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一款低成本硅PIN光电二极管偏置电路的设计及应用

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摘 要: 硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛,但其效果会受到偏置电压等因素的影响,稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路,并将其用于NaI(Tl)晶体的微弱光信号检测,取得了良好的效果。

关键词: 硅PIN光电二极管; 偏置电路; 电子滤波器; 闪烁探测器

中图分类号: TN710?34 文献标识码: A 文章编号: 1004?373X(2014)13?0159?03

Design and application of low?price bias circuit for Si?PIN photodiodes

JIA Mu?lin1, ZENG Guo?qiang2, MA Xiong?nan3

(1. Guangxi Radiation Environment Supervision and Management Station, Naning 530222, China; 2. Chengdu University of Technologe, Chengdu 610059, China;

3. China Institude For Radiation Protection, Taiyuan 030006, China)

Abstract: The Si?PIN photodiodes have been more and more widely used in the areas of weak light signal detection, but the result of detection is more likely affected by bias voltage and other factors. The high?stability bias voltage with low ripple coefficient is essential for accurately achieving the detected weak light singal. A Si?PIN photodiode bias circuit based on TPS61040 DC/DC boost converting chip was design and applied to the weak light signal detection of the NaT (Tl) scintillator. A good result was achieved.

Keywords: Si?PIN photondiode; bias circuit; electronic filter; scintillator detector

硅PIN光电二极管(以下简称SPD)作为一种成熟的半导体光电器件,因其特有的优势在自控、通信、环保、医疗及高能物理研究等领域得到了越来越广泛的应用,但其使用极易受所加偏置电压的影响。因此,在实际应用中对SPD上所加的偏置电压的要求非常苛刻,必须具备很低的纹波系数和良好的稳定性,这也就造成常用的SPD偏置电路成本较高。针对这一情况,本文将介绍一款基于TPS61040电压转换芯片的偏压电路设计,并将其应用于NaI(Tl)+SPD辐射探测器的信号检测。

1 硅PIN光电二极管与偏置电压关系

1.1 SPD及其偏置电压简介

与普通光电二极管相比,SPD是由中间隔着本征层的PN结构成。当在PN两端外加反向偏压时,内建电场几乎集中于I层,使得耗尽层厚度加大,增大了对光子的吸收和转换有效区域,提高了量子效率;同时,PN节双电层间距加宽,降低了器件本身的结电容,如图1所示。使得器件的响应速度提高,有利于在微弱光脉冲信号检测领域的运用;此外,结电容的降低减小了信号电荷在其上的分配,有利于为前置放大电路输入更多的原始信号电荷。

图1 偏置电压与结电容关系

1.2 偏置电压电平选择

但偏置电压不是越高越好,原因是SPD的暗电流随偏压的增加而增加,如图2所示。当偏压超过一定值时,暗电流随偏压呈线性增长趋势,使得整个系统的信噪比迅速降低。在进行微弱光信号检测时,若所加偏压自身噪声较大,将直接影响到有用信号的提取,甚至可能将有用信号完全湮没。综合SPD的特性曲线和实验结果,一般将偏置电压设定在24 V。

图2 偏置电压与暗电流关系

2 偏置电路设计

2.1 升压芯片确定

通常,便携式仪器配用的电源电压为较低,无法满足SPD偏置电压电平24 V的要求,须进行升压处理。目前,主要选用APD(雪崩光电二极管)专用升压芯片(如:MAX5026,MAX1932等)构成SPD的偏置电路,但成本相对较高,且这类芯片升压幅度远超过SPD的需要,造成了一定的浪费。因此,设计一款低成本的SPD专用偏置电路是非常有必要的。

本文选用的TPS61040升压芯片是一款由德州仪器公司生产的电感式DC/DC升压转换器,其主要特点是价格低、功耗低、转换效率高。该芯片采用脉冲频率调制(FPM)模式,开关频率高达1 MHz;输入电压范围为1.8~6 V,可选用的供电电源较为丰富,适用性强;最高输出电压可达28 V,可满足绝大部分SPD的偏压电平要求。

