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摘 要: 为控制测试成本,提升测试效率,系统阐述多SITE测试必备的硬件和软件资源,相关设置及多SITE打点错位故障问题的解决方案,在此基础上结合抽测/环测测试方法,进一步提升测试效率。
关键词: 测试机;探针台;多SITE测试;抽测;环测;GPIB卡
中图分类号:TM912 文献标识码:A 文章编号:1671-7597(2012)0210042-02
0 引言
现在器件测试受利润影响,对测试效率和测试成本提出了更高的要求,在这个前题下,4site和8SITE等多SITE测试得到了全面应用;器件多SITE测试需要测试机与探针台配套使用;测试机使用GPIB接口控制探针台走位,探针台先将测试结果保存在RAM内,测完后从RAM调用测试结果进行打点。如果采用多SITE测试的同时结合抽测+环测的方法测试效率提升就更明显了。
1 测试机设置
测试机使用我们公司自行研发生产的D200/D340/D280系列测试机,需要在电脑加装GPIB卡及相应软件,D200测试机主要用于4SITE测试,D340/D280测试机主要用于8SITE测试。以D340测试机为例来说明如何实现多SITE测试,测试机必须已经安装GPIB卡并且装好配套软件,启动D340测试机软件后单击软件[系统]菜单栏,在出现的下拉菜单中单击[多测位设置],见下图,选4Site或8Site测试方案。
2 探针台设置
配套使用的EG2001X或者EG2010X针台为例说明如何实现多SITE测试,探针台需要进行相应的设置,具体如下:
2.1 设置通讯模式
2.1.1 通讯模式设为ENHANCE([MODE B][7][1])
2.1.2 通讯接口设为GPIB-PP([MODE B][7][3])
2.1.3 GPIB通讯参数都设置为DIS([MODE B][7][2]所有参数都设置为DIS)
2.2 设置多测试位模式
2.2 设置多测试位模式
2.2.1 开启多测试位测试模式([MODE B][6]ENB)
2.2.2 设置4测试位模式([MODE B][6]ENB[2]10,10表示4测试位)
2.2.3 设置8测试位模式([MODE B][6]ENB[1])和([MODE B][6]ENB[2]10,10表示竖向多测试位)
2.2.4 开启多测试位测试完后打点([MODE B][6]ENB[3]ENB)
2.2.5 开启打点暂停后重新打点([MODE B][6]ENB[4]ENB)
2.3 设置周边打点模式
2.3.1 开启周边打点模式([MODE B][3][11][6]ENB)
2.3.2 设置打点器([MODE B][3][11][1]0-4,0表示无打点器)
2.3.3 设置周边打点颗数([MODE B][3][11][8]0-10为周边打点的颗数)
2.4 多测试位测试作业流程
1)擦载片台/上片/自动调水平/探边/调扎针
2)找第一点(First Die)并坐标清零(X:0,Y:0),第一点示意图如下:
3)芯片定中心,找到中心坐标后,按探针台键盘“K[Prog]”键再按“2”键,听到“嘀”一声后,定中心成功。
2.5 调试打点器
1)打点器的调试与其他方法测试完全不同,主要的特点是:
① 多测试位测试是先测试,而且是多颗管芯一起测试,测试完后再打点。
② 测试完再打点时,棒针与芯片表面的PAD不接触。
2)打点器的具体调试方法:
① 进入打点器高度调试界面([MODE B][3][11][10]
② 按[Z]进行打点器高度调试,设置打点器高度为扎针高度为Z DOWN+4,例如:扎针的Z UP为250,Z DOWN为235,那么打点器的高度设置为239。
注:打点器高度设置不能低于Z DOWN,但可以略高于Z DOWN。有的探针台操作系统版本(目前3VD的多测试位机台)可以直接确定打点器高度,即打点高度和Z-UP的高度差,我们定为16,也即打点器高度为扎针高度为Z DOWN+4。
③ 设置完后按[1]或其他数字键(调试哪个打点器就按对应的数字键),进行实际打点情况的确认进一步调试打点器。调试完毕后按[7]对高度进行保存。
2.6 测试方法
将芯片的批号片号输入到测试系统,按测试机“停止/运行状态”,确保探针台处于待测试状态,再按探针台“开测键[AUTO PROBE]”开始测试,探针台会等待大约几秒钟后开始正常测试。
2.7 打点状态
测试完后芯片会自动进入打点状态,在打点时请关注打点情况,打点完后测试完成。
2.8 打点错位的处理
必须重新设置第1点和打点器高度,一般都能解决,如果仍然出现打点错位,可能是探针台RAM存储故障,就必须更换探针台RAM存储板。
3 抽测/环测相关设置
1)测试机与探针台需要用GPIB卡线连接。
2)根据随件单的抽测环测要求对探针台走位模式进行设置:([MODE B][2]),3为正常全测模式,4为坐标抽测模式,5为坐标环测模式。
3)根据所选的走位模式使用GPIB辅助测试软件载入相应的坐标文件(有单SITE抽测与环测坐标和多SITE抽测与环测坐标等不同的坐标文件)。
4)单SITE抽测与环测以及多SITE的抽测调试方法与普通探针台全测的调试方法完全相同,不在此详述。
4 总结
多SITE测试能极大提高测试效率,将多SITE测试与抽测/环测结合起来,测试效率提升就更明显了,前提是产品本身要成熟,良率需要能满足环测要求,如果抽测后合格率满足不了环测要求,抽测后仍然要进行全测的话,那反而浪费了抽测时间,测试效率并没有得到明显提升。
参考文献:
[1]2001X AUTOMATIC WAFER PROBER SYSTEM WITH 2010X HANDLING MATERIAL ELECTROGLAS CO.,LTD.
[2]张鹏辉、张亚军,锂电池保护电路的晶圆多Site测试方法,计算机与数字工程,2010(09).
[3]侯政嘉、张琳、刘炜、吉国凡,锂电池保护电路的晶圆多Site测试方法,微处理机,2009(06).
作者简介:
余泽勇(1978-),男,浙江省淳安人,杭州士兰集成电路有限公司工程师,从事芯片测试方法研究,研究方向:大电流、毫欧级电阻准确性测试。