更适合GaAs工艺。打算生产30手机的中国厂商不妨考虑选用新日本无线的低噪声放大器和开关。由于该公司历史久、产量大,也许不失为一种性价比较高的选择。

目前,新日本无线面向2.1GHz频带(通过改变外部匹配电路也可用于1.9GHz频带)的W-CDMA手机用LNANJGl126HB6已经投产。主要特点有:+2.7V低工作电压、+1.85V低CTL电压和2.2mA/lμA低消耗电流等。该放大器为USB8-B6封装,尺寸为1.5mm×1.5ram×0.55mm,样品价格为100日元。新日本无线的英文网址是http://www.njr.co.jp/index_e.htm。

TDK

用过盒式录音带的人几乎都知道TDK。在不太遥远的录音机时代,TDK磁带曾风行全球。鲜为人知的是,即使在磁带销售最好的时候,磁带业务占TDK的销售总额比例也不到一半。现在,记录媒介只占TDK业务的一小部分。记录器件(磁头)、电子元器件和材料构成TDK公司2006年收入的绝大部分。

TDK成立于1935年。它是一家上市公司,国外持股占44.6%,超过三分之二的生产能力位于日本之外,因而是一家国际化程度很高的公司。亚洲(包括日本)市场所占比例逐年增大,目前已超过73%。

类似于靠陶瓷起家的村田,TDK起家靠的是不起眼的铁氧体。如今,磁性材料技术仍然是TDK的支柱之一。通过反复的混合、极化、烧结、测试,TDK制造出各种品质上乘的软磁和永磁材料。

除了能制造高品质材料,TDK具备良匠的另一特点一精湛的加工工艺。纳米级的超细加工和亚微米级的多层薄膜技术使TDK能生产出高密度的陶瓷电容和磁记录材料及器件。TDK的主要产品之一――多层片状陶瓷电容的电极间距小于l微米,体积小、容量大。分立磁道技术使计算机硬盘的数据密度达到437Gbpsi。

TDK在CEATEC展会上的展区很大,展示了多种产品和技术。TDK的人员向我们介绍了几款有代表性的产品。

汽车用双层电容具有高输出、长寿命和环保的特点。该电容内含16层活性碳。其能量密度高(2.5V工作电压下可达10Wh/L)、阻抗低(1.0m Q)。典 型应用是在汽车发动机关闭和启动过程中。汽车启动后电容进行充电,发动机关闭后、汽车待机时,该电容为车内的电子设备提供辅助电源,发动机重新启动时由该电容提供电能。

TDK另一个有趣的产品是防磁变压器。其理念是降低液晶电视机的成本。目前的液晶电视机为铝合金封装,成本较高。如果改用铁壳的话可降低成本,但铁壳对变压器漏磁要求较高。TDK开发的这款变压器能屏蔽磁场,效率高、发热少,用以驱动40英寸LCD电视机背光可节省10~20W功率。

与村田一样,TDK自己开发、生产制造设备,保证其产品的高品质。同时,TDK还是设备供应商。TDK展位上展出了倒装片安装设备,可用于安装LED、SAW、TCXO、各种传感器、RFID等元件。

作为蓝光联盟的创始公司之一,TDK的Blu-ray光盘技术也值得称道。该公司在CEATEC上展出了有6层记录层的容量高达200GB的追记型蓝光光盘。不过,由于硬件落后于光盘发展,该200GB光盘尚无具体的实用计划。

除了在信息设备(计算机、电视、手机等)和汽车中的应用,TDK目前在超宽带测试领域也十分活跃。我们到TDK的研发基地参观时看到了TDK的电波暗室。TDK在美国有多年的UWB评估经验,并于今年10月份在日本展开UWB认证服务。TDK的评估系统可检测非常微弱的信号和数十GHz的高频。TDK在中国目前尚无此项业务。该公司得中文网址为http://www.tdk.co.jp/tctop01/index.htm。

后记