2.2 TPS61040工作原理

TPS61040的内部功能结构如图3所示,其脉冲频率调制模式(PFM)工作原理如下:转换器通过FB脚检测输出电压,当反馈电压降到参考电压1.233 V以下时,启动内部开关,使电感电流增大,并开始储能;当流过外部电感的电流达到内部设定的电流峰值400 mA或者开关启动时间超过6 μs时,内部开关自动关闭,电感所储能量开始释放;反馈电压低于1.233 V或内部开关关闭时间超过400 ns,开关再次启动,电流增大。通过PFM峰值电流控制的调配,转换器工作在不间断导通模式,开关频率取决于输出电流大小。这种方式使得转换器具有85%的转换效率。芯片内部集成的MOSFET开关,可使输出端SW与输入端隔离。在关断过程中输入电压与输出电压间无联接,可将关断电流减小到0.1 μA量级,从而大大降低了功率。

图3 TPS61040的功能模块

2.3 升压电路设计

本文设计(图4所示)采用5 V电池作为电源,输出电压+24.5 V。根据TPS61040的数据手册可知反馈电平决定了输出电压的值,反馈电平又与分压电阻直接相关,输出电压[Vout]可按如下公式计算:

[Vout=1.233*(1+RTRB)]

式中:[RT]和[RB]分别为上下分压电阻,在电池供电的情况下,二者的最大阻值分别为2.2 MΩ与200 kΩ。在选择反馈电阻时,应综合考虑阻值与反馈电平的关系,较小的阻值有利于减小反馈电平的噪声,本文中[RT]和[RB]分别选用阻值1 MΩ与51 kΩ的电阻,根据上式可得输出的电压电平为24.5 V。为减小输出电压的纹波,可在[RT]上并联一补偿电容。三极管[Q1]用于隔离负载与输入电源。

图4 升压转换器原理图

2.4 滤波电路设计

根据PFM模式的工作原理可知,流过储能电感的电流呈现周期性的变化,从而将其内贮存的磁能转化为电能输出,造成了偏置电路的输出电平也呈周期性变化,波形近似为三角波,如图5所示。这使得升压转换器输出的电压不能直接用于的SPD偏置。

要得到理想的偏置电压,必须对其进行处理。本文采用电子滤波器来完成偏压的滤波,电路原理如图6所示。根据电子滤波器有放大电容的作用,可以用容量和体积均较小的电容来实现超大电容的功能,基本设计如图6所示。通过滤波处理后,成功将偏置电压的纹波控制在2 mV以内(见图7),且整个偏压电路体积较小,而且成本较低。

图5 升压转换器输出电压波形

图6 偏压滤波原理图

图7 滤波后的偏压

3 应用实例

本文选用的SPD为滨淞公司S3590?08型大面积硅pin光电二极管,可用于闪烁探测器中光电转换功能,选用的闪烁体为一块体积Φ30 mm×25 mm的圆柱形NaI(Tl)晶体,通过一块聚光光锥将NaI(Tl)晶体发出微弱光线汇集到S3590?08的受光面进行探测,并采用本文设计的升压电路为S3590?08提供偏压;选用的放射源核素为Cs?137。SPD输出信号经过前置放大器(原理如图8所示)处理后,输出信号的波形如图9所示,可见本文设计的偏置电路基本达到辐射信号检测的需要。

图8 前放原理图

图9 加有偏压核脉冲信号波形

4 结 论

本实验表明,基于TPS61040升压转换器的升压电路是可以用作对偏压要求较高的SPD的偏置电源,与采用APD专用偏压芯片构成的同类电路相比,成本更低,且电路结构简单、功耗较低、体积较小,具有一定的实际运用价值。

参考文献

[1] 尼曼(美).半导体物理与器件[M].3版.北京:电子工业出版社,2005.

[2] 凌球,郭兰英.核辐射探测[M].北京:原子能出版社,1992.

[3] 侯振义.直流开关电源技术及应用[M].北京:电子工业出版社,2006.

[4] 薛永毅.新型电源电路应用实例[M].北京:电子工业出版社,2001.

[5] 吴菲,李洪祚,杜春梅,等.自由光通信中PIN探测器光阈值特性研究[J].现代电子技术,2014,37(5):12?15.

[6] 夏立成,吴国安,余力强.PIN开关速度仿真[J].现代电子技术,2011,34(2):130?132.